Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ<.>) |
Общее количество найденных документов : 49
Показаны документы с 1 по 20 |
|
>1.
| Генераторные приборы и модули СВЧ полупроводниковые : Перечень параметров ЭМС и требования к ним. Методы измерения. - М. : Изд-во стандартов
, 1994. - 25 с (
1 экз. )
|
>2.
| Дискретные приборы и интегральные схемы []. Часть 5 : Оптоэлектронные приборы. - М. : Изд-во стандартов
, 1992. - 32 с (
1 экз. )
|
>3.
| Дискретные приборы и интегральные схемы []. Часть 2 : Выпрямительные диоды. - М. : Изд-во стандартов
, 1992. - 44 с (
1 экз. )
|
>4.
| Микросхемы интегральные []. Часть 4 : Интерфейсные интегральные схемы. - М. : Изд-во стандартов
, 1992. - 69 с (
1 экз. )
|
>5.
| Микросхемы интегральные []. Часть 3 : Аналоговые интегральные схемы. - М. : Изд-во стандартов
, 1992. - 129 с (
1 экз. )
|
>6.
| Микросхемы интегральные []. Часть 2 : Цифровые интегральные схемы. - М. : Изд-во стандартов
, 1992. - 155 с (
1 экз. )
|
>7.
| Микросхемы интегральные []. Часть 1 : Общие положения. - М. : Изд-во стандартов
, 1992. - 19 с (
1 экз. )
|
>8.
| Дискретные приборы []. Часть 3 : Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2 : Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией. - М. : Изд-во стандартов
, 1990. - 29 с (
1 экз. )
|
>9.
| Приборы полупроводниковые []. Часть 11 : Групповые технические условия на дискретные приборы : стандарт. - М. : Изд-во стандартов
, 1990. - 27 с (
1 экз. )
|
>10.
| Приборы полупроводниковые []. Часть 10 : Общие технические условия на дискретные приборы и интегральные микросхемы. - М. : Изд-во стандартов
, 1990. - 38 с (
1 экз. )
|
>11.
| Приборы полупроводниковые : Механические и климатические испытания. - М. : Изд-во стандартов
, 1990. - 31 с (
1 экз. )
|
>12.
| Преобразователи переменного напряжения полупроводниковые : Общие технические требования. - М. : Изд-во стандартов
, 1989. - 26 с (
1 экз. )
|
>13.
| Модули полупроводниковые силовые : Габаритные и присоединительные размеры. - М. : Изд-во стандартов
, 1988. - 6 с (
1 экз. )
|
>14.
| Приборы полупроводниковые оптоэлектронные : Термины, определения и буквенные обозначения параметров. - М. : Изд-во стандартов
, 1987. - 25 с (
1 экз. )
|
>15.
| Преобразователи электроэнергии полупроводниковые : Условные обозначения. - М. : Изд-во стандартов
, 1984. - 7 с (
1 экз. )
|
>16.
| Преобразователи электроэнергии полупроводниковые мощностью 5 кВ·А и выше : Параметры. - М. : Изд-во стандартов
, 1984. - 6 с (
1 экз. )
|
>17.
| Диоды полупроводниковые : Термины, определения и буквенные обозначения параметров. - М. : Изд-во стандартов
, 1983. - 46 с (
1 экз. )
|
>18.
| Инверторы полупроводниковые : Общие технические условия. - М. : Изд-во стандартов
, 1991. - 30 с (
1 экз. )
|
>19.
| Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие : Основные размеры. - М. : Изд-во стандартов
. - М. : Изд-во стандартов
, 19791993. - 11 с (
1 экз. )
|
>20.
| Преобразователи электроэнергии полупроводниковые : Термины и определения. - М. : Изд-во стандартов
, 1987. - 9 с (
1 экз. )
|
|
|