Авторизация
 

Базы данных


Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйдля рабочих программ
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
А
С 370


    Сим, Павел Евгеньевич.
    Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN [Текст] : автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника / П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян. - Томск, 2018. - 17 с. : граф., рис. - Библиогр.: с. 15-17

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.), сбо (1 экз.)
Свободны: счз1 (1), сбо (1)
Постоянная гиперссылка
2.
А
К 93


    Курмачев, Виктор Алексеевич.
    Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов Х-диапазона для систем радиолокации [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Спец. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / В. А. Курмачев ; ФГУП "НПП Исток" (Фрязино). - Москва, 2013. - 20 с : рис. - Библиогр.: с. 19

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
 
Статистика
за 01.07.2024
Число запросов 56909
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)