Шифр: И517352/2011/1    Журнал Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально 2011г. N 1 Содержание: Балагуров, Л. А. Магнетронное осаждение слоев диоксида титана с диагностикой плазмы высокочастотного разряда методом оптической эмиссионной спектроскопии / Л. А. Балагуров, И. В. Кулеманов, А. Ф. Орлов. - С.4-7 Кл.слова: спектры, детекторы, излучения Латухина, Н. В. Диффузионное легирование кремния редкоземельными элементами / Н. В. Латухина, В. М. Лебедев. - С.7-12 Кл.слова: пленки, спектроскопия, дырки Аверичкин, П. А. Использование подложек на основе CdZnTe с использованием полиэдрических метилсилсесквиоксанов / П. А. Аверичкин, Ю. Б. Андрусов, М. Б. Гришечкин. - С.12-15 Кл.слова: полировка, микрорельеф, травление Канева, И. И. Влияние температуры спекания на свойства феррограната марки 40СЧ2 / И. И. Канева, Д. Г. Крутогин, И. С. Рыбачук. - С.16-20 Кл.слова: температура, микроструктуры, нестехиометрия Наими, Е. К. Фотонные кристаллы с показателем преломления, модулируемым ультразвуком / Е. К. Наими, Ю. Х. Векилов. - С.21-24 Кл.слова: сверхрешетки, лучи, траектории Средин, В. Г. Исследования матричных фотоприемников на структурах с квантовыми ямами в условиях интенсивного оптического освещения / В. Г. Средин, М. В. Сахаров, В. Б. Куликов. - С.25-29 Кл.слова: излучения, деградация, стыковка Белогорохов, А. И. Влияние технологических параметров на однородность толщины и морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, полученных методом хлоридно-гидридной эпитаксии / А. И. Белогорохов, А. А. Донсков, Л. И. Дьяконов. - С.30-36 Кл.слова: галлий, подложки, реакторы Кожитов, Л. В. Свойства термообработанного полиакрилонитрила и его композита с наночастицами Ag / Л. В. Кожитов, А. В. Козлов, В. В. Козлов. - С.37-40 Кл.слова: серебро, нагрев, электропроводность Балагуров, Л. А. Проводимость слоев диоксида титана, легированного ванадием, кобальтом и ниобием / Л. А. Балагуров, И. В. Кулеманов, А. Ф. Орлов. - С.41-45 Кл.слова: осаждение, кластеры, сопротивление Комков, О. С. Диагностика арсенида галлия методом фотоотражения / О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев. - С.45-48 Кл.слова: полупроводники, спектроскопия, напряженность Гочуа, К. В. Изменение характеристик структуры при нагреве твердого раствора Bi0,4Sb1,6Te3 / К. В. Гочуа. - С.48-51 Кл.слова: висмут, добротность, распад Волыхов, А. А Исследование атомарно-чистой поверхности InSe (0001) методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / А. А Волыхов, В. С. Неудачина, М. В. Харламова. - С.52-57 Кл.слова: индий, кристаллы, структура Щербачев, К. Д. Изучение влияния условий имплантации ионов He+ на структуру нарушенного слоя в подложках GaAs / К. Д. Щербачев, M. J. Bailey. - С.57-62 Кл.слова: дефекты, дифракция, гелий Андреев, Н. В. Рост, структура и магнитные свойства эпитаксиальных тонких пленок мультиферроика GdMnO3 / Н. В. Андреев, Т. А. Свиридова, Н. Ю. Табачкова. - С.63-66 Кл.слова: распыление, ориентация, микроскопия Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1)