Поисковый запрос: (<.>A=Ерофеев, Е. В.$<.>) |
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Гарипов, Иван Фаритович. Конструкторско-технологическое обеспечение производства изделий микроэлектроники и микросистемной техники : учебное пособие. - Томск : Издательство ТУСУРа
, 2023. - 148 с. (
15 экз. )
|
2.
| Научная сессия ТУСУР - 2017 [] : материалы Международной науч.-технической конф. студентов, аспирантов и молодых ученых, посвящ. 55-летию ТУСУРа 10-12 мая 2017 г., г. Томск. В восьми частях / Минобрнауки России, ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). Ч. 2
, 2017. - 272 с. (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
3.
| Ерофеев Е. В. Разработка бездрагметальной технологии изготовления GAAS СВЧ наногетеротранзисторов с рабочими частотами выше 100 ГГц при использовании обработки в потоке атомарного водорода : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2011. - Томск : В-Спектр. - Ч. 5. - С.170-175 (
экз. )
|
4.
| Казимиров А. И. Низкотемпературная диффузия меди в германии, стимулированная атомарным водородом : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2011. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.16-19 (
экз. )
|
5.
| Ерофеев Е. В. Влияние атомарного водорода на процесс формирования омических контактов Cu/Ge к GaAs : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.11-14 (
экз. )
|
6.
| Ишуткин С. В. Влияние халькогенизации поверхности GaAs на параметры омических контактов AuGeNi : материалы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2009. - Томск : В-Спектр, 2009. - Ч. 2.. - С.19-21 (
1 экз. )
|
7.
| Ерофеев Е. В. Разработка омических и барьерных контактов транзисторов с высокой подвижностью электронов с улучшенными параметрами для комплекта СВЧ интегральных схем приемопередаточных модулей АФАР : материалы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2009. - Томск : В-Спектр, 2009. - Ч. 2.. - С.14-16 (
1 экз. )
|
8.
| Носаева К. С. Исследование возможности улучшения омических контактов AUGENI : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2008. - Томск : В-Спектр, 2008. - Ч. 1. - С.236-239. (
экз. )
|
9.
| Ишуткин С. В. Влияние халькогенизации поверхности GaAs на параметры барьерных контактов Ti/Au : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2008. - Томск : В-Спектр, 2008. - Ч. 1. - С.229-231. (
экз. )
|
10.
| Ерофеев Е. В. Экспериментальное исследование магнитоизолированного диода с диэлектрическим анодом : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2006. - Томск, 2006. - Ч. 1. - С.308-312 (
экз. )
|
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный