Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : А/С 956 Автор(ы) : Сысоева, Светлана Геннадьевна Заглавие : Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком : автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07 Выходные данные : Томск, 2018 Колич.характеристики :23 с. Коллективы : Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) УДК : 621.315.592 + 535.37 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектрометрия--полупроводниковые макрокристаллы--электронный пучок--генераторы--плотность потока Экземпляры :сбо(1) Свободны : сбо(1) Доп.точки доступа: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск) Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)