Заглавие журнала :Электроника -2020г. т.25,N 6
Интересные статьи :
Афанасьев А. В. Анализ эпитаксии карбида кремния из газовой фазы как базового процесса в технологии силовой электроники/ А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин (стр.483-496) Кл.слова: SiC,CVD,CVD-реактор
Силаев И. В. Метод и реализация высокоэффективной диагностики формы электронного зонда растрового электронного микроскопа/ И. В. Силаев, И. Н. Гончаров, Т. Т. Магкоев (стр.497-504) Кл.слова: луч,веб-камера,катодолюминесцентный экран
Воробьев А. В. Исследование влияния технологических факторов на характеристики гибких безадгезированных фольгированных диэлектриков/ А. В. Воробьев, В. Д. Жора, Н. И. Плис (стр.505-516) Кл.слова: микросхемы,носитель,преобразователь
Елисеева Д. А. Анализ механизмов деградации подзатворных диэлектриков на основе SiO[[d]]2[[/d]] в МОП-транзисторах/ Д. А. Елисеева, С. О. Сафонов (стр.517-524) Кл.слова: надежность,времязависимость,отказ
Заплетина М. А. Методы анализа выполнимости булевых формул для современных задач систем автоматизации проектирования в микроэлектронике/ М. А. Заплетина, Д. В. Жуков, С. В. Гаврилов (стр.525-538) Кл.слова: SAT-подход,САПР,верификация СБИС
Амеличев В. В. Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO[[d]]2[[/d]] к концентрации водорода в воздухе/ В. В. Амеличев, С. С. Генералов, А. В. Николаева (стр.539-547) Кл.слова: полупроводник,датчик газа,система
Гаращенко А. В. Методика формирования тестовых последовательностей на основе графовой модели иерархии кеш-памяти/ А. В. Гаращенко, Л. Г. Гагарина (стр.548-557) Кл.слова: автоматическая генерация,процессор,верификация
Чаплыгин Ю. А. Метод проектирования широкополосного формирователя квадратурных сигналов/ Ю. А. Чаплыгин, В. В. Лосев, А. Д. Каленов (стр.558-562) Кл.слова: СВЧ,полифазный фильтр,делитель частоты
Урумов В. В. Влияние внешнего излучения на емкостные и токовые характеристики излучающих структур/ В. В. Урумов (стр.563-568) Кл.слова: источник света,конденсатор,пронициемость
Крылов В. П. Релаксация глубоких центров в транзисторах и интегральных микросхемах/ В. П. Крылов, А. М. Богачев (стр.568-572) Кл.слова: полупроводник,прибор,сканирование
Интересные статьи :
Доп.точки доступа:
Афанасьев, Алексей Валентинович
Силаев, Иван Вадимович
Воробьев, Андрей Валерьевич
Елисеева, Дарья Андреевна
Заплетина, Мария Андреевна
Амеличев, Владимир Викторович
Гаращенко, Антон Витальевич
Чаплыгин, Юрий Александрович
Урумов, Владимир Владимирович
Крылов, Владимир Павлович
Ильин, Владимир Алексеевич
Гончаров, Игорь Николаевич
Жора, Владимир Дмитриевич
Сафонов, Сергей Олегович
Жуков, Денис Владимирович
Генералов, Сергей Сергеевич
Гагарина, Лариса Геннадьевна
Лосев, Владимир Вячеславовч
Богачев, Алексей Михайлович
Лучинин, Виктор Викторович
Магкоев, Тамерлан Таймуразович
Плис, Николай Иванович
Гаврилов, Сергей Витальевич
Николаева, Анастасия Владимировна
Каленов, Александр Дмитриевич