Шифр: И517352/2023/26/2
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2023г. т.26 N 2 . - 3473.93, р.
Содержание:
Железнов, Вячеслав Юрьевич. Воздействие наносекундных ультрафиолетовых лазерных импульсов на поверхность монокристаллов германия / В. Ю. Железнов, Т. В. Малинский, В. Е. Рогалин. - С.89-100
Кл.слова: плоскость кристаллографическая, травление, термообработка лазерная
Подгорный, Дмитрий Андреевич. Влияиние технологических параметров при многопроволочной резке слитков GaAs на поверхностные характеристики пластин / Д. А. Подгорный, М. С. Нестюркин, Н. Ю. Комаровский. - С.101-109
Кл.слова: монокристаллы полупроводниковые, материалы электроники, параметры поверхности
Муратов, Дмитрий Геннадиевич. Синтез, структура и электромагнитные свойства нанокомпозитов FeCoCu/C / Д. Г. Муратов, Л. В. Кожитов, И. В. Запороцкова. - С.110-121
Кл.слова: Раман-спектроскопия, потери на отражение, тангенс потерь
Пашкевич, Алексей Владимирович. Тепловые и термоэлектрические свойства керамики из оксида цинка, легированной металлами / А. В. Пашкевич, А. К. Федотов, Е. Н. Подденежный. - С.122-136
Кл.слова: плотность, теплопроводность, рассеяние фононов
Щемеров, Иван Васильевич. Исследование аномально высокого времени релаксации фототока в диодах Шотки на основе α–Ga2O3 / И. В. Щемеров, А. Я. Поляков, А. В. Алмаев. - С.137-147
Кл.слова: оксид галлия, фотопреобразователи ультрафиолетовые, фотоэффект замедленный
Ким, Александра Сергеевна. Применение пленки Al2O3 для стабилизации зарядовых свойств границы раздела SiO2/p–Si / А. С. Ким, Н. А. Серко, П. Е. Хакуашев. - С.148-156
Кл.слова: слой инверсионный, пассивация, пленки диэлектрические
Силибин, Максим Викторович. Кристаллическая структура, пьезоэлектрические и магнитные свойства твердых растворов BiMn1-xFexO3 (x ≤ 0,4) / М. В. Силибин, Д. А. Киселев, С. И. Латушко. - С.157-165
Кл.слова: переход фазовый, упорядочение орбитальное, структура сегнетоэлектрическая доменная
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)