Библиотека ТУСУРа

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

Основная база библиотеки

База данных нормативных документов

Персоналии ученых-профессоров ТУСУРа

Календарь знаменательных дат

Электронные книги ЛитРес

ЭБС «Лань»

ЭБС «Юрайт»

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Основная база библиотеки (72)

Формат представления найденных документов:
полный	для рабочих программ

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>)

Общее количество найденных документов : 72
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-72

    HEMT на гетероструктурах In_0,52Al_0,48As/In_0,53Ga_0,47As/In_0,52Al_0,48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц [Текст] : доклад / Ю. В. Федоров [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 191-197. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
изоморфные гетероструктуры -- Холловские параметры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- доклады ТУСУР

Доп.точки доступа:
Федоров, Юрий Владимирович
Щербакова, Марина Юрьевна
Гнатюк, Дмитрий Леонидович
Яременко, Наталья Георгиевна
Страхов, Валерий Александрович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_fedorov_250311.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

621.382
А65

    Андреев, Вячеслав Михайлович.
    Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков ; ред. Ж. И. Алферов. - М. : Советское радио, 1975. - 328 с. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.002:621.315.5
~РУБ 621.382
Доп.точки доступа:
Долгинов, Л. М.
Третьяков, Д. Н.
Алферов, Ж. И. \ред.\

Имеются экземпляры в отделах: аунл (1 экз.)
Свободны: аунл (1)
Постоянная гиперссылка

620.3
В 240

    Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий [Текст] : учебное пособие для вузов: в 2 т. / ред. Ю. Н. Коркишко. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - (Нанотехнологии). - ISBN 978-5-9963-0341-0.
   Т. 1 : Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 392 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 386-389. - ISBN 978-5-9963-0335-9 : 330.00 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
620.3(075.8)
621.382(075.8)
53:54
~РУБ 620.3

Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОГЕННОЕ ФАЗООБРАЗОВАНИЕ -- РЕАКЦИОННАЯ КОНДЕНСАЦИЯ -- ФИЗИЧЕСКАЯ КОНДЕНСАЦИЯ -- ПРОЦЕССЫ ОКИСЛЕНИЯ -- ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ЭПИТАКСИЯ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИЯ -- ЭЛЕКТРОЛИТОГРАФИЯ -- УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ
Доп.точки доступа:
Коркишко, Ю. Н. \ред.\
Чистяков, Юрий Дмитриевич
Райнова, Юлия Петровна

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (3 экз.), аунл (42 экз.)
Свободны: счз1 (3), аунл (42)
Постоянная гиперссылка

620.3
В 240

    Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий [Текст] : учебное пособие для вузов: в 2 т. / ред. Ю. Н. Коркишко. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - 2011. - (Нанотехнологии). - ISBN 978-5-9963-0341-0.
   Т. 2 : Технологические аспекты / М. В. Акуленок, В. М. Андреев, Д. Г. Громов. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 252 с. : ил. - ). - Библиогр.: с. 245-248. - ISBN 978-5-9963-0336-6 : 278.30 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
620.3(075.8)
621.382(075.8)
53:54(075.8)
~РУБ 620.3

Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ВАКУУМТЕРМИЧЕСКОЕ ИСПАРЕНИЕ -- МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ -- НАПРАВЛЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭПИТАКСИЯ КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ЛИТОГРАФИЯ -- РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИЯ -- ЭЛЕКТРОНОЛИТОГРАФИЯ -- УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ
Доп.точки доступа:
Коркишко, Ю. Н. \ред.\
Акуленок, Марина Викторовна
Андреев, Владимир Михайлович
Громов, Дмитрий Геннадьевич

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (3 экз.), аунл (42 экз.)
Свободны: счз1 (3), аунл (42)
Постоянная гиперссылка

538.9
В 573

    Владимиров, Георгий Георгиевич.
    Физика поверхности твердых тел [Электронный ресурс] : учебное пособие / Г. Г. Владимиров ; ред. Н. В. Черезова ; рец.: В. Ф. Агекян, А. С. Шулаков. - Электрон. текстовые дан. - СПб. : Лань, 2016. - on-line : ил., рис., табл., фот. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.: с. 328-345. - ISBN 978-5-8114-1997-5 : Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
538.9(075.8)
~РУБ 538.9

Кл.слова (ненормированные):
УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ -- ТЕРМОДИНАМИКА -- АНИЗОТРОПИЯ -- ФАСЕТИРОВАНИЕ -- КОЛЕБАНИЯ -- ДЕФЕКТЫ -- ПЛАВЛЕНИЕ -- АДСОРБЦИЯ -- ДИФФУЗИЯ -- ЭПИТАКСИЯ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ

Доп.точки доступа:
Черезова, Н. В. \ред.\
Агекян, В. Ф. \рец.\
Шулаков, А. С. \рец.\

Перейти к внешнему ресурсу https://e.lanbook.com/reader/book/71707/#1
Постоянная гиперссылка

А
Г 697

    Горн, Дмитрий Игоревич.
    Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / Д. И. Горн ; науч. рук. А. В. Войцеховский ; Национальный исследовательский Томский государственный университет (Томск), кафедра квантовой электроники и фотоники, Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, лаборатория оптической электроники. - Томск, 2012. - 18 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 17-18

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
537.311.322(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
АВТОРЕФЕРАТЫ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- КВАНТОВЫЕ ЯМЫ -- ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ ЯМЫ
Доп.точки доступа:
Войцеховский, Александр Васильевич \науч. рук. .\
Национальный исследовательский Томский государственный университет (Томск). кафедра квантовой электроники и фотоники
Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета. лаборатория оптической электроники

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

621.382
Г 740

    Готра, Зенон Юрьевич.
    Технология микроэлектронных устройств : Справочник / З. Ю. Готра. - М. : Радио и связь, 1991. - 528 с. : ил, табл. - Библиогр.: с. 526. - ISBN 5-256-00699-1 : 04.00 р., 10.83 р., 21.66 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.049.77.002(035.5)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
СПРАВОЧНИКИ -- ДИФФУЗИИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ОБРАБОТКА КРИСТАЛЛОВ -- ЭПИТАКСИЯ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ЛИТОГРАФИЯ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- МИКРОСВАРКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПОДЛОЖКИ -- ГЕТТЕРИРОВАНИЕ

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (41 экз.), счз1 (2 экз.)
Свободны: аунл (40), счз1 (2)
Постоянная гиперссылка

620.3
Г 962

    Гусев, Александр Иванович.
    Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии : Монография / А. И. Гусев. - М. : Физматлит, 2005. - 410[6] с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Алф. указ.: с. 401-410. - ISBN 5-9221-0582-5 : 199.06 р., 257.40 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
620.3(035.3)
620.22(035.3)
53:54(035.3)
~РУБ 620.3

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- МОНОГРАФИИ -- СИНТЕЗ -- СПЛАВЫ -- ПОРОШКИ -- СТРОЕНИЕ ВЕЩЕСТВ -- РЕШЕТКИ -- ТЕПЛОЕМКОСТЬ -- МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЛИТОГРАФИЯ -- ЭПИТАКСИЯ

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (47 экз.), счз1 (2 экз.)
Свободны: аунл (46), счз1 (2)
Постоянная гиперссылка

А
Д 439

    Дзядух, Станислав Михайлович.
    Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 / С. М. Дзядух ; науч. рук. А. В. Войцеховский ; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета. - Томск, 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.315.592.9(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
авторефераты -- гетероэпитаксильные структуры -- МДП-структуры -- полупроводники -- диэлектрики -- HgCdTe -- молекулярно-лучевая эпитаксия
Доп.точки доступа:
Войцеховский, Александр Васильевич \науч. рук.\
Томский государственный университет
Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

10.

(Свободных экземпляров нет)
Шифр: Д301668/2010/2 - Ч. 1
Журнал
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники.

Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал/ Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 1997 - . - ISSN 1818-0442. - Выходит ежеквартально
2010г. N 2(22) - Ч. 1

Содержание:
Ильин, АлександрАлексеевич. Синтез топологии устройств формирования импульсов с заданными спектральными характеристиками на основе нерегулярных рельефных связанных микрополосковых линий / А. А. Ильин, Н. Д. Малютин, А. О. Мисюнас. - С.7-19
Кл.слова: сигналы, матрицы, алгоритмы
Бабак, Леонид Иванович. Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии / Д. И. Бабак, Ю. В. Федоров, М. В. Черкашин. - С.20-24
Кл.слова: схемы, элементы, синтез
Черкашин, Михаил Владимирович. Проектирование однокаскадного монолитного усилителя Ка-диапазона с использованием комплекса программ автоматизированного синтеза / М. В. Черкашин, А. А. Коколов, И. М. Добуш. - С.25-29
Кл.слова: схемы, элементы, синтез
Черкашин, Михаил Владимирович. Автоматизированное проектирование двухкаскадного копланарного монолитного усилителя Ка-диапазона / М. В. Черкашин, А. А. Коколов, И. М. Добуш. - С.30-33
Кл.слова: схемы, элементы, синтез
Черкашин, Михаил Владимирович. Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30-37,5 ГГц на GaAs pHEMT-генероструктурах / М. В. Черкашин, И. М. Добуш, Л. И. Бабак. - С.34-37
Кл.слова: схемы, проектирование, исследования
Добуш, Игорь Мирославович. Исследование копланарных элементов монолитных интегральных схем / И. М. Добуш, А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.38-41
Кл.слова: моделирование, измерения, резисторы
Добуш, Игорь Мирославович. Разработка монолитного ограничителя мощности Х-диапазона / И. М. Добуш. - С.42-43
Кл.слова: схемы, характеристики, моделирование
Добуш, Игорь Мирославович. Обзор способов построения и схем СВЧ монолитных ограничителей мощности / И. М. Добуш. - С.44-48
Кл.слова: устройства, схемы, характеристики
Гнатюк, Дмитрий ЛеонидовичИгорь Мирославович. Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs pHEMT-гетероструктурах / Д. Л. Гнатюк, Ю. В. Федоров, Г. Б. Галиев. - С.49-55
Кл.слова: транзисторы, топология, исследования
Сусляев, Валентин Иванович. Электромагнитный отклик от композиционного материала на основе многостенных углеродных нанотрубок / В. И. Сусляев, В. Л. Кузнецов, И. Н. Мазов. - С.56-58
Кл.слова: композиты, композиты, линии
Ющенко, Алексей Юрьевич. СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков. - С.59-61
Кл.слова: модели, характеристики, гетероструктуры
Ющенко, Алексей Юрьевич. Разработка элементной базы для создания СВЧ-модулей / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков. - С.62-66
Кл.слова: транзисторы, схемы, коммутаторы
Литвиненко, Екатерина Сергеевна. Малошумящий усилитель диапазона 1-6 ГГц / Е. С. Литвиненко. - С.67-69
Кл.слова: моделирование, настройка, коэффициенты
Мелкозеров, Александр Олегович. Структурная оптимизация многокаскадного модального фильтра по двум критериям / А. О. Мелкозеров, И. Е. Самотин, Р. И. Аширбакиев. - С.70-72
Кл.слова: конструкции, перебор, функции
Сусляев, Валентин Иванович. Микроволновые характеристики композиционных материалов на основе нанопорошков гексаферритов / В. И. Сусляев, О. А. Доценко, А. Н. Бабинович. - С.73-75
Кл.слова: проницаемость, радиоматериалы, полимеры
Сычев, Александр Николаевич. Общие подходы к оптимальному проектированию интегральных СВЧ-устройств. Обзор / А. Н. Сычев. - С.76-80
Кл.слова: топология, синтез, модели
Сычев, Александр Николаевич. Оптимальный синтез интегральных СВЧ-устройств на основе замещающего моделирования. Обзор / А. Н. Сычев, В. А. Шестаков. - С.81-85
Кл.слова: проектирование, методы, сети
Арыков, Вадим Станиславович. Разработка мощных полевых транзисторов с субмикронным Т-образным затвором Шотки, полученным методом оптической литографии / В. С. Арыков, А. М. Гаврилова. - С.86-88
Кл.слова: наногетероструктуры, травление, макеты
Абрамов, Алексей Олегович. Программа INDESYS-MB для построения моделей элементов СВЧ монолитных интегральных схем на основе многомерных полиномов / А. О. Абрамов, Л. И. Бабак, И. М. Добуш. - С.89-92
Кл.слова: аппроксимация, мономы, алгоритмы
Бабак, Леонид Иванович. Разработка интеллектуальной системы автоматизированного проектирования СВЧ-устройств INDESYS / Л. И. Бабак, С. Ю. Дорофеев, М. А. Песков. - С.93-96
Кл.слова: синтез, алгоритмы, схемы
Дорофеев, Сергей Юрьевич. Пакет библиотек для автоматизации электротехнических отделов Rubius Electric Suite / С. Ю. Дорофеев, А. Н. Кураколов. - С.97-100
Кл.слова: молниезащита, документация, линии
Коколов, Андрей Александрович. Разработка копланарного монолитного усилителя Ка-диапазона со сложением мощности / А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.101-104
Кл.слова: схемы, синтез, транзисторы
Мокеров, Владимир Григорьевич. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0.15 мкм GaAs pHEMT-технологии / В. Г. Мокеров, Л. И. Бабак, Ю. В. Федоров. - С.105-117
Кл.слова: схемы, синтез, проектирование
Коколов, Андрей Александрович. Обзор математических моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов / А. А. Коколов, Ф. И. Шеерман, Л. И. Бабак. - С.118-123
Кл.слова: классификация, моделирование, приборы
Teyssier, Jean-Pierre. Characterization of high power microwave transistors / J.-P. Teyssier. - С.127-136
Кл.слова: транзисторы, мощность, характеристики
Баров, Александр Анатольевич. Восстановление нелинейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора / А. А. Баров, Ю. Н. Бидненко, А. В. Кондратенко. - С.137-139
Кл.слова: схемы, характеристики, рассеяние
Сальников, Андрей Сергеевич. Автоматизация зондовых измерений параметров рассеяния и вольтамперных характеристик транзисторов с использованием программной среды Indesys-MS / А. С. Сальников, И. М. Добуш, С. Е. Кошевой. - С.140-144
Кл.слова: установки, методики, приборы
Сальников, Андрей Сергеевич. Обзор тестовых структур для измерения электрофизических параметров материалов при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем / А. С. Сальников, А. Ю. Ющенко. - С.145-148
Кл.слова: микроэлектроника, контроль, технологии
Коколов, Андрей Александрович. Методика построения нелинейной модели EEHEMT для гетероструктурных полевых СВЧ- транзисторов / А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.149-152
Кл.слова: экстракция, аппроксимация, параметры
Коколов, Андрей Александрович. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов / А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.153-156
Кл.слова: схемы, экстракция, параметры
Сальников, Андрей Сергеевич. Разработка библиотеки элементов для проектирования отечественных гетероструктурных СВЧ МИС в среде Micrоwave Office / А. С. Сальников, А. А. Коколов, Ф. И. Шеерман. - С.157-160
Кл.слова: схемы, моделирование, топология
Лощилов, Антон Геннадьевич. Экспериментальная установка для исследования характеристик нелинейности СВЧ-цепей в режиме сверхширокополосного импульсного воздействия / А. Г. Лощилов, Э. В. Семенов, Н. Д. Малютин. - С.161-165
Кл.слова: сигналы, рефлектометрия, рефлектограммы
Лощилов, Антон Геннадьевич. Разработка устройств обработки сверхширокополосных импульсных сигналов для исследования нелинейных свойств объектов методом нелинейной рефлектометрии / А. Г. Лощилов, Э. В. Семенов, Н. Д. Малютин. - С.166-170
Кл.слова: рефлектометрия, формирователи, ответвители
Семенов, Эдуард Валерьевич. Моделирование нелинейности преобразования видеоимпульсных сигналов полупроводниковым диодом / Э. В. Семенов, Т. Х. Бибиков, Н. Д. Малютин. - С.171-174
Кл.слова: погрешности, ток, параметры
Сусляев, Валентин Иванович. Оценка эффективной магнитной проницаемости композиционных радиоматериалов при достижении размеров частиц активной фазы нанометровой области / В. И. Сусляев, Е. Ю. Коровин. - С.175-177
Кл.слова: гексаферриты, композиты, порошки
Ладур, Александр Анатольевич. СВЧ-зонды для измерения характеристик планарных элементов интегральных схем / А. А. Ладур. - С.178-179
Кл.слова: конструкция, моделирование, коэффициенты
Ерофеев, Евгений Викторович. Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором / Е. В. Ерофеев, В. А. Кагадей, С. В. Ишуткин. - С.183-186
Кл.слова: контакты, металлизация, литография
Усов, Сергей Петрович. Датчик газообразных углеводородов на основе пористой пленки SiO2+C нанометровой толщины / С. П. Усов, Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян. - С.187-190
Кл.слова: углерод, кремний, сенсоры
Федоров, Юрий Владимирович. HEMT на гетероструктурах In0,52Al0,48As/In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц / Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Д. Л. Гнатюк. - С.191-197
Кл.слова: эпитаксия, спектры, литография
Сусляев, Валентин Иванович. Защитные композиционные экраны на основе нанопорошков гексаферритов для снижения влияния СВЧ-излучения / В. И. Сусляев, Г. Е. Кулешов. - С.198-200
Кл.слова: телефоны, поглотители, резонаторы
Казимиров, Артем Игоревич. Исследование гетероструктур на основе слоев с широкой запрещенной зоной / А. И. Казимиров, Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян. - С.201-203
Кл.слова: кремний, наноструктуры, пленки
Саврук, Елена Владимировна. Нанотекстурирование поверхности алюмооксидной керамики с помощью лазерных и электронных пучков / Е. В. Саврук. - С.204-206
Кл.слова: состав, перекристаллизация, микроскопия
Пономарев, Сергей Васильевич. Анализ влияния технологического процесса изготовления многослойных интегральных схем на основе керамики с низкой температурой обжига на результаты моделирования напряженно-деформированного состояния модулей для бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Обзор / С. В. Пономарев, С. Б. Сунцов. - С.207-209
Кл.слова: технологии, аппаратура, ламинирование
Миронов, Михаил Владимирович. Способ аппроксимации диаграммы направленности антенной системы космического аппарата по сигналам наземной контрольно-юстировочной станции / М. В. Миронов, Е. П. Ворошилин. - С.213-219
Кл.слова: радиомониторинг, пеленгование, ошибки
Мещеряков, Александр Алексеевич. Сравнение эффективности методов оценки пеленга устройствами со слабонаправленными антеннами в условиях пересеченной местности / А. А. Мещеряков, М. В. Крутиков, В. Ю. Куприц. - С.220-224
Кл.слова: пеленгаторы, диаграммы, переотражения
Куприц, Владимир Юрьевич. Оценка эффекта подавления паразитного излучения широкополосной спиральной антенны методом изменения ширины полоска / В. Ю. Куприц, А. А. Мещеряков, М. В. Крутиков. - С.225-228
Кл.слова: диаграммы, гармоники, модели
Алексеев, Валерий Павлович. Численное моделирование напряженно-деформированных состояний модуля из низкотемпературной совместно-обжигаемой керамики вследствие тепловых режимов работы бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Часть 1. Постановка задачи. Подготовка к моделированию / В. П. Алексеев, В. М. Карабан, С. В. Пономарев. - С.229-231
Кл.слова: надежность, отказы, расчеты
Алексеев, Валерий Павлович. Численное моделирование напряженно-деформированных состояний модуля из низкотемпературной совместно-обжигаемой керамики вследствие тепловых режимов работы бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Часть 2. Проведение численного моделирования / В. П. Алексеев, В. М. Карабан, С. В. Пономарев. - С.232-235
Кл.слова: расчеты, температура, долговечность
Терехов, Александр Викторович. Алгоритм оптимизации высот подвеса антенн в сетях с топологией "звезда" / А. В. Терехов, Ю. А. Шурыгин. - С.236-243
Кл.слова: радиосвязь, расчеты, функции
Ненашев, Александр Сергеевич. Сходимость метода последовательных приближений при моделировании нелинейных радиотехнических устройств. Метод простой итерации / А. В. Ненашев. - С.244-248
Кл.слова: функции, уравнения, преобразователи
Деева, Вера Степановна. Траекторное рассеяние фракций скользящего контакта / В. С. Деева. - С.249-254
Кл.слова: щетки, скольжение, разрушение
Миронова, Валентина Григорьевна. Предпроектное проектирование информационных систем персональных данных как этап аудита информационной безопасности / В. Г. Миронова, А. А. Шелупанов. - С.257-259
Кл.слова: угрозы, защищенность, обследования
Горюнова, Екатерина Сергеевна. Функциональная модель документационного обеспечения разработки и принятия управленческого решения / Е. С. Горюнова. - С.260-266
Кл.слова: документы, циклы, документоведение
Хлебус, Евгений Александрович. Распределенный аппаратно-программный комплекс мониторинга радиационной обстановки с Web-базированным доступом / Е. А. Хлебус, В. Я. Дурновцев. - С.267-271
Кл.слова: измерения, параметры, архитектура
Писаренко, Людмила Анатольевна. Математическая модель дихотомической классификации последовательностей знаков и ее техническая реализация / Л. А. Писаренко. - С.272-277
Кл.слова: дескрипторы, поиск, контроль
Рудаков, Дмитрий Владимирович. К вопросу о проектировании беспроводных локальных сетей WLAN / Д. В. Рудаков, В. П. Комагоров, О. Б. Фофанов. - С.278-282
Кл.слова: доступ, роуминг, коллизии
Силич, Виктор Алексеевич. Методы оценки актуальности научных публикаций на основе анализа интернет-обращений к научным порталам / В. А. Силич, А. О. Савельев, А. В. Марчуков. - С.283-287
Кл.слова: цитируемость, индексы, классификаторы
Винокуров, Владимир Михайлович. Маршрутизация в беспроводных мобильных Ad hoc-сетях / В. М. Винокуров, А. В. Пуговкин, А. А. Пшенников. - С.288-292
Кл.слова: протоколы, маршруты, моделирование
Пуговкин, Алексей Викторович. Математическая модель теплоснабжения помещений для АСУ энергосбережения / А. В. Пуговкин, С. В. Купреков, Д. В. Абушкин. - С.293-298
Кл.слова: температура, регулирование, эксперименты
Родин, Евгений Александрович. Схема адаптивной системы фильтрации сообщений на основе метода вывода по прецедентам / Е. А. Родин. - С.299-303
Кл.слова: управление, обучение, решения
Гончаров, Валерий Иванович. Интерполяционный синтез регуляторов систем автоматического управления на основе нулей полиномов Чебышева / В. И. Гончаров, Ф. Д. Нгуен. - С.304-309
Кл.слова: методы, задачи, решения
Титов, Сергей Сергеевич. Генерация неприводимых многочленов, связанных степенной зависимостью корней / С. С. Титов, А. В. Торгашова. - С.310-318
Кл.слова: кодирование, алгоритмы, коэффициенты
Окишев, Андрей Сергеевич. Применение обратной интерполяции в численных алгоритмах синтеза цифровых фильтров / А. С. Окишев. - С.319-323
Кл.слова: функции, оптимизация, последовательности
Мещеряков, Роман Валерьевич. Система оценки качества передаваемой речи / Р. В. Мещеряков. - С.324-329
Кл.слова: сигналы, слух, разборчивость
Криволапова, Людмила Ивановна. Показатели сложности контролируемых технологических переменных в задачах АСУ металлургическими объектами / Л. И. Криволапова, О. А. Кравцова. - С.330-335
Кл.слова: экстраполяция, структурирование, прогнозирование
Семиглазов, Анатолий Михайлович. Модель отбора новых идей для их реализации в инновационном бизнесе / А. М. Семиглазов, В. А. Семиглазов. - С.336-341
Кл.слова: выборка, оценка, приоритеты
Семиглазов, Анатолий Михайлович. Математическое моделирование рекламной кампании / А. М. Семиглазов, В. А. Семиглазов, К. И. Иванов. - С.342-349
Кл.слова: синергия, оптимизация, анализ
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободных экз. нет

Постоянная гиперссылка

11.

Шифр: Д301667/2010/2(22)Ч.1
Журнал

Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники: Периодический научный журнал.-2008. № 1 (17) . . - Томск : ТУСУР, 2008 - . - Выходит дважды в год
2010г. N 2(22)Ч.1

Содержание:
Ильин, Александр Алексеевич. Синтез топологии устройств формирования импульсов с заданными спектральными характеристиками на основе нерегулярных рельефных связанных микрополосковых линий / А. А. Ильин, Н. Д. Малютин, А. О. Мисюнас. - С.7-19
Кл.слова: анализ, устройства, конструкции
Бабак, Леонид Иванович. Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии / Л. И. Бабак, Ю. В. Федоров, М. В. Черкашин. - С.20-24
Кл.слова: усилители, копланарные усилители, автоматизированный синтез
Черкашин, Михаил Владимирович. Проектирование однокаскадного монолитного усилителя Ка-диапазона с использованием комплекса программ автоматизированного синтеза / М. В. Черкашин, А. А. Коколов, И. М. Добуш. - С.25-29
Кл.слова: копланарные усилители, транзисторы, моделирование
Черкашин, Михаил Владимирович. Автоматизированное проектирование двухкаскадного копланарного монолитного усилителя Ка-диапазона / М. В. Черкашин, А. А. Коколов, И. М. Добуш. - С.30-33
Кл.слова: копланарные усилители, моделирование, Ка-диапазон
Черкашин, Михаил Владимирович. Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30-37,5 ГГц на GaAs pHEMT-генероструктурах / М. В. Черкашин, И. М. Добуш, Л. И. Бабак. - С.34-37
Кл.слова: визуальное проектирование, транзисторы, моделирование
Добуш, Игорь Мирославович. Исследование копланарных элементов монолитных интегральных схем / И. М. Добуш, А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.38-41
Кл.слова: модели элементов, копланарные линии, копланарные резисторы
Добуш, Игорь Мирославович. Разработка монолитного ограничителя мощности Х-диапазона / И. М. Добуш. - С.42-43
Кл.слова: СВЧ, ограничители, интегральные схемы
Добуш, Игорь Мирославович. Обзор способов построения и схем СВЧ монолитных ограничителей мощности / И. М. Добуш. - С.44-48
Кл.слова: Шотки диоды, защитное устройство, диоды
Гнатюк, Дмитрий Леонидович. Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs pHEMT-гетероструктурах / Д. Л. Гнатюк, Ю. В. Федоров, Г. Б. Галиев. - С.49-55
Кл.слова: базовые транзисторы, топология усилителя, шумовые характеристики
Сусляев, Валентин Иванович. Электромагнитный отклик от композиционного материала на основе многостенных углеродных нанотрубок / В. И. Сусляев, В. Л. Кузнецов, И. Н. Мазов. - С.56-58
Кл.слова: коэффициент прохождения, электромагнитное излучение
Ющенко, Алексей Юрьевич. СВЧ псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков. - С.59-61
Кл.слова: малосигнальные модели, транзисторы
Ющенко, Алексей Юрьевич. Разработка элементной базы для создания СВЧ-модулей / А. Ю.А Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков. - С.62-66
Кл.слова: коммутатор мощности, защитное устройство, транзисторы
Литвиненко, Екатерина Сергеевна. Малошумящий усилитель диапазона 1-6 ГГц / Е. С Литвиненко. - С.67-69
Кл.слова: коэффициент шума, моделирование, коэффициент усиления
Мелкозеров, Александр Олегович. Структурная оптимизация многокаскадного модального фильтра по двум критериям / А. О. Мелкозеров, И. Е. Самотин, Р. И. Аширбакиев. - С.70-72
Кл.слова: целевые функции, фильтры, оптимизация
Сусляев, Валентин Иванович. Микроволновые характеристики композиционных материалов на основе нанопорошков гексаферритов / В. И. Сусляев, О. А. Доценко, А. Н. Бабинович. - С.73-75
Кл.слова: магнитная проницаемость, радиоматериалы, эпоксидная смола
Сычев, Александр Николаевич. Общие подходы к оптимальному проектированию интегральных СВЧ-устройств. Обзор / А. Н. Сычев. - С.76-80
Кл.слова: микроэлектроника СВЧ, САПР, математическая модель
Сычев, Александр Николаевич. Оптимальный синтез интегральных СВЧ-устройств на основе замещающего моделирования. Обзор / А. Н. Сычев, В. А. Шестаков. - С.81-85
Кл.слова: замещающая модель, нейронные сети, метод моделирования
Арыков, Вадим Станиславович. Разработка мощных полевых транзисторов с субмикронным Т-образным затвором Шотки полученным методом оптической литографии / В. С. Арыков, А. М. Гаврилова. - С.86-88
Кл.слова: полевые транзисторы, метод, напыление
Абрамов, Алексей Олегович. Программа INDESYS-MB для построения моделей элементов СВЧ монолитных интегральных схем на основе многомерных полиномов / А. О. Абрамов, Л. И. Бабак, И. М. Добуш. - С.89-92
Кл.слова: аппроксимация, алгоритмы, САПР
Бабак, Леонид Иванович. Разработка интеллектуальной системы автоматизированного проектирования СВЧ-устройств INDESYS / Л. И. Бабак, С. Ю. Дорофеев, М. А. Песков. - С.93-96
Кл.слова: генетические алгоритмы, САПР , визуальное проектирование
Дорофеев, Cергей Юрьевич. Пакет библиотек для автоматизации электротехнических отделов Rubius Electric Suite / С. Ю. Дорофеев, А. Н. Кураколов. - С.97-100
Кл.слова: линия электропередачи, система молниезащиты, AutoCAD
Коколов, Андрей Александрович. Разработка копланарного монолитного усилителя Ка-диапазона со сложением мощности / А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.101-104
Кл.слова: автоматизированный синтез, модель транзистора, СВЧ
Мокеров, Владимир Григорьевич. Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0.15 мкм GaAs pHEMT-технологии / В. Г Мокеров, Л. И. Бабак, Ю. В. Федоров. - С.105-117
Кл.слова: автоматизированный синтез, визуальное проектирование, усилители
Коколов, Андрей Александрович. Обзор математических моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов / А. А. Коколов, Ф. И. Шеерман, Л. И. Бабак. - С.118-123
Кл.слова: нелинейная модель, СВЧ-устройства, малосигнальная модель
Teyssier, Jean-Pierre. Characterization of high power microwave transistors / J. -P. Teyssier. - С.127-136
Кл.слова: microwave measurements, characterization, transistors
Баров, Александр Анатольевич. Восстановление нелинейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора / А. А. Баров, Ю. Н. Бидненко, А. В. Кондратенко. - С.137-139
Кл.слова: параметры рассеяния, нелинейная модель, вольт-амперные характеристики
Сальников, Андрей Сергеевич. Автоматизация зондовых измерений параметров рассеяния и вольтамперных характеристик транзисторов с использованием программной среды Indesys-MS / А. С. Сальников, И. М. Добуш, С. Е. Кошевой. - С.140-144
Кл.слова: программное обеспечение, СВЧ-измерения, параметры рассеяния
Сальников, Андрей Сергеевич. Обзор тестовых структур для измерения электрофизических параметров материалов при изготовлении СВЧ монолитных интегральных схем / А. С. Сальников, А. Ю Ющенко. - С.145-148
Кл.слова: контроль технологии, микроэлектроника, параметрический контроль
Коколов, Андрей Александрович. Методика построения нелинейной модели EEHEMT для гетероструктурных полевых СВЧ- транзисторов / А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.149-152
Кл.слова: переменный ток, монолитные интегральные схемы, нелинейные модели
Коколов, Андрей Александрович. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов / А. А. Коколов, Л. И. Бабак. - С.153-156
Кл.слова: экстракция, транзисторы, СВЧ
Сальников, А. С. Разработка библиотеки элементов для проектирования отечественных гетероструктурных СВЧ МИС в среде Micrwave Office / А. С. Сальников, А. А. Коколов, Ф. И. Шеерман. - С.157-160
Кл.слова: моделирование, интегральные схемы, топология копланарных схем
Лощилов, Антон Геннадьевич. Экспериментальная установка для исследования характеристик нелинейности СВЧ- цепей в режиме сверхширокополосного импульсного воздействия / А. Г. Лощилов, Э. В. Семенов, Н. Д. Малютин. - С.161-165
Кл.слова: Шотки диод, метод нелинейной рефлектометрии, диапазон измерений
Лощилов, Антон Геннадьевич. Разработка устройств обработки сверхширокополосных импульсных сигналов для исследования нелинейных свойств объектов методом нелинейной рефлектометрии / А. Г. Лощилов, Э. В. Семенов, Н. Д. Малютин. - С.166-170
Кл.слова: импульсное воздействие, формирователь, СВЧ-цепи
Семенов, Эдуард Валерьевич. Моделирование нелинейности преобразования видеоимпульсных сигналов полупроводниковым диодом / Э. В. Семенов, Т. Х. Бибиков, Н. Д. Малютин. - С.171-174
Кл.слова: погрешности моделирования, САПР, диоды
Сусляев, Валентин Иванович. Оценка эффективной магнитной проницаемости композиционных радиоматериалов при достижении размеров частиц активной фазы нанометровой области / В. И. Сусляев, Е. Ю. Коровин. - С.175-177
Кл.слова: гексаферриты, наноразмерные частицы, магнитное поле
Ладур, Александр Анатольевич. СВЧ-зонды для измерения характеристик планарных элементов интегральных схем / А. А. Ладур. - С.178-179
Кл.слова: зондовая станция, СВЧ, копланарная линия
Ерофеев, Евгений Викторович. Разработка бездрагметального GaAs pHEMT- транзистора с субмикронным Т-образным затвором / Е. В. Ерофеев, В. А. Кагадей, С. В. Ишуткин. - С.183-186
Кл.слова: омический контакт, Т-затвор, молекулярно-лучевая литография
Усов, Сергей Петрович. Датчики газообразных углеводородов на основе пористой пленки SiO+C нанометровой толщины / С. П. Усов, Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян. - С.187-190
Кл.слова: чувствительный элемент, углерод, диоксид кремния
Федоров, Юрий Владимирович. HEMT на гетероструктурах In_0,52Al_0,48As/In_0,53Ga_0,47As/In_0,52Al_0,48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц / Ю. В. Федоров, М. Ю. Щербакова, Д. Л. Гнатюк. - С.191-197
Кл.слова: изоморфные гетероструктуры, Холловские параметры, молекулярно-лучевая эпитаксия
Сусляев, Валентин Иванович. Защитные композиционные экраны на основе нанопорошков гексаферритов для снижения влияния СВЧ-излучения / В. И. Сусляев, Г. Е. Кулешов. - С.198-200
Кл.слова: композит, электромагнитное излучение, мобильные телефоны
Казимиров, Артем Игоревич. Исследование гетероструктур на основе слоев с широкой запрещенной зоной / А. И. Казимиров, Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян. - С.201-203
Кл.слова: диоксид кремния, вольт-амперные характеристики, пленки
Саврук, Елена Владимировна. Нанотекстурирование поверхности алюмооксидной керамики с помощью лазерных и электронных пучков / Е. В. Саврук. - С.204-206
Кл.слова: наноструктуры, нанотекстурирование, фазовый состав
Пономарев, Сергей Васильевич. Анализ влияния технологического процесса изготовления многослойных интегральных схем на основе керамики с низкой температурой обжига на результаты моделирования напряженно-деформированного состояния модулей для бортовой радиоэлектронной аппаратуры Обзор / С. В. Пономарев, С. Б. Сунцов. - С.207-209
Кл.слова: керамические листы, обжиг, сверхвысокочастотная техника
Миронов, Михаил Владимирович. Способ аппроксимации диаграммы направленности антенной системы космического аппарата по сигналам наземной контрольно-юстировочной станции / М. В. Миронов, Е. П. Ворошилин. - С.213-219
Кл.слова: аппроксимация, матрицы , ошибки аппроксимации
Мещеряков, Александр Алексеевич. Сравнение эффективности методов оценки пеленга устройствами со слабонаправленными антеннами в условиях пересеченной местности / А. А. Мещеряков, М. В. Крутиков, В. Ю. Куприц. - С.220-224
Кл.слова: амплитудные пеленгаторы, малогабаритные антенны, антенные системы
Куприц, Владимир Юрьевич. Оценка эффекта подавления паразитного излучения широкополосной спиральной антенны методом изменения ширины полосы / В. Ю. Куприц, А. А. Мещеряков, М. В. Крутиков. - С.225-228
Кл.слова: спираль, Фурье ряды, широкополосность
Алексеев, Валерий Павлович. Численное моделирование напряженно-деформированных состояний модуля из низкотемпературной совместно-обжигаемой керамики вследствие тепловых режимов работы бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Часть 1. Постановка задачи. Подготовка к моделированию / В. П. Алексеев, В. М. Карабан, С. В. Пономарев. - С.229-231
Кл.слова: тепловые режимы, керамика низкотемпературная, модули
Алексеев, Валерий Павлович. Численное моделирование напряженно-деформированных состояний модуля из низкотемпературной совместно-обжигаемой керамики вследствии тепловых режимов работы бортовой радиоэлектронной аппаратуры. Часть 2. Проведение численного моделирования / В. П. Алексеев, В. М. Карабин, С. В. Пономарев. - С.232-235
Кл.слова: тепловые режимы, моделирование численное, модуль
Терехов, Александр Викторович. Алгоритм оптимизации высот подвеса антенн в сетях с топологией звезда / А. В. Терехов, Ю. А. Шурыгин. - С.236-243
Кл.слова: оптимизация, функции, математическая модель
Ненашев, Александр Васильевич. Сходимость метода последовательных приближений при моделировании нелинейных радиотехнических устройств Метод простой итерации / А. В. Ненашев. - С.244-248
Кл.слова: нелинейные устройства, моделирование , Липшица условие
Деева, Вера Степановна. Траекторное рассеяние фракций скользящего контакта / В. С. Деева. - С.249-254
Кл.слова: модель разрушения, фракция , щетки электрической машины
Миронова, Валентина Григорьевна. Предпроектное проектирование информационных систем персональных данных как этап аудита информационной безопасности / В. Г. Миронова, А. А. Шелупанов. - С.257-259
Кл.слова: аудит, автоматизированные системы, персональные данные
Горюнова, Екатерина Сергеевна. Функциональная модель документационного обеспечения разработки и принятия управленческого решения / Е. С. Горюнова. - С.260-266
Кл.слова: функция Планирование, функция Мониторинг, управленческое решение
Хлебус, Евгений Александрович. Распределенный аппаратно-программный комплекс мониторинга радиационной обстановки с Web-базированным доступом / Е. А. Хлебус, В. Я. Дурновцев. - С.267-271
Кл.слова: радиационный мониторинг, Web-сайт, Интернет
Писаренко, Людмила Анатольевна. Математическая модель дихотомической классификации последовательностей знаков и ее техническая реализация / Л. А. Писаренко. - С.272-277
Кл.слова: информационный поиск, дескриптор, кодирование
Рудаков, Дмитрий Владимирович. К вопросу о проектировании беспроводных локальных сетей WLAN / Д. В. Рудаков, В. П. Комагоров, О. Б. Фофанов. - С.278-282
Кл.слова: точка доступа, роуминг, локальные сети
Силич, Виктор Алексеевич. Методы оценки актуальности научных публикаций на основе анализа интернет-обращений к научным порталам / В. А. Силич, А. О. Савельев, А. В. Марчуков. - С.283-287
Кл.слова: индекс цитируемости, наивный байесовский классификатор
Винокуров, Владимир Михайлович. Маршрутизация в беспроводных мобильных Ad hoc-сетях / В. М. Винокуров, А. В. Пуговкин, А. А. Пшенников. - С.288-292
Кл.слова: имитационное моделирование, протокол маршрутизации, модель канала
Пуговкин, Алексей Викторович. Математическая модель теплоснабжения помещений для АСУ энергосбережения / А. В. Пуговкин, С. В. Купреков, Д. В. Абушкин. - С.293-297
Кл.слова: компьютерная модель, тепловая энергия, мониторинг
Родин, Евгений Александрович. Схема адаптивной системы фильтрации сообщений на основе метода вывода по прецедентам / Е. А. Родин. - С.299-303
Кл.слова: прецеденты, адаптивные системы, обратная связь
Гончаров, Валерий Иванович. Интерполяционный синтез регуляторов систем автоматического управления на основе нулей полиномов Чебышева / В. И. Гончаров, Ф. Д. Нгуен. - С.304-309
Кл.слова: интерполяционный метод, коэффициент регулятора, синтез регуляторов
Титов, Сергей Сергеевич. Генерация неприводимых многочленов связанных степенной зависимостью корней / С. С. Титов, А. В. Торгашова. - С.310-318
Кл.слова: коэффициент, степень многочлена, сравнимость по модулю
Окишев, Андрей Сергеевич. Применение обратной интерполяции в численных алгоритмах синтеза цифровых фильтров / А. С. Окишев. - С.319-323
Кл.слова: порядок сходимости, цифровые фильтры, итерационные алгоритмы
Мещеряков, Роман Валерьевич. Система оценки качества передаваемой речи / Р. В. Мещеряков. - С.324-329
Кл.слова: речевой сигнал, алгоритмическое обеспечение, программное обеспечение
Криволапова, Людмила Ивановна. Показатели сложности контролируемых технологических переменных в задачах АСУ металлургическими объектами / Л. И. Криволапова, О. А. Кравцова. - С.330-335
Кл.слова: структурирование, экстраполяция, индекс вариации
Семиглазов, Анатолий Михайлович. Модель отбора новых идей для их реализации в инновационном бизнесе / А. М. Семиглазов, В. А. Семиглазов. - С.336-341
Кл.слова: объем выборки, число сочетаний, гипергеометрическое распределение
Семиглазов, Анатолий Михайлович. Математическое моделирование рекламной кампании / А. М. Семиглазов, В. А. Семиглазов, К. И. Иванов. - С.342-349
Кл.слова: реклама, математическая модель, эффективность
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)
Перейти к описаниям статей

Постоянная гиперссылка

12.

621.315
Ж 681

    Жигальский, Александр Анатольевич.
    Технология материалов электронной техники : Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов / А. А. Жигальский ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра физической электроники. - Томск : ТУСУР, 2006. - 49 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 39. - 29.48 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.315.5/61(076)
~РУБ 621.315

Кл.слова (ненормированные):
учебные пособия -- методические пособия -- самостоятельные работы -- материалы -- электронная техника -- твердые тела -- тепловые процессы -- диффузия -- газовая динамика -- химическая кинетика -- адсорбция -- жидкостная экстракция -- эпитаксия кремния -- перегонка -- кристаллизация
Доп.точки доступа:
Федеральное агентство по образованию
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Кафедра физической электроники

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (3 экз.)
Свободны: аунл (3)
Постоянная гиперссылка

13.

538
З-560

    Зенгуил, Эндрью.
    Физика поверхности / Э. Зенгуил ; пер. : С. А. Венкстерн, П. К. Кашкаров, Г. С. Плотников ; ред. пер. : В. Ф. Киселев. - М. : Мир, 1990. - 536 с. : рис. - Пер. с англ. - Библиогр. в конце глав. - Библиогр.: с. 512-528. - Предм. указ.: с. 529-532. - ISBN 5-03-001599-X : 4.90 р., 04.90 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
538.971
~РУБ 538

Кл.слова (ненормированные):
УЧЕБНЫЕ ИЗДАНИЯ -- ТЕРМОДИНАМИКА -- ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ -- ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- АДСОРБЦИЯ -- КИНЕТИКА -- ДИНАМИКА -- ЭПИТАКСИЯ
Доп.точки доступа:
Венкстерн, С. А. \пер.\
Кашкаров, П. К. \пер.\
Плотников, Г. С. \пер.\
Киселев, В. Ф. \ред.\

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (2 экз.)
Свободны: аунл (2)
Постоянная гиперссылка

14.

А
К 492

    Климов, Евгений Александрович.
    Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01 / Е. А. Климов ; науч. рук. Г. Б. Галиев ; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (М.). - М., 2012. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.793.162:621.315.592.3(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- АВТОРЕФЕРАТЫ
Доп.точки доступа:
Галиев, Галиб Бариевич \науч. рук.\
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (М.)

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

15.

621.282
К 934

    Курносов, Анатолий Иванович.
    Технология производства полупроводниковых приборов [Текст] : учебник / А. И. Курносов, В. В. Юдин. - Л. : Судостроение, 1965. - 248 с : рис., табл. - Библиогр.: с. 244-245. - 00.65 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382(075)
~РУБ 621.282

Кл.слова (ненормированные):
УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ -- МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА -- ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА -- ВЫТЯГИВАНИЕ -- СПЛАВЛЕНИЕ -- ДИФФУЗИЯ -- ЭПИТАКСИЯ -- СПАИ -- ГЕРМЕТИЗАЦИЯ -- НАПЫЛЕНИЕ
Доп.точки доступа:
Юдин, Владимир Васильевич

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (2 экз.)
Свободны: аунл (2)
Постоянная гиперссылка

16.

621.382
К934

    Курносов, Анатолий Иванович.
    Технология производства полупроводниковых приборов : учебное пособие для вузов / А. И. Курносов, В. В. Юдин. - М. : Высшая школа, 1974. - 400 с. : ил. - Библиогр.: с. 397. - 01.02 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.002(07)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ФОТОГРАФИЯ -- СПЛАВЛЕНИЕ -- ДИФФУЗИЯ -- ЭПИТАКСИЯ -- ЭЛИОНИКА -- КОНДЕНСАЦИЯ -- ГЕРМЕТИЗАЦИЯ -- ИСПЫТАНИЯ
Доп.точки доступа:
Юдин, Владимир Васильевич

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (30 экз.), счз1
Свободны: аунл (30)
Постоянная гиперссылка

17.

Шифр: И517352/2010/1
Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2010г. N 1

Содержание:
Таланин, В. И. Моделирование кинетики процесса коалесценции первичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния / В. И. Таланин, И. Е. Таланин, А. И. Мазурский. - С.4-9
Кл.слова: микродефекты, кинетика, монокристаллы кремния
Гаврилов, В. А. Влияние параметров подачи реагентов на температуру кремниевых стержней в Сименс-процессе / В. А. Гаврилов, П. М. Гаврилов, П. П. Турчин. - С.10-13
Кл.слова: кремний, хлориды, инфракрасная область
Бузанов, О. А. Влияние условий получения на оптические спектры пропускания и электрофизические свойства кристаллов группы лантан-галлиевого силиката / О. А. Бузанов, Н. С. Козлов, Е. В. Забелина. - С.14-19
Кл.слова: лангатат, электропроводность, кристаллы
Магомедов, М. Н. О параметрах активационных процессов в алмазе, кремнии и германии / М. Н. Магомедов. - С.19-25
Кл.слова: алмазы, кремний, активационные процессы
Бровин, Д. С. Аспекты выбора размеров камеры реактора для роста поликристаллического кремния / Д. С. Бровин, А. А. Ловцюс, М. Э. Рудинский. - С.26-31
Кл.слова: Сименс-процесс, моделирование, теплоперенос
Синельников, Б. М. Моделирование процессов зарождения аморфных и кристаллических пленок алмазоподобных материалов / Б. М. Синельников, В. А. Тарала. - С.32-40
Кл.слова: моделирование, зародыши, пленки
Малинкович, М. Д. Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний-углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии / М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков. - С.41-45
Кл.слова: АСМ-изображение, СТМ-образ, зондовая микроскопия
Акчурин, Р. Х. Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек в гетероструктурах In_хGa_1-хAs/GaAs / Р. Х. Акчурин, Н. Т. Вагапова. - С.45-48
Кл.слова: индий, эпитаксия, рост
Приходько, А. В. Исследование структуры мультикристаллического кремния для фотоэлектрических преобразователей: проблема оценки размера зерен / А. В. Приходько. - С.49-55
Кл.слова: преобразователи, время жизни, межзеренные границы
Цыганков, В. Н. Термочувствительные свойства сегнетоэлектрических фаз PdA_0,5Nb_0,5O₃ (A = Fe, In, Co, Mn) / В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов, Е. В. Савинкина. - С.55-57
Кл.слова: температура, электросопротивление, датчики
Бублик, В. Т. Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi₂Te_2,7Se_0,3 на анизотропию физических свойств / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская. - С.58-62
Кл.слова: бриджмена метод, твердые растворы, материалы
Ильин, А. И. Получение монокристаллических ориентированных субмикронных структур из пленок Bi и Bi-Cb на подложках SiO₂/Si / А. И. Ильин, С. В. Дубонос, А. В. Черных. - С.63-67
Кл.слова: висмут, пленки, микроструктуры
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

18.

Шифр: И517352/2010/3
Журнал

Содержание:
Залетин, В. М. Широкозонные полупроводниковые соединения для детекторов рентгеновского и гамма-излучения / В. М. Залетин, В. П. Варварица. - С.4-13
Кл.слова: детекторы, кристаллы, соединения
Быткин, С. В. Сравнительный анализ электрофизических параметров монокристаллов кремния, подвергнутых длительному хранению при 300 К / С. В. Быткин, Т. В. Критская. - С.14-18
Кл.слова: кремний, монокристаллы, временная стабильность
Чигир, С. Н. Выращивание трубчатых монокристаллов кремния методом Чохральского / С. Н. Чигир, Т. Т. Кондратенко, И. В. Силаев. - С.18-24
Кл.слова: Чохральского метод, кремний, монокристаллы
Вайнтрауб, М. В. Влияние условий получения на механические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата / М. В. Вайнтрауб, Н. С. Козлова, М. И. Петржик. - С.25-29
Кл.слова: твердость, кристаллы, выращивание кристаллов
Сидиров, Н. В. Исследование фоторефрактивных свойств кристаллов LiNbO₃: Gd³⁺ методами фоторефрактивного и комбинационного рассеяния света / Н. В. Сидиров, А. В. Сюй, Е. А. Антонычева. - С.30-34
Кл.слова: дефекты, ниобат лития, рассеяние света
Цыганков, В. Н. Излучение электрофизических свойств твердых растворов в системах CeO₂-M_хO_у (M = Dy, Gd, Y, Yb) и CeO₂-Co (MgO, ZrO₂) / В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов. - С.35-36
Кл.слова: термочувствительность, электропроводность, датчики
Кольцов, Г. И. Исследование спектральных характеристик детекторов ядерных излучений на GaAs, полеченном методом хлоридной эпитаксии / Г. И. Кольцов, С. И. Диденко, А. В. Черных. - С.37-42
Кл.слова: арсенид галлия, детекторы, хлоридная эпитаксия
Белогорохов, А. И. Эпитаксиальные слои Pb_1-хSn_хTe для приемников терагерцового излучения / А. И. Белогорохов, А. А. Коновалов, Ю. Н. Пархоменко. - С.43-45
Кл.слова: полупроводники, жидкофазная эпитаксия, излучения
Курова, И. А. О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si : H / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт. - С.45-48
Кл.слова: кремний a-Si : H, фотопроводимость, пленки
Билалов, Б. А. Исследование электрических свойств анизотипных гетероструктур (SiC)_1-х(AIN)_х/SiC / Б. А. Билалов, М. К. Курбанов, А. А. Наджиев. - С.48-51
Кл.слова: туннелирование, носители заряда, гетероструктуры
Филимонов, С. Н. Влияние проницаемости края 2D-островка на переход от 2D- к 3D-росту / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье. - С.52-59
Кл.слова: гетероэпитаксия, островки, изломы
Бублик, В. Т. О механизме образования микродефектов в монокристаллах GaP / В. Т. Бублик, М. И. Воронова, Н. Ю. Табачкова. - С.60-63
Кл.слова: микродефекты, монокристаллы, галлий
Козловский, А. А. Термоэлектрические свойства керамик Er_1-хA_хCoO_3-δ и Ho_1-хA_хCoO_3-δ (A - Ca, Sr) / А. А. Козловский, В. Ф. Хирный, Т. Г. Дейнека. - С.64-69
Кл.слова: материалы, кобальтиты, Зеебека коэффициент
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

19.

Шифр: И517352/2011/3
Журнал

Содержание:
Орлов, А. Ф. Разработка ферромагнитных полупроводников для применения в спиновой электронике: состояние и перспективы / А. Ф. Орлов, И. В. Кулеманов, Ю. Н. Пархоменко. - С.4-12
Кл.слова: намагниченность, упорядочение, пленки
Газизов, И. М. Исследование ионной составляющей проводимости в кристаллах TiBr / И. М. Газизов, М. С. Кузнецов, И. С. Лисицкий. - С.13-20
Кл.слова: дефекты, вакансии, проводимость
Акчурин, Р. Х. Разработка основ капельного метода формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs применительно к условиям МОС-гидридной эпитаксии / Р. Х. Акчурин, И. А. Богинская, А. А. Мармалюк. - С.21-26
Кл.слова: гетероструктуры , полупроводники, эпитаксия
Горн, Д. И. Исследование спектров фотолюминесценции гетероструктур Cd_xHg_1-xTe с квантовыми ямами / Д. И. Горн, А. В. Войцеховский, И. И. Инжин. - С.26-29
Кл.слова: наногетероструктуры, квантование, рекомбинация
Акимов, А. И. Условия получения, кристаллическая структура и физические свойства пьезокерамики Pb(Nb_2/3Zn_1/3)O₃–Pb(Zr_1/2Ti_1/2)O₃ с низкими температурами синтеза и спекания / А. И. Акимов, Г. К. Савчук, А. К. Летко. - С.30-36
Кл.слова: диэлектрика, проницаемость, материаловедение
Уварова, Т. В. Широкозонные активные сферы на основе монокристалла BaY₂F₈ для ап-конверсионных твердотельных лазеров с диодной накачкой / Т. В. Уварова, А. А. Пушкарь. - С.36-41
Кл.слова: фториды, монокристаллы, конверсия
Рогалин, В. Е. Стойкость алмазной оптики в луче мощного волоконного лазера / В. Е. Рогалин, Е. Е. Ашкинази, А. Ф. Попович. - С.41-44
Кл.слова: поликристаллы, теплопроводность , зеркало
Канаева, Е. С. Исследование поверхности кремний-углеродных пленок с нанометровыми включениями на основе хрома и тантала методами сканирующей зондовой микроскопии / Е. С. Канаева, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко. - С.45-47
Кл.слова: электропроходимость, анизотропия, спектроскопия
Кожитов, Л. Ж. Синтез нанокомпозита FeNi₃/С из системы FeCl₃•6H₂O/NiCl₂•6H₂O/полиакрилонитрил при помощи нагрева инфракрасным излучением / Л. Ж. Кожитов, А. В. Костикова, В. В. Козлов. - С.48-52
Кл.слова: наночастицы, деструкция, полимеры
Малинкович, М. Д. Исследование спектральной зависимости коэффициента поглощения нелегированных кремний-углеродных пленок / М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, М. Л. Шупегин. - С.52-53
Кл.слова: полифенилметилсилоксан, бензол, кольца
Дмитриенко, А. О. Нанокристаллические электропроводные добавки для низковольтных экранов катодолюминесцентных дисплеев / А. О. Дмитриенко, В. П. Дмитриенко, Е. С. Сперанская. - С.54-58
Кл.слова: катодолюминесценция , люминофоры, нанокристаллы
Курова, И. А. О влиянии спектрального состава света на фотопроводимость слоистых пленок a-Si : H / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт. - С.59-62
Кл.слова: рекомбинация, галогены, температуры
Кузнецов, Г. Д. Электронная эмиссия в процессе реактивного ионно-лучевого травления материалов электронной техники / Г. Д. Кузнецов, А. С. Курочка, А. А. Сергиенко. - С.62-67
Кл.слова: электроны, спектры, монокристаллы
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

20.

Шифр: И517352/2011/4
Журнал

Содержание:
Сафаралиев, Г. К. Упругие и вязкоупругие свойства керамики на базе твердых растворов SiC-AIN / Г. К. Сафаралиев, Ш. Ш. Шабанов, Б. А. Билалов. - С.4-6
Кл.слова: карбид, кремний, спектроскопия
Портнов, О. Г. Анализ особенностей формирования монокристалла йодата лития при выращивании его на плоской затравке / О. Г. Портнов, Д. Г. Харламов. - С.7-12
Кл.слова: пирамиды, микропримеси, раствор
Жуков, Р. Н. Распространение поляризации сегнетоэлектрических зерен в электрически изолированных пленках ниобата лития / Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. Д. Малинкович. - С.12-16
Кл.слова: деполяризация , релаксация, микроскопия
Верезуб, Н. А. Особенности теплопереноса и легирования при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского из двойного тигля / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов. - С.17-21
Кл.слова: примеси, моделирование, диффузия
Антонов, П. В. Влияние формы дна тиглей на сопряженный конвективный теплообмен в методе Бриджмена / П. В. Антонов, С. В. Бердиников. - С.21-29
Кл.слова: расплав, кремний, кристаллизация
Тихов, С. В. Способ определения состояния поверхности раздела кремний-сапфир в тонких слоях кремний на сапфире / С. В. Тихов, Д. А. Павлов, Н. О. Кривулин. - С.29-31
Кл.слова: диод, фотоЭДС, поле
Войцеховский, А. В. Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-Cd_x1-xTe / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов
Кл.слова: дефекты, эпитаксия, электроны
Кучинская, П. А. Квантовые кольца SiGi на поверхности Si(100) / П. А. Кучинская, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев. - С.42-46
Кл.слова: германий, кремний, излучение
Пин, Лу. Оптимизация технологических режимов формирования газочувствительного нанокомпозитного материала на основе полиакрилонитрила методом нейросетевого моделирования / Л. Пин, Т. В. Семенистая, К. А. Агабекян. - С.46-49
Кл.слова: сенсор, нейроны, лампы
Пархоменко, Ю. Н. Свойства нанокремения, полученного плазмохимическим разложением моносилана в мироволновом разряде / Ю. Н. Пархоменко, А. А. Полисан, Е. А. Скрылова. - С.50-56
Кл.слова: конфайнмент, фотолюминесценция, электроны
Гочуа, К. В. Изучение закономерностей формирования и влияния структуры на свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb полученных методом экструзии / К. В. Гочуа. - С.62-66
Кл.слова: теллурид, текстура, зерна
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

1-20 21-40 41-60 61-72

Статистика за 08.07.2024
Число запросов	114997
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)