С 370 Сим, Павел Евгеньевич. Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника / П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян ; науч. конс. В. Н. Брудный ; ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет" (Томск), АО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск). - Томск, 2018. - 112 с. : граф., цв. ил., рис. - Библиогр.: с. 102-110 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа 
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.) Свободны: сбо (1) |