Поисковый запрос: (<.>K=кремний<.>) |
Общее количество найденных документов : 116
Показаны документы с 1 по 20 |
|
>1.
| Куколев, Григорий Владимирович. Химия кремния и физическая химия силикатов : учебник для вузов. - М. : Высшая школа
, 1966. - 464 с (
1 экз. )
|
>2.
| Барковский, Владимир Филиппович. Дифференциальный спектрофотометрический анализ : монография. - М. : Химия
, 1969. - 168 с. (
1 экз. )
|
>3.
| Смирнова К. И. Исследование ионно-реактивного метода осаждения пленок нитрида кремния : Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук.. - Томск
, 1971. - 126 с. (
2 экз. )
|
>4.
| Мышляева Л. Аналитическая химия кремния : научное издание. - М. : Наука
, 1972. - 210 с (
1 экз. )
|
>5.
| Мейер Дж. Ионное легирование полупроводников. (Кремний и германий) : Пер. с англ.. - М. : Мир
, 1973. - 296 с. (
2 экз. )
|
>6.
| Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия : научное издание. - М. : Энергия
, 1978. - 133[3] с. (
2 экз. )
|
>7.
| Ибрагимов, Равиль Шайхуллович. Исследование электронных процессов в монокристаллических структурах кремний- твердый раствор германия с кремнием на керамической подложке. Спец. 01.04.10- физика полупроводников и диэлектриков : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико- математических наук. На правах рукописи
, 1978. - 14 с (
1 экз. )
|
>8.
| Мотт, Нэвилл Фрэнсис. Электронные процессы в некристаллических веществах [] : В 2 т.: Пер. с англ.. Т. 2. - М. : Мир
, 1982. - 369-664 с. (
2 экз. )
|
>9.
| Лифшиц, Виктор Григорьевич. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния : научное издание. - М. : Наука
, 1985. - 200 с (
1 экз. )
|
>10.
| Мильвидский, Михаил Григорьевич. Полупроводниковые материалы в современной электронике. - М. : Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит.
, 1986. - 144 с (
2 экз. )
|
>11.
| Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. - Минск : Университетское
, 1990. - 318[2] с. (
3 экз. )
|
>12.
| Рохов Е. Дж. Мир кремния : Пер.с англ.. - М. : Химия
, 1990. - 147[5] с. (
2 экз. )
|
>13.
| Аморфный кремний и родственные материалы : Пер. с англ.. - М. : Мир
, 1991. - 542[2] с. (
2 экз. )
|
>14.
| Технология полупроводникового кремния. - М. : Металлургия
, 1992. - 406[2] с. (
2 экз. )
|
>15.
| Березин, Андрей Сергеевич. Технология и конструирование интегральных микросхем : Учебное пособие для вузов. - М. : Радио и связь
, 1992. - 320 с. (
10 экз. )
|
>16.
| Зайцев, Николай Алексеевич. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO 2 : научное издание. - М. : Радио и связь
, 1993. - 190[2] с. (
1 экз. )
|
>17.
| Электронные свойства дислокаций в полупроводниках : монография. - М. : Эдиториал УРСС
, 2000. - 319[1] с. (
1 экз. )
|
>18.
| Васильев, Альберт Васильевич. Дефектно-примесные реакции в полупроводниках : монография. - Новосибирск : Издательство СО РАН
, 2001. - 256 с. (
2 экз. )
|
>19.
| Гридчин, Виктор Алексеевич. Физика микросистем [] : Учебное пособие для вузов. - (Учебники НГТУ). Ч. 1. - Новосибирск : НГТУ
, 2004. - 415[1] с. (
10 экз. )
|
>20.
| Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов [] : Пер. с англ. / Ред. К. А. Джексон, Ред. В. Шрётер. Т. 1 : Электронная структура и свойства полупроводников : научное издание. - Воронеж : Водолей
, 2004. - 967[1] с. (
1 экз. )
|
|
|