Шифр: И517352/2013/1
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2013г. N 1
Содержание:
Аветисов, И. Х. Область гомогенности теллурида цинка / И. Х. Аветисов, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков. - С.4-10
Кл.слова: переход, полином, фаза
Быков, А. С. Формирование бидоменной структуры в пластинах монокристаллических сегнетоэлектриков стационарным распределением температурных полей / А. С. Быков, С. Г. Григорян, Р. Н. Жуков. - С.11-17
Кл.слова: литий, нагрев, поток
Быкова, М. Б. Обеспечение измерений оптических свойств монокристаллов и заготовок на их основе стандартными образцами предприятия / М. Б. Быкова, Ж. А. Гореева, И. С. Диденко. - С.18-22
Кл.слова: испытание, лаборатория, оптика
Костишин, В. Г. Исследование возможности получения феррита марки 2000НМ по короткой технологической схеме / В. Г. Костишин, И. И. Канева, В. Г. Андреев. - С.23-27
Кл.слова: кристалл, микроструктура, однородность
Шульпина, И. Л. Исследование дефектов в многослойных эпитаксиальных силовых приборах на основе кремния методами рентгеновской топографии / И. Л. Шульпина, В. А. Козлов. - С.28-34
Кл.слова: дефект, слой, сила
Смирнов, И. С. Применение метода in sity рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок кремния / И. С. Смирнов, Е. Г. Новоселова, А. А. Егоров. - С.35-37
Кл.слова: напыление, пленка, слой
Войцеховский, А. В. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с неоднородным распределением состава / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух. - С.38-44
Кл.слова: ртуть, барьер, яма
Мазалов, А. В. Влияние условий роста на структурное совершенство слоев AIN, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии / А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов. - С.45-48
Кл.слова: нитрид, отношение, сапфир
Коноваленко, С. П. Прогнозирование влияния технологических параметров формирования газочувствительных материалов на основе полиакрилонитрила на электросопротивление / С. П. Коноваленко, Т. А. Бедная, Т. В. Семенистая. - С.48-52
Кл.слова: отжиг, полимер
Енишерлова, К. Л. Влияние свойств слоя кремния на емкостные параметры МДП/КНС-структур / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Э. М. Темпер. - С.53-60
Кл.слова: зависимость, уровень, глубина
Муратов, Д. Г. Формирование нанокомпозитов Ni/C на основе полиакрилонитрила под действием ИК-излучения / Д. Г. Муратов, Е. В. Якушко, Л. В. Кожитов. - С.61-65
Кл.слова: частица, сопряжение, углерод
Аверичкин, П. А. Мелкодисперсные частицы метилсилсесквиоксанов с фрагментами SiO4/2 в структуре / П. А. Аверичкин, Ю. Б. Андрусов, И. А. Денисов. - С.65-79
Кл.слова: соединение, гидролиз, микроскопия
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)