Библиотека ТУСУРа

Базы данных

Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Основная база библиотеки

База данных нормативных документов

Персоналии ученых-профессоров ТУСУРа

Календарь знаменательных дат

Электронные книги ЛитРес

ЭБС «Лань»

ЭБС «Юрайт»

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	для рабочих программ

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GaAs<.>)

Общее количество найденных документов : 137
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

А
С 166

    Салтымаков, Максим Сергеевич.
    Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком : Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; науч. рук. Г. Е. Ремнев ; Томский политехнический университет. - Томск, 2010. - 18 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 17-18

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
539.216.2:533.9:621.384.6.032.266(043.3)
621.793.184(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
авторефераты -- тонкие пленки -- полупроводниковые пленки -- GaAs -- InP -- плазма -- абляционная плазма -- импульсные ионные ускорители -- частотно-импульсное воздействие -- ускорители заряженных частиц -- ионные пучки -- пучки частиц -- осаждение пленок
Доп.точки доступа:
Ремнев, Геннадий Ефимович \науч. рук.\
Томский политехнический университет

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

    Баров, Александр Анатольевич.
    GaAs МИС управляемого СВЧ-аттенюатора диапазона 0-20 ГГц [Текст] : доклад / А. А. Баров, А. В. Кондратенко, Д. С. Хохол // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 2(22) Ч2. - С. 187-189. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ -- аттенюаторы -- полевой транзистор -- доклады тусур

Доп.точки доступа:
Кондратенко, Алексей Владимирович
Хохол, Дмитрий Сергеевич

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_barov_250311.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

    Баров, Александр Анатольевич.
    Восстановление нелинейной модели GaAs pHEMT СВЧ-транзистора [Текст] : доклад / А. А. Баров, Ю. Н. Бидненко, А. В. Кондратенко // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 137-139. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
параметры рассеяния -- нелинейная модель -- вольт-амперные характеристики -- доклады ТУСУР

Доп.точки доступа:
Бидненко, Юрий Николаевич
Кондратенко, Алексей Владимирович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_barov_2(22).pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

    Разработка бездрагметального GaAs pHEMT-транзистора с субмикронным Т-образным затвором [Текст] : доклад / Е. В. Ерофеев [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 183-186. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
омический контакт -- Т-затвор -- молекулярно-лучевая литография -- доклады ТУСУР

Доп.точки доступа:
Ерофеев, Евгений Викторович
Кагадей, Валерий Алексеевич
Ишуткин, Сергей Валерьевич
Носаева, Ксения Сергеевна
Анищенко, Екатерина Валентиновна
Арыков, Вадим Станиславович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_erofeev_250311.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

    Петрова, Татьяна Сергеевна.
    Влияние конструктивных и технологических особенностей на статические параметры МИС на GaAs на основе ПТШ с углубленным затвором [Текст] : доклад / Т. С. Петрова // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2009. - N 1(19)Ч.1. - С. 53-57. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
скорость травления -- электрический ток -- подзатворная область -- доклады ТУСУР

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2009_petrova_190411.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

    Копланарный монолитный усилитель Ка-диапазона на основе отечественной GaAs наногетероструктурной технологии [Текст] : доклад / И. М. Добуш [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 1(21) Ч.2. - С. 55-62. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
усилители -- СВЧ -- технологии -- доклады тусур

Доп.точки доступа:
Добуш, Игорь Мирославович
Коколов, Андрей Александрович
Дмитриенко, Константин Сергеевич
Сальников, Андрей Сергеевич
Федоров, Юрий Владимирович
Черкашин, Михаил Владимирович
Шеерман, Фёдор Иванович
Бабак, Леонид Иванович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_dobush_14042011.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

    Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAS mHEMT-технологиии [Текст] / Л. И. Бабак [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники: Периодический научный журнал.-2008. № 1 (17) . . - 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 20-24

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ -- монолитные интегральные схемы -- копланарные усилители -- доклады тусур

Доп.точки доступа:
Бабак, Леонид Иванович
Федоров, Юрий Владимирович
Черкашин, Михаил Владимирович
Шеерман, Фёдор Иванович
Бугаев, Александр Сергеевич
Гнатюк, Дмитрий Леонидович
Коколов, Андрей Александрович
Добуш, Игорь Мирославович
Дмитриенко, Константин Сергеевич
Сальников, Андрей Сергеевич
Ячменев, Александр Эдуардович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_babak_250311.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

    Дмитриенко, К. С.
    Построение нелинейной табличной модели GaAs mНЕМТ-транзистора : доклад / К. С. Дмитриенко, Л. И. Бабак, А. А. Коколов // Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С. 156-159 : ил. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
монолитные интегральные схемы -- GaAs -- СВЧ-транзисторы -- эквивалентные схемы -- нелинейные модели

Доп.точки доступа:
Бабак, Л. И.
Коколов, А. А.

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_dmitrienko_190510.pdf или скачать

Постоянная гиперссылка

    Каппасов, Ж. Е.
    Разработка монолитного буферного усилителя Х-диапазона на основе отечественной наногетероструктурной GaAs рНЕМТ-технологии : доклад / Ж. Е. Каппасов, А. А. Коколов, И. М. Добуш // Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С. 147-150 : ил. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
согласующие цепи -- монолитные интегральные схемы -- микрополосковые линии -- буферные усилители -- GaAs pHEMT-транзисторы -- СВЧ

Доп.точки доступа:
Коколов, А. А.
Добуш, И. М.

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_kappasov_190510.pdf или скачать

Постоянная гиперссылка

10.

    Разработка комплекта монолитных малошумящих усилителей Х-диапазона на основе 0.15 мкм GaAs pHEMT-технологии [Текст] : доклад / В. Г Мокеров [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 105-117. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
автоматизированный синтез -- визуальное проектирование -- усилители -- доклады ТУСУР

Доп.точки доступа:
Мокеров, Владимир Григорьевич
Бабак, Леонид Иванович
Федоров, Юрий Владимирович
Черкашин, Михаил Владимирович
Шеерман, Федор Иванович
Бугаев, Александр Сергеевич
Кузнецов, Алексей Львович
Гнатюк, Дмитрий Леонидович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_mokerov_250311.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

11.

    Монолитные интегральные схемы малошумящих усилителей КВЧ-диапазона на GaAs pHEMT-гетероструктурах [Текст] : доклад / Д. Л. Гнатюк [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 49-55. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
базовые транзисторы -- топология усилителя -- шумовые характеристики -- коэффициент шума -- доклады тусур

Доп.точки доступа:
Гнатюк, Дмитрий Леонидович
Федоров, Юрий Владимирович
Галиев, Галиб Бариевич
Галиев, Ринат Радифович
Щербакова, Марина Юрьевна

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_gnatyuk_250311.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

12.

    Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30-37,5 ГГц на GaAs pHEMT-генероструктурах [Текст] : доклад / М. В. Черкашин [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2010. - N 2(22)Ч.1. - С. 34-37. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
визуальное проектирование -- транзистор -- моделирование

Доп.точки доступа:
Черкашин, Михаил Владимирович
Добуш, Игорь Мирославович
Бабак, Леонид Иванович
Федоров, Юрий Владимирович
Гнатюк, Дмитрий Леонидович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_cherkashin_3_250311.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

13.

    Хохол, Д. С.
    GaAs МИС двухразрядного фазовращателя L-диапазона частот [Текст] : доклад / Д. С. Хохол, Е. В. Дмитриченко, А. В. Кондратенко // Научная сессия ТУСУР-2011. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С. 233-235 : ил. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
топология МИС -- АФАР -- частоты

Доп.точки доступа:
Дмитриченко, Е. В.
Кондратенко, А. В.

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2011_hohol_090611.pdf или скачать

Постоянная гиперссылка

14.

    Ерофеев, Евгений Викторович.
    Исследование термостабильности параметров бездрагметалльного GaAs рНЕМТ транзистора с металлизацией на основе CuGe-соединений [Текст] / Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров, В. А. Кагадей // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 41-46 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
германиды -- литография -- затворы

Доп.точки доступа:
Казимиров, Артем Игоревич
Кагадей, Валерий Алексеевич

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2011_24_2erofeev_kazimirov.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

15.

    Построение масштабируемой шумовой модели МНЕМТ на GaAs c Lg от 50 до 250 нм [Текст] / С. В. Михайлович [и др.] // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 31-35 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
схемы -- коэффициенты -- транзисторы

Доп.точки доступа:
Михайлович, Сергей Викторович
Федоров, Юрий Владимирович
Бугаев, Александр Сергеевич
Галиев, Ринат Радифович
Ячменев, Александр Эдуврдович
Щербакова, Марина Юрьевна

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2011_24_2mikhailovitch_fedorov.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

16.

    Коколов, Андрей Александрович.
    Построение и характеристики СВЧ монолитных усилителей мощности на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN [Текст] / А. А. Коколов, М. В. Черкашин // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2011. - N 2(24), Ч. 2. - С. 17-23 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
связь -- галлий -- транзисторы

Доп.точки доступа:
Черкашин, Михаил Владимирович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2011_24_2kokolov_cherkashin.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : сбо (2)
Свободны: сбо (2)

Постоянная гиперссылка

17.

    Баров, Александр Анатольевич.
    GaAs МИС дискретного фазовращателя L-диапазона частот [Текст] / А. А. Баров, А. В. Кондратенко, Д. С. Хохол // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2012. - N 2(26)Ч2. - С. 32-35 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- схемы -- топология

Доп.точки доступа:
Кондратенко, Алексей Владимирович
Хохол, Дмитрий Сергеевич

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2012(26)2 Barov.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : сбо (3)
Свободны: сбо (3)

Постоянная гиперссылка

18.

    Ерофеев, Евгений Викторович.
    Способ формирования наноразмерного затвора для GaAs СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов [Текст] / Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров, И. В. Кулинич // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2012. - N 2(26)Ч1. - С. 53-56 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
напыление -- пленки -- подложки

Доп.точки доступа:
Казимиров, Артем Игоревич
Кулинич, Иван Владимирович

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2012(26)2Erofeyev1.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : сбо (3)
Свободны: сбо (3)

Постоянная гиперссылка

19.

    Ерофеев, Евгений Викторович.
    Разработка GaAs СВЧ-транзисторов с металлизацией на основе Al и Cu [Текст] / Е. В. Ерофеев, А. И. Казимиров // Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники : периодический научный журнал. - 2012. - N 2(26)Ч1. - С. 47-52 . - ISSN 1818-0442

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Кл.слова (ненормированные):
контакты -- медь -- алюминий

Доп.точки доступа:
Казимиров, Артем Игоревич

Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2012(26)2Erofeev.pdf или скачать

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : сбо (3)
Свободны: сбо (3)

Постоянная гиперссылка

20.

А
А 895

    Арыков, Вадим Станиславович.
    Разработка технологии и создание GaAs СВЧ монолитных интегральных схем на основе самосовмещенных ионно-легированных полевых транзисторов Шоттки [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 01.04.04 / В. С. Арыков ; науч. рук. В. А. Кагадей ; Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Научно-производственная фирма "Микран" (Томск). - Томск, 2012. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-22

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.323.049.774.029.64:661.868.1'046.1(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ШОТТКИ ТРАНЗИСТОРЫ -- АВТОРЕФЕРАТЫ
Доп.точки доступа:
Кагадей, Валерий Алексеевич \науч. рук.\
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск)
Научно-производственная фирма "Микран" (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (2 экз.)
Свободны: счз1 (2)
Постоянная гиперссылка

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Статистика за 03.07.2024
Число запросов	42302
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)