> Шифр: И517352/2016/19/4 Журнал 2016г. т.19 N 4 . - 2273.10, р. Быков, Александр Сергеевич. Применение радиоактивных изотопов для создания бета-вольтаических генераторов / А. С. Быков, М. Д. Малинкович, И. В. Кубасов. - С.221-234 Кл.слова: источники питания, излучение радиоактивное, изотопы Гришечкин, Михаил Борисович. Глубокая очистка теллура для производства материалов электроники и фотоники / М. Б. Гришечкин, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков. - С.235-240 Кл.слова: материалы высокочистые, дистилляция вакуумная, масс-спектрометрия Богомолов, Денис Игоревич. Математическое моделирование пластического течения при равноканальном угловом прессовании твердого раствора на основе халькогенидов висмута / Д. И. Богомолов, В. Т. Бублик, М. В. Меженный. - С.241-248 Кл.слова: материалы термоэлектрические, деформация пластическая, эффект Пельтье Борознин, Сергей Владимирович. Ионная проводимость бороуглеродных нанослоев типа ВС3 / С. В. Борознин, И. В. Запороцкова. - С.249-253 Кл.слова: нанотрубки бороуглеродные, вакансии, свойства транспортные Кузьменко, Александр Павлович. Образование иерархических структур из функционализированных многостенных углеродных нанотрубок в растворе с аэросилом / А. П. Кузьменко, П. Н. Тет, А. Е. Кузько. - С.254-261 Кл.слова: самоорганизация, самосборка, упорядочение управляемое Эйдельман, Ксения Борисовна. Структурные особенности формирования цинкосодержащих наночастиц, полученных методом ионной имплантации в Si(001) и последующим термическим отжигом / К. Б. Эйдельман, Н. Ю. Табачкова, К. Д. Щербачев. - С.262-270 Кл.слова: виллемит, слои приповерхностные, превращения структурные Курочка, Сергей Петрович. Особенности создания омических контактов к гетероструктурам AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом / С. П. Курочка, М. В. Степушкин, В. И. Борисов. - С.271-278 Кл.слова: ориентация кристаллографическая, контакты омические, газ двумерный электронный Осипян, Валентин Георгиевич. Кристаллохимические особенности простейших и смешанно-слоистых оксидов висмута / В. Г. Осипян. - С.279-283 Кл.слова: сегнетоэлектрики, формула кристаллохимическая, слои перовскитоподобные Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |