Авторизация
 

Базы данных


Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйдля рабочих программ
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11
1.
621.382
Д 182


    Данилина, Тамара Ивановна.
    Современные технологии микро- и наноэлектроники [Текст] : учебное пособие / Т. И. Данилина, И. А. Чистоедова ; рец.: В. П. Кривобоков, Е. В. Шестериков ; Минобрнауки России (М.), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУРа, 2020. - 340 с. : граф., ил., цв. ил., табл. - Библиогр.: с. 334-337. - ISBN 978-5-86889-903-4 : 135.04 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , счз1 (1 экз.), аунл (46 экз.)
Свободны: счз1 (1), аунл (25)
Постоянная гиперссылка
2.
621.38
Д 182


    Данилина, Тамара Ивановна.
    Технология кремниевой наноэлектроники [Текст] : учебное пособие / Т. И. Данилина, В. А. Кагадей, Е. В. Анищенко ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - 2-е изд. - Томск : ТУСУР, 2015. - 319 с : рис., цв. ил., табл. - Библиогр.: с. 317-318. - ISBN 978-5-86889-713-9 : 190.00 р., 200.00 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , счз1 (2 экз.), аунл (29 экз.)
Свободны: счз1 (2), аунл (21)
Постоянная гиперссылка
3.
621.382
Д 182


    Данилина, Тамара Ивановна.
    Технологии кремниевой наноэлектроники [Текст] : учебное пособие / Т. И. Данилина, В. А. Кагадей, Е. В. Анищенко ; Министерство образования и науки РФ, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : В-Спектр, 2011. - 262 с. : ил. - (Образовательная программа переподготовки). - Библиогр.: с. 260-261. - ISBN 978-5-91191-203-1 : 300.00 р., 21.66 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , аунл (2 экз.), счз1 (2 экз.)
Свободны: аунл (1), счз1 (2)
Постоянная гиперссылка
4.
539.2
Л 385


   
    Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей: перевод / ред. пер. : В. С. Вавилов, В. М. Гусев. - М. : Мир, 1971. - 531[1] с. : ил. - Библиогр. в конце разд. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: аунл (3 экз.)
Свободны: аунл (3)
Постоянная гиперссылка
5.
539.2
Т 384


   
    Технология ионного легирования : Пер. с яп. / ред. : С. Намба ; пер. : В. Ф. Овчаров ; ред. пер. : П. В. Павлов. - М. : Советское радио, 1974. - 157[3] с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 140-156. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: аунл (2 экз.)
Свободны: аунл (2)
Постоянная гиперссылка
6.
539.2
З-862


    Зорин, Евгений Иванович.
    Ионное легирование полупроводников / Е. И. Зорин, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум. - М. : Энергия, 1975. - 127[2] с. : ил., табл. - (Библиотека радиотехнолога ; вып. 6). - Библиогр.: с. 120-128. - (в пер.) : Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: аунл (2 экз.)
Свободны: аунл (2)
Постоянная гиперссылка
7.
621.382
П 845


   
    Процессы микро- и нанотехнологии : учебное пособие для вузов / Т. И. Данилина [и др.] ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск : ТУСУР, 2005. - 316 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 310-313. - ISBN 5-86889-244-5 : 300.00 р., 250.00 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , аунл (99 экз.), счз1 (2 экз.)
Свободны: аунл (79), счз1 (2)
Постоянная гиперссылка
8.
539.2
М 451


    Мейер, Дж.
    Ионное легирование полупроводников. (Кремний и германий) : Пер. с англ. / Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис ; ред. пер. : В. М. Гусев. - М. : Мир, 1973. - 296 с. : ил., табл., фото. - Библиогр.: с. 288-296. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: аунл (2 экз.), счз1
Свободны: аунл (1)
Постоянная гиперссылка
9.
621.3
И498


    Илюшкин, В. А.
    Разработка и исследование ионно-оптических систем с высокочастотной фильтрацией : Диссертация представлена на соиск. уч. ст. канд. техн. наук / В. А. Илюшкин; Науч.рук. Д. А. Носков ; Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР, Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. - Томск : [б. и.], 1978. - 185 с. : ил. - (в пер.) : Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (2 экз.)
Свободны: сбо (2)
Постоянная гиперссылка
10.
621.382
Д 182


    Данилина, Тамара Ивановна.
    Технология СБИС : учебное пособие / Т. И. Данилина, В. А. Кагадей ; Федеральное агентство по образованию, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Кафедра физической электроники. - Томск : ТУСУР, 2007. - 287 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 286-287. - 125.52 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , аунл (48 экз.), счз1 (2 экз.)
Свободны: аунл (46), счз1 (2)
Постоянная гиперссылка
11.
Шифр: Н890139/2010/9
   Журнал

Нано-и микросистемная техника : междисциплинарный теоретический и прикладной научно-технический журнал/ Российская Академия Наук (М.), Отделение нанотехнологий и информационных технологий. - М. : Новые технологии, 1999 - . - ISSN 1813-8586. - Выходит ежемесячно
2010г. N 9
Содержание:
Аракелян, С. М. Наноиндентирование углеродных нанотрубок, пропитанных расплавом алюминия под давлением / С. М. Аракелян, В. Ф. Коростелев, С. В. Кутровская. - С.2-4
Кл.слова: автоколебания, нанотрубки, расплав алюминия
Непомнящий, О. В. Проблемы верификации проекта при сквозном проектировании вычислительных систем-на-кристалле / О. В. Непомнящий, С. Ю. Алекминский. - С.4-7
Кл.слова: верификация, СБИС, система-на-кристалле
Журавлева, Л. М. Изотопическая нанотехнология низкоразмерных структур / Л. М. Журавлева, В. Г. Плеханов. - С.8-13
Кл.слова: изотопы, нанотехнологии, информация
Шауцуков, А. Г. Применение процессов ионного легирования в технологии двухпролетных лавинопролетных диодов с плоским и ступенчатым профилем легирования / А. Г. Шауцуков, Х. М. Хатукаев. - С.13-16
Кл.слова: диоды, ионное легирование, наращивание
Смолин, В. К. Тонкопленочные резистивные элементы первичных преобразователей датчиков / В. К. Смолин. - С.16-23
Кл.слова: резисторы, пленки, преобразователи
Бобров, А. А. Исследование выходного анемометрического преобразователя расхода газа мембранного типа в стационарном и импульсном режимах нагрева / А. А. Бобров, Н. А. Дюжев, А. М. Медников. - С.23-27
Кл.слова: микросистемы, преобразователи, скорость потока
Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VIII. Нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов. - С.27-37
Кл.слова: нанотранзисторы, металлы, полупроводники
Пивоненков, Б. И. Новый класс пьезорезистивных микро- и наносенсоров / Б. И. Пивоненков. - С.38-47
Кл.слова: наносенсоры, энергия деформации, микроминиатюризация
Войцеховский, А. В. Влияние облучения на характристики фотодетекторов из HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев. - С.48-52
Кл.слова: дефекты, фотодетекторы, облучения
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
 
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 181111
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)