Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : А/Ф 326 Автор(ы) : Федин, Иван Владимирович Заглавие : Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04 Выходные данные : Томск: б. и., 2019 Колич.характеристики :21 с. Коллективы : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск), АО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск) УДК : 621.382.2(571.16) Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): барьерный контакт--свойства материала--подвижность носителей--радиационные свойства--температура отжига--омические контакты Экземпляры : всего : сбо(1), счз1(1) Свободны : сбо(1), счз1(1) Доп.точки доступа: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск) АО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск)