С 370 Сим, Павел Евгеньевич. Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN [Текст] : автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника / П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян. - Томск, 2018. - 17 с. : граф., рис. - Библиогр.: с. 15-17 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа 
Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.), сбо (1 экз.) Свободны: счз1 (1), сбо (1) |