Поисковый запрос: (<.>K=ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ<.>) |
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9 |
1.
| Федин, Иван Владимирович. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04. - Томск : б. и.
, 2019. - 21 с. (
2 экз. )
|
2.
| Федин, Иван Владимирович. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04. - Томск : б. и.
, 2019. - 147 с. (
1 экз. )
|
3.
| Ишуткин, Сергей Владимирович. Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu : дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. - Томск
, 2016. - 207 с. (
1 экз. )
|
4.
| Ишуткин, Сергей Владимирович. Разработка технологии и создание монолитного GaAs СВЧ малошумящего усилителя с металлизацией на основе пленок AI и Cu : автореф. дис. на соиск. ученой степ. канд. технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. - Томск
, 2016. - 22 с. (
2 экз. )
|
5.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2015г. т.20 N 2 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
6.
|
Материалы электронной техники. - Журнал. Известия ВУЗов, 2014г. N 2 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
7.
| Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления : Пер. с англ.. - М. : Радио и связь
, 1988. - 494[2] с. (
23 экз. )
|
8.
| Влияние конструкции полупроводникового кристалла на характеристики излучающих диодов : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч.1. - С.332-333 (
экз. )
|
9.
| Ерофеев Е. В. Влияние атомарного водорода на процесс формирования омических контактов Cu/Ge к GaAs : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.11-14 (
экз. )
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный