Поисковый запрос: (<.>K=GaAs<.>) |
Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20 |
|
>1.
| Яскевич, Тамара Михайловна. Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10. - Томск : ТУСУР
, 2013. - 22 с. (
1 экз. )
|
>2.
| Яковлев М. А. Структура системы контроля параметров при производстве GaAs СВЧ МИС на основе рНЕМТ : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр, 2010. - Ч. 2. - С.50-51 (
экз. )
|
>3.
| Юнусов, Игорь Владимирович. Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GAAS низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. - Томск
, 2017. - 19 с. (
2 экз. )
|
>4.
| Юнусов, Игорь Владимирович. Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GAAS низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе : диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника. - Томск
, 2017. - 151 с. (
1 экз. )
|
>5.
| Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой In {\dn x} Ga {\dn 1-x} (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. - М.
, 2013. - 22 с (
1 экз. )
|
>6.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2019г. т.24 N 1 (январь-февраль) (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>7.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2018г. т.23 N 4 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>8.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2016г. т.21 N 4 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>9.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2016г. т.21 N 1 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>10.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2015г. т.20 N 5 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>11.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2015г. т.20 N 4 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>12.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2014г. N 3 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>13.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2014г. N 2 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>14.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2012г. N 1 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>15.
|
Электроника. - Журнал. Известия ВУЗов, 2011г. N 2 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>16.
| Экспериментальные обоснования возможности создания гамма-камер на основе GaAs-детекторов : научное издание
//Электронные средства и системы управления. - Томск : Издательство Института оптики атмосферы СО РАН, 2003. - С.161-162 (
экз. )
|
>17.
| Хохол Д. С. GaAs МИС широкополосного двойного балансного смесителя : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2011. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.256-259 (
экз. )
|
>18.
| Хохол Д. С. GaAs МИС двухразрядного фазовращателя L-диапазона частот : доклад
//Научная сессия ТУСУР-2011. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С.233-235 (
экз. )
|
>19.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2020г. N 5 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
>20.
|
Физика. - Журнал. Известия ВУЗов, 2020г. N 4 (Введено оглавление) (
1 экз. )
|
|
|