Поисковый запрос: (<.>K=GAAS<.>) |
Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Экспериментальные обоснования возможности создания гамма-камер на основе GaAs-детекторов : научное издание
//Электронные средства и системы управления. - Томск : Издательство Института оптики атмосферы СО РАН, 2003. - С.161-162 (
экз. )
|
2.
| Организация съема и обработки информации с гамма-камеры сканирующего типа на основе GaAs-детекторов : научное издание
//Электронные средства и системы управления. - Томск : Издательство Института оптики атмосферы СО РАН, 2003. - С.123-124 (
экз. )
|
3.
| GaAs МИС сверхширокополосного двойного баластного смесителя : научное издание
//Электронные средства и системы управления. - Томск : Издательство Института оптики атмосферы СО РАН, 2005. - Ч. 1. - С.142-146 (
экз. )
|
4.
| Петрова Т. С. Уменьшение индуктивности истокового вывода в ПТШ на GaAs2 и интегральных схемах на их основе : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2005. - Томск : Издательство ТУСУР, 2005. - Ч. 2. - С.33-35 (
экз. )
|
5.
| Путилов В. Н. Монолитные интегральные СВЧ-коммутаторы на GaAs и InP PIN -диодах. Обзор. : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2005. - Томск : Издательство ТУСУР, 2005. - Ч.1. - С.337-340 (
экз. )
|
6.
| Петрова Т. С. Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs
//Известия Томского политехнического университета. - 2006. Т. 309. № 8. - С.172-175 (
экз. )
|
7.
| Веселов Д. В. Разработка силового диода на GaAs
//Научная сессия ТУСУР-2007. - Томск : В-Спектр, 2007. Ч. 1. - С.287-289 (
экз. )
|
8.
| Зарипов А. Р. Применение электротермодиффузионной сварки в производстве GaAs-фотокатодных узлов
//Научная сессия ТУСУР-2007. - Томск : В-Спектр, 2007. Ч. 1. - С.298-300 (
экз. )
|
9.
| Аржанов С. Н. GAAS МИС дискретных фазовращателей X-диапазона частот : доклад, тезисы доклада
//Электронные средства и системы управления. Опыт инновационного развития. - Томск : В-Спектр, 2007. - Ч. 1. - С.153-155 (
экз. )
|
10.
| Сагитова И. С. Исследование методов улучшения адгезии полиимидных пленок к поверхности SiO2 и GaAs в технодлогии ИС СВЧ-диапазона
//Научная сессия ТУСУР-2007. - Томск : В-Спектр, 2007. Ч. 1. - С. 282-284 (
экз. )
|
11.
| Багаева И. А. Определение состава оксидных пленок GAAS методом Фурье- спектроскопии
//Научная сессия ТУСУР-2007. - Томск : В-Спектр, 2007. Ч. 1. - С.236-238 (
экз. )
|
12.
| Гарипов И. Ф. Исследование режимов напыления и отжига омических контактов AuGeNi и AuGeNi/Au к GaAs полевым транзисторам
//Научная сессия ТУСУР-2007. - Томск : В-Спектр, 2007. Ч. 1. - С.243-246 (
экз. )
|
13.
| Молоховская Е. Ф. Технология изготовления МИС на основе GaAs с помощью электронной литографии
//Научная сессия ТУСУР-2007. - Томск : В-Спектр, 2007. Ч. 1. - С.277-279 (
экз. )
|
14.
| Захаров Д. В. Монолитная GAAS интегральная схема предусилителя промежуточной частоты : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2008. - Томск : В-Спектр, 2008. - Ч. 1. - С.269-271. (
экз. )
|
15.
| Саратов Е. В. Монолитная GAAS - интегральная схема балансного смесителя : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2008. - Томск : В-Спектр, 2008. - Ч. 1. - С.248-252. (
экз. )
|
16.
| Ишуткин С. В. Влияние халькогенизации поверхности GaAs на параметры барьерных контактов Ti/Au : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2008. - Томск : В-Спектр, 2008. - Ч. 1. - С.229-231. (
экз. )
|
17.
| Осипов К. Ю. Исследование процесса легирования эпитаксиальных слоёв GAAS цинком с применением металлоорганических соединений : доклад, тезисы доклада
//Научная сессия ТУСУР-2008. - Томск : В-Спектр, 2008. - Ч. 1. - С.239-242. (
экз. )
|
18.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - Журнал, 2009г. N 1(19) - Ч.1 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
19.
| Петрова, Татьяна Сергеевна. Влияние конструктивных и технологических особенностей на статические параметры МИС на GaAs на основе ПТШ с углубленным затвором : доклад
//Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. - 2009. - № 1(19). Ч. 1. - С.53-57. (
экз. )
|
20.
|
Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники: Периодический научный журнал.-2008. № 1 (17) . - Журнал. , 2009г. N 1(19)Ч.1 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
|
|
|
Основная база библиотеки
Стандартный