Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Величко, Александр Андреевич, Илюшин, Владимир Александрович, Филимонова, Нина Ивановна Заглавие : Получение структур CaF{\dn\fs10 2}/Si(100) методом твердофазной эпитаксии Место публикации : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники: периодический научный журнал/ Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск: Издательство ТУСУР, 2012. - N 1(25)Ч1. - С. 47-51. - ISSN 1818-0442 (Шифр Д301668/2012/1(25)Ч1). - ISSN 1818-0442 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): млэ--асм--кремний--фторид кальция--морфология поверхности--кремний на изоляторе--кни--микроэлектроника--наноэлектроника--эксперименты Доп.точки доступа: Илюшин, Владимир Александрович Филимонова, Нина Ивановна