Поисковый запрос: (<.>K=GAAS<.>) |
Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Салтымаков, Максим Сергеевич. Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком : Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07. - Томск
, 2010. - 18 с. (
1 экз. )
|
2.
| Баров, Александр Анатольевич. GaAs МИС управляемого СВЧ-аттенюатора диапазона 0-20 ГГц : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22) Ч2. - С. 187-189 (
экз. )
|
3.
| Баров, Александр Анатольевич. Восстановление нелинейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 137-139 (
экз. )
|
4.
| Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 183-186 (
экз. )
|
5.
| Петрова, Татьяна Сергеевна. Влияние конструктивных и технологических особенностей на статические параметры МИС на GaAs на основе ПТШ с углубленным затвором : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2009. - N 1(19)Ч.1. - С. 53-57 (
экз. )
|
6.
| Копланарный монолитный усилитель Ка-диапазона на основе отечественной GaAs наногетероструктурной технологии : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 1(21) Ч.2. - С. 55-62 (
экз. )
|
7.
| Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAS mHEMT-технологиии
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники: Периодический научный журнал.-2008. № 1 (17) . . - Томск : ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 20-24 (
экз. )
|
8.
| Дмитриенко К. С. Построение нелинейной табличной модели GaAs mНЕМТ-транзистора : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.156-159 (
экз. )
|
9.
| Каппасов Ж. Е. Разработка монолитного буферного усилителя Х-диапазона на основе отечественной наногетероструктурной GaAs рНЕМТ-технологии : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.147-150 (
экз. )
|
10.
| Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0.15 мкм GaAs pHEMT-технологии : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 105-117 (
экз. )
|
11.
| Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs pHEMT-гетероструктурах : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 49-55 (
экз. )
|
12.
| Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30-37,5 ГГц на GaAs pHEMT-генероструктурах : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 34-37 (
экз. )
|
13.
| Хохол Д. С. GaAs МИС двухразрядного фазовращателя L-диапазона частот : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2011. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.233-235 (
экз. )
|
14.
| Ерофеев, Евгений Викторович. Исследование термостабильности параметров бездрагметалльного GaAs рНЕМТ транзистора с металлизацией на основе CuGe-соединений
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 41-46 (
экз. )
|
15.
| Построение масштабируемой шумовой модели МНЕМТ на GaAs c Lg от 50 до 250 нм
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 31-35 (
экз. )
|
16.
| Коколов, Андрей Александрович. Построение и характеристики СВЧ монолитных усилителей мощности на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 17-23 (
экз. )
|
17.
| Баров, Александр Анатольевич. GaAs МИС дискретного фазовращателя L-диапазона частот
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2012. - N 2(26)Ч2. - С. 32-35 (
экз. )
|
18.
| Ерофеев, Евгений Викторович. Способ формирования наноразмерного затвора для GaAs СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2012. - N 2(26)Ч1. - С. 53-56 (
экз. )
|
19.
| Ерофеев, Евгений Викторович. Разработка GaAs СВЧ-транзисторов с металлизацией на основе Al и Cu
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал / Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУР, 2012. - N 2(26)Ч1. - С. 47-52 (
экз. )
|
20.
| Арыков, Вадим Станиславович. Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04. - Томск
, 2012. - 22 с. (
2 экз. )
|
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный