Поисковый запрос: (<.>K=МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10 |
1.
| Горн, Дмитрий Игоревич. Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск
, 2012. - 18 с. (
1 экз. )
|
2.
| Климов, Евгений Александрович. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01. - М.
, 2012. - 18 с. (
1 экз. )
|
3.
| Дзядух, Станислав Михайлович. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск
, 2010. - 18 с. (
1 экз. )
|
4.
| Орликов, Леонид Николаевич. Молекулярно-лучевая эпитаксия : Учебное пособие. - Томск : ТУСУР
, 2007. - 107 с. (
48 экз. )
|
5.
| Нанотехнологии в полупроводниковой электронике : Коллективная монография. - Новосибирск : Издательство СО РАН
, 2004. - 367[1] с. (
10 экз. )
|
6.
| Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры : пер. с англ.. - М. : Мир
, 1989. - 582, [2] с. (
1 экз. )
|
7.
| Попов, Владимир Федорович. Процессы и установки электронно-ионной технологии : учебное пособие для вузов. - М. : Высшая школа
, 1988. - 256 с. (
4 экз. )
|
8.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники: Периодический научный журнал.-2008. № 1 (17) . - Журнал. , 2010г. N 2(22)Ч.1 (Введено оглавление) (
2 экз. )
|
9.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2010г. N 9 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
10.
| HEMT на гетероструктурах In0,52Al0,48As/In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 191-197 (
экз. )
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный