Шифр: И517352/2016/19/2    Журнал Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально 2016г. т.19 N 2 . - 2238.99, р. Содержание: Поляков, А. Я. Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии / А. Я. Поляков, Jin-Hyeon Yun, В. С. Усиков. - С.75-86 Кл.слова: свойства электрические, свойства оптические, нитриды Зыкова, Марина Павловна. Исследование фазовых равновесий тройной системы Zn–Se–Fe для лазерных технологий / М. П. Зыкова, В. Ю. Кролевецкая, Е. Н. Можевитина. - С.87-94 Кл.слова: селенид цинка, материалы халькогенидные, кристаллы Кубасов, Илья Викторович. Анизотропия деформации пластин монокристаллов ниобата лития Y + 128°-среза с бидоменной структурой / И. В. Кубасов, А. В. Попов, А. С. Быков. - С.95-102 Кл.слова: кристаллы бидоменные, актюатор, свойства пьезоэлектрические Васкес, Луис. Волновое уравнение: от эйконального к неэйкональному приближению / Л. Васкес, С. Хименес, А. Б. Шварцбург. - С.103-107 Кл.слова: коэффициент преломления, предел антиэйкональный, среды оптические Абгарян, Каринэ Карленовна. Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур / К. К. Абгарян. - С.108-114 Кл.слова: моделирование первопринципное, подвижность, моделирование полномасштабное Енишерлова, Кира Львовна. Нестабильность емкости ВФ-характеристик при измерении гетероструктур AlGaN/GaN и HEMT-транзисторов на их основе / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин. - С.115-123 Кл.слова: барьеры Шотки, годограф импеданса цепи, вклад генерационно-рекомбинационный Валянский, Сергей Иванович. Функциональные 2D-наноматериалы для оптоэлектронной техники на основе ленгмюровских пленок бактериородопсина / С. И. Валянский, Е. К. Наими, Л. В. Кожитов. - С.124-132 Кл.слова: волны поверхностные плазмон-поляритонные, генерация второй гармоники, биосенсоры Минаев, Виктор Семёнович. А не пора ли вернуться к Tg Таммана? / В. С. Минаев, Н. М. Парфёнов, С. П. Тимошенков. - С.133-143 Кл.слова: температура стеклования, эффект предэндотермический, эффект предэкзотермический Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1)