Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 72
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| HEMT на гетероструктурах In0,52Al0,48As/In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 191-197 (
экз. )
|
2.
| Андреев, Вячеслав Михайлович. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. - М. : Советское радио
, 1975. - 328 с. (
1 экз. )
|
3.
| Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий [] : учебное пособие для вузов: в 2 т. / ред. Ю. Н. Коркишко. - (Нанотехнологии). Т. 1 : Физико-химические основы технологии микроэлектроники. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний
, 2010. - 392 с. (
45 экз. )
|
4.
| Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий [] : учебное пособие для вузов: в 2 т. / ред. Ю. Н. Коркишко. - (Нанотехнологии). Т. 2 : Технологические аспекты. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний
, 2011. - 252 с. (
45 экз. )
|
5.
| Владимиров, Георгий Георгиевич. Физика поверхности твердых тел [Электр.ресурс] : учебное пособие. - СПб. : Лань
, 2016 on-line (
экз. )
|
6.
| Горн, Дмитрий Игоревич. Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск
, 2012. - 18 с. (
1 экз. )
|
7.
| Готра, Зенон Юрьевич. Технология микроэлектронных устройств : Справочник. - М. : Радио и связь
, 1991. - 528 с. (
43 экз. )
|
8.
| Гусев, Александр Иванович. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии : Монография. - М. : Физматлит
, 2005. - 410[6] с. (
49 экз. )
|
9.
| Дзядух, Станислав Михайлович. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск
, 2010. - 18 с. (
1 экз. )
|
10.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - Журнал, 2010г. N 2(22) - Ч. 1 (Введено оглавление) (
2 экз. )
|
11.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники: Периодический научный журнал.-2008. № 1 (17) . - Журнал. , 2010г. N 2(22)Ч.1 (Введено оглавление) (
2 экз. )
|
12.
| Жигальский, Александр Анатольевич. Технология материалов электронной техники : Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов. - Томск : ТУСУР
, 2006. - 49 с. (
3 экз. )
|
13.
| Зенгуил, Эндрью. Физика поверхности. - М. : Мир
, 1990. - 536 с. (
2 экз. )
|
14.
| Климов, Евгений Александрович. Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта-легированием : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01. - М.
, 2012. - 18 с. (
1 экз. )
|
15.
| Курносов, Анатолий Иванович. Технология производства полупроводниковых приборов : учебник. - Л. : Судостроение
, 1965. - 248 с (
2 экз. )
|
16.
| Курносов, Анатолий Иванович. Технология производства полупроводниковых приборов : учебное пособие для вузов. - М. : Высшая школа
, 1974. - 400 с. (
30 экз. )
|
17.
|
Материалы электронной техники. - Журнал. Известия ВУЗов, 2010г. N 1 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
18.
|
Материалы электронной техники. - Журнал. Известия ВУЗов, 2010г. N 3 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
19.
|
Материалы электронной техники. - Журнал. Известия ВУЗов, 2011г. N 3 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
20.
|
Материалы электронной техники. - Журнал. Известия ВУЗов, 2011г. N 4 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный