Поисковый запрос: (<.>A=Войцеховский, Александр Васильевич$<.>) |
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Светодиодные структуры InGaN/GaN, изготовленные методом газофазной эпитаксии из металлорганичеких соединений
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 151-153 (
экз. )
|
2.
| Горн, Дмитрий Игоревич. Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск
, 2012. - 18 с. (
1 экз. )
|
3.
| Войцеховский, Александр Васильевич. Наблюдение и анализ излучения в диапазоне 2,5-6 мкм в одиночной квантовой яме Cd0,24Hg0,76Te толщиной 12,5 нм при оптической накачке
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 142-146 (
экз. )
|
4.
| Войцеховский, Александр Васильевич. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников : научное издание. - Томск : Радио и связь
, 1990. - 327, [1] с. (
3 экз. )
|
5.
| Дзядух, Станислав Михайлович. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск
, 2010. - 18 с. (
1 экз. )
|
6.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2011г. N 7 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
7.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2020г. N 3 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
8.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - Журнал, 2011г. N 2(24)Ч.2 (Введено оглавление) (
2 экз. )
|
9.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2011г. N 10 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
10.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2020г. N 6 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
11.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2010г. N 4 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
12.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2010г. N 2 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
13.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2011г. N 3 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
14.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2010г. N 9 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
15.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2015г. N 7 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
16.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2015г. N 4 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
17.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2016г. N 7 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
18.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2016г. N 2 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
19.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2014г. N 11 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
20.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2017г. N 2 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный