Заглавие журнала :Материалы электронной техники -2011г.,N 1 Интересные статьи : Балагуров Л. А. Магнетронное осаждение слоев диоксида титана с диагностикой плазмы высокочастотного разряда методом оптической эмиссионной спектроскопии/ Л. А. Балагуров, И. В. Кулеманов, А. Ф. Орлов (стр.4-7) Кл.слова: спектры,детекторы,излучения Латухина Н. В. Диффузионное легирование кремния редкоземельными элементами/ Н. В. Латухина, В. М. Лебедев (стр.7-12) Кл.слова: пленки,спектроскопия,дырки Аверичкин П. А. Использование подложек на основе CdZnTe с использованием полиэдрических метилсилсесквиоксанов/ П. А. Аверичкин, Ю. Б. Андрусов, М. Б. Гришечкин (стр.12-15) Кл.слова: полировка,микрорельеф,травление Канева И. И. Влияние температуры спекания на свойства феррограната марки 40СЧ2/ И. И. Канева, Д. Г. Крутогин, И. С. Рыбачук (стр.16-20) Кл.слова: температура,микроструктуры,нестехиометрия Наими Е. К. Фотонные кристаллы с показателем преломления, модулируемым ультразвуком/ Е. К. Наими, Ю. Х. Векилов (стр.21-24) Кл.слова: сверхрешетки,лучи,траектории Средин В. Г. Исследования матричных фотоприемников на структурах с квантовыми ямами в условиях интенсивного оптического освещения/ В. Г. Средин, М. В. Сахаров, В. Б. Куликов (стр.25-29) Кл.слова: излучения,деградация,стыковка Белогорохов А. И. Влияние технологических параметров на однородность толщины и морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, полученных методом хлоридно-гидридной эпитаксии/ А. И. Белогорохов, А. А. Донсков, Л. И. Дьяконов (стр.30-36) Кл.слова: галлий,подложки,реакторы Кожитов Л. В. Свойства термообработанного полиакрилонитрила и его композита с наночастицами Ag/ Л. В. Кожитов, А. В. Козлов, В. В. Козлов (стр.37-40) Кл.слова: серебро,нагрев,электропроводность Балагуров Л. А. Проводимость слоев диоксида титана, легированного ванадием, кобальтом и ниобием/ Л. А. Балагуров, И. В. Кулеманов, А. Ф. Орлов (стр.41-45) Кл.слова: осаждение,кластеры,сопротивление Комков О. С. Диагностика арсенида галлия методом фотоотражения/ О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев (стр.45-48) Кл.слова: полупроводники,спектроскопия,напряженность Гочуа К. В. Изменение характеристик структуры при нагреве твердого раствора Bi[[d]][[s7]]0,4[[/s]][[/d]]Sb[[d]][[s7]]1,6[[/s]][[/d]]Te[[d]][[s7]]3[[/s]][[/d]]/ К. В. Гочуа (стр.48-51) Кл.слова: висмут,добротность,распад Волыхов А. А. Исследование атомарно-чистой поверхности InSe (0001) методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии/ А. А Волыхов, В. С. Неудачина, М. В. Харламова (стр.52-57) Кл.слова: индий,кристаллы,структура Щербачев К. Д. Изучение влияния условий имплантации ионов He[[p]][[s7]]+[[/s]][[/p]] на структуру нарушенного слоя в подложках GaAs/ К. Д. Щербачев, M. J. Bailey (стр.57-62) Кл.слова: дефекты,дифракция,гелий Андреев Н. В. Рост, структура и магнитные свойства эпитаксиальных тонких пленок мультиферроика GdMnO[[d]][[s7]]3[[/s]][[/d]]/ Н. В. Андреев, Т. А. Свиридова, Н. Ю. Табачкова (стр.63-66) Кл.слова: распыление,ориентация,микроскопия Интересные статьи : Доп.точки доступа: Балагуров, Л. А. Латухина, Н. В. Аверичкин, П. А. Канева, И. И. Наими, Е. К. Средин, В. Г. Белогорохов, А. И. Кожитов, Л. В. Комков, О. С. Гочуа, К. В. Волыхов, А. А Щербачев, К. Д. Андреев, Н. В. Кулеманов, И. В. Лебедев, В. М. Андрусов, Ю. Б. Крутогин, Д. Г. Векилов, Ю. Х. Сахаров, М. В. Донсков, А. А. Козлов, А. В. Пихтин, А. Н. Неудачина, В. С. Bailey, M. J. Свиридова, Т. А. Орлов, А. Ф. Гришечкин, М. Б. Рыбачук, И. С. Куликов, В. Б. Дьяконов, Л. И. Козлов, В. В. Жиляев, Ю. В. Харламова, М. В. Табачкова, Н. Ю.