Библиотека ТУСУРа

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2013г. N 6

Содержание:
Гончаров, В. А. Численное моделирование влияния нестационарных условий на образование концентрационных полос роста при выращивании кристаллов методом Бриджмена / В. А. Гончаров, А. Н. Дормидонтов. - С.3 - 9
Кл.слова: микросегрегация, полоса роста, метод Бриджмена
Новак, А. В. Формирование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами для кондесаторных структур с повышенной емкостью / А. В. Новак. - С.10 - 16
Кл.слова: HSG - Si - пленка, АСМ, LPCVD
Быстрицкий, С. А. Кольцевой генератор, управляемый напряжением, для высокоскоростных систем ФАПЧ / С. А. Быстрицкий, В. И. Клюкин, Е. Н. Бормонтов. - С.17 - 23
Кл.слова: генератор, фазовый шум, автоподстройка
Лосеев, В. В. Схемотехнические способы реализации метода импульсной подкачки мощности в многофазных адиабатических драйверах резонансного типа / В. В. Лосеев, Т. Ю. Крупкина, Ю. А. Чаплыгин. - С.24 - 30
Кл.слова: резонанс, энергопотребление, компаратор
Герасименко, Н. Н. Влияние размерных эффектов на радиационную стойкость нанокристаллических материалов / Н. Н. Герасименко, Д. И. Смирнов, Н. А. Медетов. - С.31 - 38
Кл.слова: наноструктура, ионное облучение, кремний
Громов, Д. Г. Емкостные свойства конденсаторной структуры с двойным электрическим слоем на основе углеродных нанотрубок и ортофосфорной кислоты / Д. Г. Громов, В. А. Галперин, А. Е. Миронов. - С.39 - 44
Кл.слова: суперкондесатор, нанотрубка, химическое осаждение
Назаров, Л. Е. Алгоритмы компенсации сосредоточенных по спектру помех для сигналов с ортогональным частотным мультиплексированием / Л. Е. Назаров, А. С. Зудилин. - С.45 - 51
Кл.слова: OFDM - сигнал, спектр помех, компенсация
Куденко, И. В. Синтез структурной схемы Территориально - распределенной информационно - управляющей вычислительной системы реального времени на базе ЛВС Ethernet и EtherCAT / И. В. Куденко, С. В. Скляров, А. А. Шишкевич. - С.52 - 61
Кл.слова: устройство , алгоритм синтеза, обмен
Матвеев, В. А. Методы и алгоритмы оптимизации оперативного и календарного планирования производственного процесса сборки и испытаний микросхем / В. А. Матвеев. - С.62 - 69
Кл.слова: алгоритм, планирование, параметр
Горохов, С. В. Выбор параметров синхронизации системы связи с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты / С. В. Горохов, А. В. Пименов, А. В. Шарамок. - С.70 - 75
Кл.слова: псевдослучайность, синхронизация, моделирование
Балабанов, А. А. Анализ импульсных генераторов с одним реактивным элементом / А. А. Балабанов, С. Н. Кузнецов. - С.76 - 81
Кл.слова: фаза, импульс, вольт - амперная характеристика
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

    Величко, Александр Андреевич.
    Получение структур CaF{\dn\fs10 2}/Si(100) методом твердофазной эпитаксии [Текст] / А. А. Величко, В. А. Илюшин, Н. И. Филимонова // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2012. - N 1(25)Ч1. - С. 47-51 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
МЛЭ -- АСМ -- кремний -- фторид кальция -- морфология поверхности -- кремний на изоляторе -- КНИ -- микроэлектроника -- наноэлектроника -- эксперименты

Доп.точки доступа:
Илюшин, Владимир Александрович
Филимонова, Нина Ивановна

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2012_velichko_1_9.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

Шифр: И517352/2010/1
Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2010г. N 1

Содержание:
Таланин, В. И. Моделирование кинетики процесса коалесценции первичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния / В. И. Таланин, И. Е. Таланин, А. И. Мазурский. - С.4-9
Кл.слова: микродефекты, кинетика, монокристаллы кремния
Гаврилов, В. А. Влияние параметров подачи реагентов на температуру кремниевых стержней в Сименс-процессе / В. А. Гаврилов, П. М. Гаврилов, П. П. Турчин. - С.10-13
Кл.слова: кремний, хлориды, инфракрасная область
Бузанов, О. А. Влияние условий получения на оптические спектры пропускания и электрофизические свойства кристаллов группы лантан-галлиевого силиката / О. А. Бузанов, Н. С. Козлов, Е. В. Забелина. - С.14-19
Кл.слова: лангатат, электропроводность, кристаллы
Магомедов, М. Н. О параметрах активационных процессов в алмазе, кремнии и германии / М. Н. Магомедов. - С.19-25
Кл.слова: алмазы, кремний, активационные процессы
Бровин, Д. С. Аспекты выбора размеров камеры реактора для роста поликристаллического кремния / Д. С. Бровин, А. А. Ловцюс, М. Э. Рудинский. - С.26-31
Кл.слова: Сименс-процесс, моделирование, теплоперенос
Синельников, Б. М. Моделирование процессов зарождения аморфных и кристаллических пленок алмазоподобных материалов / Б. М. Синельников, В. А. Тарала. - С.32-40
Кл.слова: моделирование, зародыши, пленки
Малинкович, М. Д. Структура поверхности нанокомпозитов на основе кремний-углеродной матрицы, выявленная методами сканирующей зондовой микроскопии / М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Д. С. Поляков. - С.41-45
Кл.слова: АСМ-изображение, СТМ-образ, зондовая микроскопия
Акчурин, Р. Х. Расчетная оценка условий формирования бездефектных квантовых точек в гетероструктурах In_хGa_1-хAs/GaAs / Р. Х. Акчурин, Н. Т. Вагапова. - С.45-48
Кл.слова: индий, эпитаксия, рост
Приходько, А. В. Исследование структуры мультикристаллического кремния для фотоэлектрических преобразователей: проблема оценки размера зерен / А. В. Приходько. - С.49-55
Кл.слова: преобразователи, время жизни, межзеренные границы
Цыганков, В. Н. Термочувствительные свойства сегнетоэлектрических фаз PdA_0,5Nb_0,5O₃ (A = Fe, In, Co, Mn) / В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов, Е. В. Савинкина. - С.55-57
Кл.слова: температура, электросопротивление, датчики
Бублик, В. Т. Влияние условий выращивания слитков твердых растворов Bi₂Te_2,7Se_0,3 на анизотропию физических свойств / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, Е. А. Выговская. - С.58-62
Кл.слова: бриджмена метод, твердые растворы, материалы
Ильин, А. И. Получение монокристаллических ориентированных субмикронных структур из пленок Bi и Bi-Cb на подложках SiO₂/Si / А. И. Ильин, С. В. Дубонос, А. В. Черных. - С.63-67
Кл.слова: висмут, пленки, микроструктуры
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

    Медведева, В. С.
    Исследование пленок диэлектриков нанометровой толщины методами АСМ : материалы доклада / В. С. Медведева // Научная сессия ТУСУР-2009. - Томск : В-Спектр, 2009. - Ч. 2. - С. 28-30 : ил. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2009_medvedeva_040609.pdf или скачать
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : аунл (1)
Свободны: аунл (1)

Постоянная гиперссылка

Статистика за 17.07.2024
Число запросов	79985
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)