Ишуткин, С. В.
    Влияние халькогенизации поверхности GaAs на параметры барьерных контактов Ti/Au : доклад, тезисы доклада / С. В. Ишуткин, К. С. Носаева , Е. В. Ерофеев // Научная сессия ТУСУР-2008. - Томск : В-Спектр, 2008. - Ч. 1. - С. 229-231. : ил. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Полный текст/внешний ресурс   (постраничный просмотр) : 2008_ishutkin_300508.pdf или скачать 
Имеются экземпляры в отделах: всего 1
Свободны: 1