Авторизация
 

Базы данных


Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйдля рабочих программ
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛИКРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.
Шифр: И517352/2022/25/1
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2022г. т.25 N 1 . - 3124.01, р.
Содержание:
Харченко, Андрей Андреевич. Электрические и гальваномагнитные свойства монокристаллов черного фосфора / А. А. Харченко, Ю. А. Федотова, В. Ю. Слабухо. - С.5-22
Кл.слова: анизотропия проводимости, магнитосопротивление, электротранспорт
Наумов, Аркадий Валерьевич. Новый этап развития рынка поликристаллического кремния / А. В. Наумов, Д. Л. Орехов. - С.23-38
Кл.слова: энергетика солнечная, поликремний, перепроизводство
Кислюк, Александр Михайлович. Деградация электропроводности заряженной доменной стенки в кристаллах восстановленного ниобата лития / А. М. Кислюк, Т. С. Ильина, И. В. Кубасов. - С.39-21
Кл.слова: отжиг диффузионный, отжиг восстановительный, микроскопия пьезоотклика силовая
Каланда, Николай Александрович. Кислородная нестехиометрия и магнитные свойства легированных манганитов La0,7Sr0,3Mn0,95Fe0,05O3-δ / Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, А. Л. Гурский. - С.52-63
Кл.слова: зависимость намагниченности температурная, температура Кюри, константа Блоха
Борознин, Сергей Владимирович. Углеродные наноструктуры, содержащие примесные атомы бора: особенности получения, физико-химические свойства и возможности применения / С. В. Борознин. - С.64-91
Кл.слова: нанотрубки, модификация структурная, свойства проводящие
Щербачев, Кирилл Дмитриевич. Применение методов рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии для анализа нарушенного слоя полярных граней ZnO после химико-механической обработки поверхности / К. Д. Щербачев, М. И. Воронова. - С.92-102
Кл.слова: оксид цинка, мишени лазерные, решетки
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
2.
65
З-966


    Зыков, Дмитрий Дмитриевич.
    Системы автоматизированного моделирования и проектирования технологических процессов и технологических маршрутов производства СВЧ МИС, оптимизация производства (основы САПР Synopsys Tcad) [Текст] : учебное пособие / Д. Д. Зыков, К. Ю. Осипов ; рец.: П. Е. Троян, В. А. Бейнарович ; Минобрнауки России (М.), Российская корпорация нанотехнологий, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : В-Спектр, 2010. - 76 с. : цв. ил., рис. - (Образовательная программа переподготовки). - Библиогр.: с. 74. - 21.66 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка
3.
Шифр: И517352/2017/20/2
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2017г. т.20 N 2 . - 2296.33, р.
Содержание:
Баграев, Николай Таймуразович. Квантовая лестница дырочной проводимости в кремниевых наносандвичах / Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко. - С.81-98
Кл.слова: каналы краевые, значения дробные четные, метод расщепленного затвора
Митин, Владимир Васильевич. Развитие рынка и технологии производства поликристаллического кремния / В. В. Митин, А. А. Кох. - С.99-106
Кл.слова: фотоэнергетика, поликремний, производство безопасное
Козлова, Нина Семеновна. Определение оптических параметров пленок ниобата лития методом спектрофотометрии / Н. С. Козлова, В. Р. Шаяпов, Е. В. Забелина. - С.107-114
Кл.слова: показатель преломления, коэффициент экстинкции, дисперсия
Супельняк, Станислав Игоревич. Численное моделирование и выбор светодиодов для фитосветильников / С. И. Супельняк, В. Г. Косушкин. - С.115-121
Кл.слова: осветители светодиодные, спектр излучения, спектр поглощения
Ильин, Александр Сергеевич. Расчет потенциального барьера на границах кристаллитов в поли- и нанокристаллических полупроводниках / А. С. Ильин, В. М. Гололобов, Е. А. Форш. - С.122-128
Кл.слова: изгиб энергетических зон, транспорт электронный, свойства электрические
Артамонов, Антон Вячеславович. О природе изменения эффективного поверхностного заряда на кристаллах InAs при выращивании анодного оксидного слоя / А. В. Артамонов, В. П. Астахов, И. Б. Варлашов. - С.129-133
Кл.слова: арсенид индия, заряд встроенный, плотность поверхностных состояний
Кочура, Алексей Вячеславович. Синтез и магнетосопротивление кристаллов (Cd1-xZnx)3As2 (x = 0,007) / А. В. Кочура, Л. Н. Овешников, А. Ф. Князев. - С.134-141
Кл.слова: растворы твердые, полуметалл дираковский, магнетосопротивление анизотропное
Старков, Виталий Васильевич. Напряжение в пластинах кремния, возникающие в результате локального фотонного отжига / В. В. Старков, Е. А. Гостева, Д. В. Иржак. - С.142-147
Кл.слова: преобразователи фотоэлектрические, насосы зарядовые, дифрактометрия рентгеновская трехкристальная
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
4.
Шифр: И517352/2014/4
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2014г. N 4 . - 2209.26, р.
Содержание:
Некрасов, Анатолий Валентинович. Перспективы рынка поликристаллического кремния / А. В. Некрасов, А. В. Наумов. - С.233-239
Кл.слова: солнечная энергетика, Сименс-метод, поликремний
Гавва, Владимир Александрович. Диагностика примесного состава высокочистого моносилана по результатам анализа контрольного монокристалла кремния / В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева. - С.240-245
Кл.слова: ИК-спектроскопия, монокристаллы, моносилан
Гоник, Михаил Александрович. Распределение Ge в слитке сплава Si0,9Ge0,1 / М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner. - С.246-251
Кл.слова: сплав с германием, рентгеновский микроанализ, однородность кристалла
Нагорных, Сергей Николаевич. Распределение центров дислокационной люминисценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции / С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум. - С.252-256
Кл.слова: ионная имплантация, дислокационная люминесценция, модель фотолюминесценции
Верезуб, Наталия Анатольевна. Расчетно-экспериментальное исследование влияния тепловых процессов на форму фронта кристаллизации гептадекана и галлия в модели метода Чохральского / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов, В. С. Бердников. - С.257-267
Кл.слова: теплоперенос, моделирование, кристаллизация
Тыныштыкбаев, Курбангали Байназарович. Высокоэффективные фотоэлектроды на основе пористого кремния / К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов. - С.268-277
Кл.слова: гетероструктура, электролиз воды, водород
Баталов, Рафаэль Ильясович. Синтез пористого кремния с наночастицами серебра методом низкоэнергетической ионной имплантации / Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин. - С.278-283
Кл.слова: аморфизация, распыление поверхности, ионная имплантация
Латухина, Наталья Виленовна. Фоточувствительные гетероструктуры на основе пористого нанокристаллического кремния / Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, А. С. Сайед. - С.284-289
Кл.слова: нанокристалл, вольт-амперные характеристики, фотоэлектрические свойства
Паньков, Андрей Анатольевич. Пироэлектромагнитные эффекты композита феррит/титанат бария / А. А. Паньков. - С.290-296
Кл.слова: пироэлектрические свойства, пьезокомпозит, электромагнитоупругость
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
5.
Шифр: И517352/2010/4
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2010г. N 4
Содержание:
Меженный, М. В. Особенности формирования внутреннего геттера в бездислокационных пластинах кремния, легированных азотом / М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник. - С.4-10
Кл.слова: кремний, микроскопия, термообработка
Иванов, В. М. Применение способов гидрирования тетрахлорида кремния в технологии производства поликремния / В. М. Иванов, Ю. В. Трубицин. - С.10-13
Кл.слова: трихлорсилан, поликремний, плазмотрон
Портнов, О. Г. Выращивание из водных растворов монокристаллов технологической формы для устройств нелинейной оптики / О. Г. Портнов. - С.14-17
Кл.слова: лития иодат, формообразователь, огранка
Костишин, В. Г. Влияние микроструктуры на свойства радиопоглощающих никель-цинковых ферритов / В. Г. Костишин, Р. М. Вергазов, В. Г. Андреев. - С.18-21
Кл.слова: границы зерен, микроструктура, ферриты
Верезуб, Н. А. Тепловая оптимизация условий выращивания монокристаллов кремния на установке "Редмет-90М" / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов. - С.22-25
Кл.слова: монокристаллы, оптимизация, Чохральского метод
Белогорохов, И. А. Теоретический расчет частот колебательных и вращательных переходов в органических полупроводниках на основе молекул безметального монофталоцианина / И. А. Белогорохов, Е. В. Тихонов, А. А. Добровольский. - С.26-30
Кл.слова: полупроводники, ИК-спектроскопия, молекулы
Яловега, Г. Э. Исследование фазового состава нанокомпозитных материалов SiO2CuОx методами рентгеновской спектроскопии поглощения и фотоэлектронной спектроскопии / Г. Э. Яловега, В. А. Шматко, Т. Н. Назарова. - С.31-35
Кл.слова: пленки, порошки, температура
Тимонина, А. В. Сорбция водорода углеродными наноматериалами / А. В. Тимонина, Д. Н. Борисенко, В. В. Кведер. - С.36-41
Кл.слова: нанотрубки, нановолокна, сорбция водорода
Павлов, Д. А. Влияние условий молекулярно-лучевого осаждения на структуру и свойства слоев кремния на сапфире / Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, Е. В. Коротков. - С.42-46
Кл.слова: сапфир, кремний, рассеяние света
Енишерлова, К. Л. Влияние облучения тепловыми нейтронами на распад твердого раствора кислорода в кремнии / К. Л. Енишерлова, В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев. - С.47-52
Кл.слова: твердые растворы, термообработка, облучение
Щербачев, К. Д. Исследование эволюции дефектной структуры слоя Si после имплантации ионов 64Zn+ и последующих термических отжигов / К. Д. Щербачев, В. В. Привезенцев, В. В. Сарайкин. - С.53-58
Кл.слова: имплантация, дифракция, дефекты
Таланин, В. И. Программный комплекс для анализа и расчета образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния / В. И. Таланин, И. Е. Таланин, Н. Ф. Устименко. - С.59-64
Кл.слова: кристаллы, преципитат, кремний
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
 
Статистика
за 02.07.2024
Число запросов 145424
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)