Поисковый запрос: (<.>A=Ишуткин, Сергей Владимирович$<.>) |
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6 |
1.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - Журнал, 2018г. т.21 N 4 (Введено оглавление) (
2 экз. )
|
2.
| Ишуткин, Сергей Владимирович. Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu : дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. - Томск
, 2016. - 207 с. (
1 экз. )
|
3.
| Ишуткин, Сергей Владимирович. Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu : автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. - Томск
, 2016. - 22 с. (
2 экз. )
|
4.
| Полевой транзистор с субмикронным Т-образным затвором, полученным с использованием пристеночного диэлектрика
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2014. - N 1(31). - С. 103-105 (
экз. )
|
5.
| Омический контакт к n+-GaAs с торцевым диффузионным барьером
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2013. - N 4(30). - С. 62-66 (
экз. )
|
6.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - Журнал, 2013г. N 4(30) (Введено оглавление) (
3 экз. )
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный