Авторизация
 

Базы данных


Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйдля рабочих программ
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 52
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-52 
1.
621.382
З-156


    Задорожный, Олег Федорович.
    Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5 / О. Ф. Задорожный ; науч. рук. В. Н. Давыдов ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 139 с. : рис.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
2.
А
З-156


    Задорожный, Олег Федорович.
    Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5 / О. Ф. Задорожный ; науч. рук. В. Н. Давыдов ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 29 с. : рис.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка
3.
Шифр: И517352/2021/24/2
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2021г. т.24 N 2 . - 3036.03, р.
Содержание:
Терехова, Юлия Сергеевна. Исследование сегнетоэлектрических нанокомпозитов на основе P(VDF-TrFE) методами сканирующей зондовой микроскопии / Ю. С. Терехова, Д. А. Киселев, А. В. Солнышкин. - С.71-78
Кл.слова: полимеры сегнетоэлектрические, свойства пьезоэлектрические, нанокомпозиты
Алёшин, Андрей Николаевич. Моделирование вольт-амперной характеристики мемристора TiN/HfO2/Pt при различной толщине токопроводящего канала / А. Н. Алёшин, Н. В. Зенченко, О. А. Рубан. - С.79-87
Кл.слова: уравнения Максвелла, метод конечных элементов, режим биполярный
Евдокимов, Владимир Лукьянович. Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния / В. Л. Евдокимов. - С.88-96
Кл.слова: рост гетерогенный, рост гомогенный, показатели неоднородностей
Шамин, Евгений Сергеевич. Поиск начального приближения для задачи экстракции параметров модели мемристора с помощью методов машинного обучения / Е. С. Шамин, Д. А. Жевненко, Ф. П. Мещанинов. - С.97-101
Кл.слова: модель мемристора, характеристика вольт-амперная, обучение машинное
Орлов, Андрей Алексеевич. Моделирование времени до пробоя пористого диэлектрика в системе металлизации интегральных схем современного топологического уровня / А. А. Орлов, А. А. Резванов. - С.102-106
Кл.слова: low-k диэлектрик, пористость, временной пробой диэлектрика
Енишерлова, Кира Львовна. Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiNx на электрические параметры структур SiNx/AlGaN/GaN / К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер. - С.107-118
Кл.слова: гетероструктуры, покрытие пассивирующее, пьезозаряд
Томпакова, Назгуль Меиркановна. Исследование влияния кратковременного воздействия кислородной и водородной плазмы на состав и структуру тонких пленок диоксида олова / Н. М. Томпакова, А. А. Полисан. - С.119-130
Кл.слова: сопротивление пленок, оптические свойства пленок, обработка плазмой
Ганиев, Изатулло Наврузович. Кинетика окисления алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с кадмием в твердом состоянии / И. Н. Ганиев, Ё. Дж. Холов, Дж. Х Джайлоев. - С.131-137
Кл.слова: термогравиметрия, скорость окисления, энергия активации
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
4.
621.382
С 370


    Сим, Павел Евгеньевич.
    Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника / П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян ; науч. конс. В. Н. Брудный ; ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет" (Томск), АО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск). - Томск, 2018. - 112 с. : граф., цв. ил., рис. - Библиогр.: с. 102-110

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
5.
А
С 370


    Сим, Павел Евгеньевич.
    Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN [Текст] : автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника / П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян. - Томск, 2018. - 17 с. : граф., рис. - Библиогр.: с. 15-17

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.), сбо (1 экз.)
Свободны: счз1 (1), сбо (1)
Постоянная гиперссылка
6.
538
А 765


    Аплеснин, Сергей Степанович.
    Основы спинтроники [Электронный ресурс] : учебное пособие / С. С. Аплеснин ; рец.: Г. С. Патрин, С. Я. Ветров ; ред. А. О. Брезман. - 2-е изд., испр. - Электрон. текстовые дан. - СПб. : Лань, 2021. - on-line : рис., граф. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.: с. 283-285. - ISBN 978-5-8114-1060-6 : Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Перейти к внешнему ресурсу https://reader.lanbook.com/book/167813#1
Постоянная гиперссылка
7.
А
В 274


    Великовский, Леонид Эдуардович.
    СВЧ Транзистор миллиметрового диапазона на основе (InA1Ga)N/A1N/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04 / Л. Э. Великовский ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск : б. и., 2019. - 19 с.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка
8.
621.382
В 274


    Великовский, Леонид Эдуардович.
    СВЧ Транзистор миллиметрового диапазона на основе (InA1Ga)N/A1N/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04 / Л. Э. Великовский ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск : б. и., 2019. - 144 с.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
9.
Шифр: Р757294/2019/64/10
   Журнал

Российская Федерация. Российская Академия Наук (М.).
Радиотехника и электроника/ Российская Академия Наук (М.). - М. : АКАДЕМКНИГА, 1956 - . - ISSN 0033-8494. - Выходит ежемесячно
2019г. т.64 N 10 . - 2338.51, р.
Содержание:
Маненков, С. А. Две методики решения задачи дифракции плоской волны на теле вращения, расположенном в диэлектрическом полупространстве / С. А. Маненков. - С.943-952
Кл.слова: проницаемость диэлектрическая, диаграммы рассеяния, координаты
Голунов, В. А. Рассеяние теплового микроволнового излучения на неоднородностях плотности свежевыпавшего и мелкозернистого снега / В. А. Голунов. - С.953-961
Кл.слова: зондирование дистанционное, покров снежный, измерения
Анютин, А. П. Связанные плазмонные колебания в кластере из двух серебряных наноцилиндров разного диаметра / А. П. Анютин. - С.962-969
Кл.слова: волны плоские, дифракция, диаграммы рассеяния
Кинев, Н. В. Антенно-фидерная система для сверхпроводникового джозефсоновского генератора терагерцового излучения с системой фазовой стабилизации / Н. В. Кинев, К. И. Рудаков, Л. В. Филиппенко. - С.970-975
Кл.слова: моделирование численное, схемы принципиальные, смеситель гармонический
Кравченко, В. Ф. Исследование эффективности весовых окон Кравченко при приеме сигнальных конструкций на основе OFDM-сигналов при наличии сосредоточенных по спектру помех / В. Ф. Кравченко, Л. Е. Назаров, В. И. Пустовойт. - С.976-983
Кл.слова: алгоритмы приема, критерии оптимальности, моделирование
Будунова, К. А. Цифровые частотно-избирательные фильтры на основе спектров атомарных функций / К. А. Будунова, В. Ф. Кравченко, В. И. Пустовойт. - С.984-990
Кл.слова: обработка сигналов, характеристики частотные, фильтры цифровые
Константинян, К. И. Нелинейная динамика гибридной джозефсоновской гетероструктуры с купратной антиферромагнитной прослойкой / К. И. Константинян, Г. А. Овсянников, А. В. Шадрин. - С.991-995
Кл.слова: эффект Джозефсона, колебания стохастические, ступени Шапиро
Андреев, В. Г. Развитие пробоя в воздухе в сильно неоднородном поле импульса наносекундной длительности / В. Г. Андреев, В. А. Вдовин. - С.996-1001
Кл.слова: измерения прецизионные, разряды сверхбыстрые, электроды острийные
Бурцев, А. А. Моделирование электронно-оптических систем со сходящимся ленточным пучком для ламп бегущей волны терагерцевого диапазона / А. А. Бурцев, А. В. Данилушкин. - С.1002-1005
Кл.слова: пушки электронные, деформации, моделирование
Даниелян, Г. Л. Кварцевые волоконные световоды с повышенным содержанием фтора для зондов флуориметров / Г. Л. Даниелян, И. П. Шилов, А. А. Замятин. - С.1006-1009
Кл.слова: диагностика флуоресцентная, волокна оптические, концентрация фтора
Мандель, А. М. Механизм перенормировки фактора Ланде и эффективной массы в малых сферических квантовых точках / А. М. Мандель, В. Б. Ошурко, Е. Е. Карпова. - С.1010-1018
Кл.слова: точки квантовые, перенормировка, масса эффективная
Никируй, К. Э. Формирование массива мемристивных кроссбар-структур на базе нанокомпозита (Co40Fe40B20)...x(LiNbO3)100-x / К. Э. Никируй, А. В. Емельянов, В. В. Рыльков. - С.1019-1024
Кл.слова: мемристоры, сопротивления, переключения циклические
Папроцкий, С. К. Особенности туннельного тока в сверхрешетках с электрическими доменами / С. К. Папроцкий, И. В. Алтухов, М. С. Каган. - С.1025-1028
Кл.слова: транспорт электронный, развертка напряжения, гистерезис тока
Парамонов, М. Е. Определение параметров туннельных барьеров сверхпроводящих туннельных структур для приемников субмиллиметрового диапазона / М. Е. Парамонов, Л. В. Филиппенко, П. Н. Дмитриев. - С.1029-1033
Кл.слова: приемники гетеродинные, смесители, оценка емкости
Гольдман, Е. И. О влиянии ионной поляризации транзисторных Si-структур на проводимость каналов инверсии p-типа / Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева. - С.1034-1037
Кл.слова: деполяризация, измерения проводимости, подвижность эффективная
Аверин, С. В. Двухцветный фотодетектор видимой части спектра на основе брэгговского рефлектора ZnSe/ZnS/GaAs / С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, В. А. Житов. - С.1038-1042
Кл.слова: оптоэлектроника, фоточувствительность, отклик
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
10.
621.38
Д 750


    Дробот, Павел Николаевич.
    Наноэлектроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / П. Н. Дробот ; рец.: С. В. Мельченко, С. Г. Михальченко ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Факультет дистанционного обучения. - Электрон. текстовые дан. - Томск : ФДО, ТУСУР, 2016. - on-line : рис., схемы, табл. - Библиогр.: с. 261-275. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Перейти к внешнему ресурсу https://e.lanbook.com/reader/book/110241/#1
Постоянная гиперссылка
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-52 
 
Статистика
за 14.06.2024
Число запросов 22434
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)