Омический контакт к [[i]]n[[/i]][[p]]+[[/p]]-GaAs с торцевым диффузионным барьером [Текст] / Е. В. Ерофеев [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2013. - N 4(30). - С. 62-66 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Полный текст/внешний ресурс   (постраничный просмотр) : 2013_4(30)_Erofeev.pdf или скачать 

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : сбо (3)
Свободны: сбо (3)