Библиотека ТУСУРа

Базы данных

Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Основная база библиотеки

База данных нормативных документов

Персоналии ученых-профессоров ТУСУРа

Календарь знаменательных дат

Электронные книги ЛитРес

ЭБС «Лань»

ЭБС «Юрайт»

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	для рабочих программ

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GAN<.>)

Общее количество найденных документов : 89
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-89

621.382
Т 562

    Томашевич, Александр Александрович.
    Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5 / А. А. Томашевич ; науч. рук. С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 128 с. : рис., табл.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382:621.315.592(043.3)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- ДИССЕРТАЦИИ -- ИСТОЧНИКИ СВЕТА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НИТРИДЫ -- СПЕКТРЫ СВЕЧЕНИЯ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ -- ДИОДЫ
Доп.точки доступа:
Еханин, Сергей Георгиевич \науч. рук.\
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

А
Т 562

    Томашевич, Александр Александрович.
    Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5 / А. А. Томашевич ; науч. рук. С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 25 с. : рис., табл.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382:621.315.592(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- АВТОРЕФЕРАТЫ -- ИСТОЧНИКИ СВЕТА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НИТРИДЫ -- СПЕКТРЫ СВЕЧЕНИЯ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ -- ДИОДЫ
Доп.точки доступа:
Еханин, Сергей Георгиевич \науч. рук.\
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

621.382
З-156

    Задорожный, Олег Федорович.
    Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5 / О. Ф. Задорожный ; науч. рук. В. Н. Давыдов ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 139 с. : рис.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.2(043.3)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- ДИССЕРТАЦИИ -- ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ОПТИЧЕСКИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
Доп.точки доступа:
Давыдов, Валерий Николаевич \науч. рук.\
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

А
З-156

    Задорожный, Олег Федорович.
    Повышение эффективности светодиодных источников излучения на основе InGaN/GaN [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5 / О. Ф. Задорожный ; науч. рук. В. Н. Давыдов ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 29 с. : рис.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.2(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- АВТОРЕФЕРАТЫ -- ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ОПТИЧЕСКИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
Доп.точки доступа:
Давыдов, Валерий Николаевич \науч. рук.\
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

Шифр: И517352/2022/25/3
Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2022г. т.25 N 3 . - 3124.01, р.

Содержание:
Забелина, Евгения Викторовна. Опыт визуального определения направления вращения плоскости поляризации света в гиротропных монокристаллах средней категории / Е. В. Забелина, Н. С. Козлова, И. И. Свисткова. - С.179-187
Кл.слова: анизотропия оптическая, метод поляризационно-оптический, микроскопия оптическая
Штерн, Максим Юрьевич. Получение и исследование нанодисперсных порошков термоэлектрических материалов / М. Ю. Штерн. - С.188-201
Кл.слова: теплопроводность фононная, технология порошков, добротность термоэлектрическая
Верезуб, Наталия Анатольевна. Технология и термомеханика при выращивании трубчатых монокристаллов кремния / Н. А. Верезуб, Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко. - С.202-213
Кл.слова: трубы кремниевые, моделирование компьютерное, метод Чохральского
Абрютин, Владимир Николаевич. Глубокая очистка теллура: усовершенствование оборудования и технологии с применением моделирования технологического процесса / В. Н. Абрютин, И. И. Марончук, Н. А. Потолоков. - С.214-226
Кл.слова: состав примесной, методы очистки, фильтрация
Енишерлова, Кира Львовна. Влияние обработки в азотной плазме на электрические параметры гетероструктур AlGaN/GaN / К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, С. Ю. Боголюбова. - С.227-237
Кл.слова: коллапс, дисперсия, уровни глубокие
Афанасьев, Михаил Сергеевич. Механизм образования пленкообразующей среды при высокочастотном напылении сегнетокерамики состава Ba_xSr_1-xTiO₃ / М. С. Афанасьев. - С.238-244
Кл.слова: плазма высокочастотная кислородная, спектр излучения, механизм распыления
Сиксин, Виктор Валентинович. Создание композиционной теневой защиты для цифрового детектора получения изображений и терапевтического канала на основе нейтронного генератора / В. В. Сиксин. - С.245-255
Кл.слова: фантом водный, материал композитный защитный, коэффициент ослабления
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

Шифр: И517352/2021/24/2
Журнал

Содержание:
Терехова, Юлия Сергеевна. Исследование сегнетоэлектрических нанокомпозитов на основе P(VDF-TrFE) методами сканирующей зондовой микроскопии / Ю. С. Терехова, Д. А. Киселев, А. В. Солнышкин. - С.71-78
Кл.слова: полимеры сегнетоэлектрические, свойства пьезоэлектрические, нанокомпозиты
Алёшин, Андрей Николаевич. Моделирование вольт-амперной характеристики мемристора TiN/HfO₂/Pt при различной толщине токопроводящего канала / А. Н. Алёшин, Н. В. Зенченко, О. А. Рубан. - С.79-87
Кл.слова: уравнения Максвелла, метод конечных элементов, режим биполярный
Евдокимов, Владимир Лукьянович. Моделирование процесса газофазного осаждения и базовых неоднородностей слоев оксида кремния / В. Л. Евдокимов. - С.88-96
Кл.слова: рост гетерогенный, рост гомогенный, показатели неоднородностей
Шамин, Евгений Сергеевич. Поиск начального приближения для задачи экстракции параметров модели мемристора с помощью методов машинного обучения / Е. С. Шамин, Д. А. Жевненко, Ф. П. Мещанинов. - С.97-101
Кл.слова: модель мемристора, характеристика вольт-амперная, обучение машинное
Орлов, Андрей Алексеевич. Моделирование времени до пробоя пористого диэлектрика в системе металлизации интегральных схем современного топологического уровня / А. А. Орлов, А. А. Резванов. - С.102-106
Кл.слова: low-k диэлектрик, пористость, временной пробой диэлектрика
Енишерлова, Кира Львовна. Влияние особенностей PECVD процессов осаждения SiN_x на электрические параметры структур SiN_x/AlGaN/GaN / К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер. - С.107-118
Кл.слова: гетероструктуры, покрытие пассивирующее, пьезозаряд
Томпакова, Назгуль Меиркановна. Исследование влияния кратковременного воздействия кислородной и водородной плазмы на состав и структуру тонких пленок диоксида олова / Н. М. Томпакова, А. А. Полисан. - С.119-130
Кл.слова: сопротивление пленок, оптические свойства пленок, обработка плазмой
Ганиев, Изатулло Наврузович. Кинетика окисления алюминиевого проводникового сплава E-AlMgSi (алдрей) с кадмием в твердом состоянии / И. Н. Ганиев, Ё. Дж. Холов, Дж. Х Джайлоев. - С.131-137
Кл.слова: термогравиметрия, скорость окисления, энергия активации
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

621.382
С 370

    Сим, Павел Евгеньевич.
    Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника / П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян ; науч. конс. В. Н. Брудный ; ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет" (Томск), АО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск). - Томск, 2018. - 112 с. : граф., цв. ил., рис. - Библиогр.: с. 102-110

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.323(043.3)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- ДИССЕРТАЦИИ -- ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- МЕТАЛЛИЗАЦИЯ -- КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ВАКУУМНОЕ НАПЫЛЕНИЕ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Доп.точки доступа:
Троян, Павел Ефимович \науч. рук.\
Брудный, Валентин Натанович \науч. конс.\
ФГБОУ ВО Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
ФГАОУ ВО "Нацианальный исследовательский Томский государственный университет" (Томск)
АО "Научно-производственная фирма "Микран" (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

А
С 370

    Сим, Павел Евгеньевич.
    Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN [Текст] : автореферат диссертации ... кандидата технических наук. Спец. 01.04.04 - Физическая электроника / П. Е. Сим ; науч. рук. П. Е. Троян. - Томск, 2018. - 17 с. : граф., рис. - Библиогр.: с. 15-17

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.323(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- АВТОРЕФЕРАТЫ -- ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ -- КОНТАКТНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Доп.точки доступа:
Троян, Павел Ефимович \науч. рук.\

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.), сбо (1 экз.)
Свободны: счз1 (1), сбо (1)
Постоянная гиперссылка

621.32
А 946

    Афонин, Кирилл Нильевич.
    Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 05.11.07 / К. Н. Афонин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск, 2021. - 113 с. : цв. ил., рис., табл.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.32
~РУБ 621.32

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА -- ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ -- РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СВЕТА -- МОДУЛИ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

10.

А
А 946

    Афонин, Кирилл Нильевич.
    Тепловой режим источника света на основе GaN/InGaN в светодиодных лампах [Текст] : автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.11.07 / К. Н. Афонин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск, 2021. - 25 с. : цв. ил., рис., табл.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.32
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА -- ПОТРЕБЛЯЕМАЯ МОЩНОСТЬ -- РАСПРЕДЕЛЕНИЕ СВЕТА -- МОДУЛИ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)
ООО "Научно-исследовательский институт источников света имени А. Н. Лодыгина" (Саранск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

11.

А
С 956

    Сысоева, Светлана Геннадьевна.
    Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком [Текст] : автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет. - Томск, 2018. - 23 с.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.315.592
535.37
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
СПЕКТРОМЕТРИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАКРОКРИСТАЛЛЫ -- ЭЛЕКТРОННЫЙ ПУЧОК -- ГЕНЕРАТОРЫ -- ПЛОТНОСТЬ ПОТОКА
Доп.точки доступа:
Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск)
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

12.

Шифр: И735453/2020/25/5
Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2020г. т.25 N 5 . - 1633.27, р.

Содержание:
Егоркин, Владимир Ильич. Нормально-закрытый транзистор с затвором p-типа на основе гетероструктур AlGaN/GaN / В. И. Егоркин, В. А. Беспалов, А. А. Зайцев. - С.391-401
Кл.слова: нитрид галия, моделирование, TCAD
Гончаров, Игорь Николаевич. Моделирование процессов электронного усиления в каналах умножителей на пористых структурах оксида алюминия / И. Н. Гончаров, Е. Н. Козырев, И. В. Тваури. - С.402-409
Кл.слова: эмиссия, коэффициент, клмпьютерная модель
Чочаев, Рустам Жамболатович. Модели и методы анализа структуры коммутационных ресурсов ПЛИС / Р. Ж. Чочаев, Д. А. Железников, Г. А. Иванова. - С.410-422
Кл.слова: автоматизация, проектирование, САПР
Иванов, Евгений Андреевич. Импульсный DC/DC-преобразователь напряжения с уменьшенными массогабаритными параметрами / Е. А. Иванов, А. Н. Якунин. - С.423-431
Кл.слова: керамика, коммутация, транзисторы
Амеличев, Владимир Викторович. Микросистемы с высоким коэффициентом преобразования слабого магнитного поля на основе магниторезистивных наноструктур / В. В. Амеличев, А. А. Резнев, А. Н. Сауров. - С.432-439
Кл.слова: эффект, промышленность, конструкция
Йе, Ко Ко Аунг. Моделирование и исследование различных типов подвесов интерционной массы в чувствительных элементах микромеханических приборов / Ко Ко Аунг Йе, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - С.440-451
Кл.слова: акселерометры, частота колебаний, механическое напряжение
Макшаков, Артем Владимирович. Метод и аппаратно-программные средства для измерения с повышенной точностью высоты летательных аппаратов и спускаемых объектов / А. В. Макшаков, Ю. И. Штерн, О. С. Волкова. - С.452-464
Кл.слова: интеллектуальный датчик, погрешность, датчики
Жилинский, Владислав Олегович. Анализ влияния эфемеридно-временной информации на точность решения навигационной задачи по сигналам системы ГЛОНАСС / В. О. Жилинский, Д. С. Печерица, Л. Г. Гагарина. - С.465-474
Кл.слова: спутниковые системы, компонент, исследование
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

13.

А
С 773

    Старосек, Данил Геннадьевич.
    Стабилизация теплового и электрического режимов в нитевидных модулях светоизлучающих GaN/InGan диодов [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04 / Д. Г. Старосек ; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". - Томск : б. и., 2019. - 21 с.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.2
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
СВЕТОДИОДНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ИСТОЧНИКИ СВЕТА -- РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРЫ -- ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

14.

621.382
С 773

    Старосек, Данил Геннадьевич.
    Стабилизация теплового и электрического режимов в нитевидных модулях светоизлучающих GaN/InGan диодов [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04 / Д. Г. Старосек ; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". - Томск : б. и., 2019. - 124 с.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.2
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
СВЕТОДИОДНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ИСТОЧНИКИ СВЕТА -- РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРЫ -- ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

15.

А
В 274

    Великовский, Леонид Эдуардович.
    СВЧ Транзистор миллиметрового диапазона на основе (InA1Ga)N/A1N/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04 / Л. Э. Великовский ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск : б. и., 2019. - 19 с.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.3
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
КОНСТРУКЦИИ -- ТЕХНОЛОГИИ -- ЭФФЕКТЫ -- ПАРАМЕТРЫ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ВЫБОР РЕЖИМОВ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)
АО "Научно-производственная фирма "Микран"

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

16.

621.382
В 274

    Великовский, Леонид Эдуардович.
    СВЧ Транзистор миллиметрового диапазона на основе (InA1Ga)N/A1N/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04 / Л. Э. Великовский ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск : б. и., 2019. - 144 с.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.3
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
КОНСТРУКЦИИ -- ТЕХНОЛОГИИ -- ЭФФЕКТЫ -- ПАРАМЕТРЫ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- ВЫБОР РЕЖИМОВ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)
АО "Научно-производственная фирма "Микран"

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

17.

Шифр: И735453/2020/25/3
Журнал

Содержание:
Федянина, Мария Евгеньевна. Влияние степени кристалличности на дисперсию оптических параметров тонких пленок фазовой памяти Ge₂Sb₂Te₅ / М. Е. Федянина, П. И. Лазаренко, Ю. В. Воробьев. - С.203-218
Кл.слова: многоуровневые устройства, нанофотоника, эллипсометрия
Смирнов, Виталий Иванович. Сравнительный анализ методов измерения топливного сопротивления нитрид-галлиевых НЕМТ-транзисторов / В. И. Смирнов, В. А. Сергеев, А. А. Гавриков. - С.219-233
Кл.слова: модуляция, переходная характеристика, мощность
Иванов, Евгений Андреевич. Цифровая схема коммутации силовых ключей источников питания в квазирезонансном режиме / Е. А. Иванов, А. Н. Якунин. - С.234-143
Кл.слова: транзистор, модуляция, потеря энергии
Тимошенко, Александр Васильевич. Сравнительный анализ аналитических и эмпирических методик оценки текущих параметров надежности радиолокационных комплексов мониторинга / А. В. Тимошенко, Д. В. Калеев, А. Ю. Перлов. - С.244-254
Кл.слова: распределение, прогнозирование, отказ
Базаев, Николай Александрович. Особенности построения автономной носимой аппаратуры искусственного очищения крови / Н. А. Базаев. - С.255-264
Кл.слова: "искусственная почка", диализ, хроническая почечная недостаточность
Шепилова, Кристина Максимовна. Метод трехмерной реконструкции сцены в относительных координатах по двум изображениям с неоткалиброванных видеокамер / К. М. Шепилова, А. В. Сотников, А. В. Шипатов. - С.165-276
Кл.слова: особые точки, триангуляция, стереозрение
Никифоров, Максим Олегович. Влияние технологических параметров процесса атомно-слоевой эпитаксии на однородность толщины зародышевых слоев GaN / М. О. Никифоров, А. А. Дедкова, Б. Н. Рыгалин. - С.277-281
Кл.слова: нитрид галия, эллипсометрия, равномерность
Головлев, Александр Александрович. Оценка эффективности мероприятий по снижению накопления полиэтиленовых отходов в окружающей среде на основе инфологичексой модели / А. А. Головлев, Н. В. Березина, О. В. Кондратьева. - С.282-286
Кл.слова: экономическая эффективность, экологическая эффективность, полигон
Сигову Александру Сергеевичу - 75 лет. - С.287
Кл.слова: МИРЭА, МГУ, научная деятельность
Неволину Владимиру Николаевичу - 75 лет. - С.288
Кл.слова: педагог, исследования, доктор
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

18.

Шифр: И735453/2020/25/1
Журнал

Содержание:
Браже, Рудольф Александрович. Метод определения упругих характеристик графена и других 2D-наноаллотропов / Р. А. Браже, Д. А. Долгов. - С.7-18
Кл.слова: силовые константы, жесткость, модуль Юнга
Белостоцкая, Светлана Олеговна. Латеральная рекристаллизация наноструктур аморфного кремния с использованием силицида никеля / С. О. Белостоцкая, Е. В. Кузнецов, Е. Н. Рыбачек. - С.19-30
Кл.слова: металлостимулирование, MILC, МОП-технология
Новак, Андрей Викторович. Исследование процесса электрохимического стоп-травления кремния при изготовлении кантилеверов / А. В. Новак, В. Р. Новак. - С.31-39
Кл.слова: КОН, мембрана, анизотропия
Исмаил-Заде, Мамед Рашидович. SPICE-модели JFET и MOSFET в широком диапазоне температур / М. Р. Исмаил-Заде. - С.40-47
Кл.слова: электроника, транзистор, экстракция
Гаврилов, Сергей Витальевич. Разработка и сравнительный анализ методов решения задачи размещения для реконфигурируемых систем на кристалле / С. В. Гаврилов, Д. А. Железников. - С.48-57
Кл.слова: элемент, проектирование, автоматизация
Телышев, Дмитрий Викторович. Прогнозирование и оценка надежности аппаратов механического замещения функции сердца / Д. В. Телышев. - С.58-68
Кл.слова: вероятность, безотказность, математическая модель
Зайнабидинов, Сиражиддин. Влияние термического воздействия на электрофизические свойства кремния, легированного редкоземельными элементами / С. Зайнабидинов, Д. Э. Назиров. - С.69-72
Кл.слова: полупроводник, обработка, эффект
Ефимов, Андрей Геннадьевич. Принципы проектирования бортовых многолучевых приемных АФАР систем спутниковой связи / А. Г. Ефимов, А. Г. Каменев, С. А. Корнеев. - С.73-78
Кл.слова: СВЧ, фазовращатель, усилитель
Комаров, Валерий Терентьевич. СВЧ-усилитель мощности до 100 Вт на GaN-транзисторах в режиме большого сигнала / В. Т. Комаров. - С.78-82
Кл.слова: КПД, стабильность, коэффициент
Мьо, Мин Тхант. Влияние емкостей HEMT-транзистора на основные параметры усилителей СВЧ / Мин Тхант Мьо, В. А. Романюк, Н. В. Гуминов. - С.83-88
Кл.слова: GaH, частота, КПД
Памяти Таирова Юрия Михайловича . - С.89-90
Кл.слова: ученый, ЛЭТИ, карбид кремния
Саурову Александру Николаевичу - 60 лет!. - С.91
Кл.слова: директор, ИНМЭ РАН, патенты
Гагарина, Л. Г. Об итогах Международной научно-практической конференции "Актуальные проблемы информатизации в цифровой экономике и научных исследованиях - 2019" / Л. Г. Гагарина, О. Г. Харач. - С.92-93
Кл.слова: СПИНТех, оргкомитет, секции
27-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2020". - С.94
Кл.слова: направления, секции, требования
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

19.

Шифр: И038466/2020/1
Журнал

Физика : научный журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (Томск), Томский государственный университет. - Томск : СФТИ, 1958 - . - ISSN 0021-3411. - Выходит ежемесячно
2020г. N 1 . - 2095.12, р.

Содержание:
Щербинин, Сергей Витальевич. Исследование феррромагнитного резонанса структуры FeNi/Cu/FeNi в составе копланарной линии в частотном диапазоне от 1 до 20 ГГц / С. В. Щербинин, С. О. Волчков, Ch. Swindells. - С.3-10
Кл.слова: поглощение микроволновое, пленки магнитные, элементы литографические микроразмерные
Потекаев, Александр Иванович. Исследование влияния подстилающих сред на импеданс системы из двух произвольно расположенных параллельных линейных антенн / А. И. Потекаев, Г. Н. Парватов, И. И. Горелкин. - С.11-16
Кл.слова: среда слоистая, импеданс взаимный внесенный, СВЧ-зондирование
Беляев, Борис Афанасьевич. Особенности поведения магнитных характеристик вблизи краев тонких пермаллоевых пленок / Б. А. Беляев, Н. М. Боев, А. В. Изотов. - С.17-23
Кл.слова: резонанс ферромагнитный, эффекты краевые, анизотропия магнитная
Игнатьев, Юрий Геннадиевич. Физические характеристики свободных колебаний скалярных полей с нулевой эффективной энергией и Евклидовы циклы в космологических моделях / Ю. Г. Игнатьев, А. Р. Самигуллина. - С.24-31
Кл.слова: модель космологическая, дублет асимметричный скалярный, спектр энергетический
Грунская, Любовь Валентиновна. О корреляции компонент электрического поля Земли по разнесенным в пространстве станциям на гармониках частот обращения релятивистских двойных звездных систем / Л. В. Грунская, В. В. Исакевич, Д. В. Исакевич. - С.32-39
Кл.слова: айгеноскопия, корреляции пространственные, поле Земли электрическое
Бордовицын, Владимир Александрович. Угловой момент конвективного электромагнитного поля релятивистских заряженных частиц / В. А. Бордовицын, А. В. Куликова, О. Танака. - С.40-44
Кл.слова: заряды, излучение релятивистское, физика экспериментальная
Казинский, Петр Олегович. Мощность излучения электрона в графене / П. О. Казинский, Г. Ю. Лазаренко. - С.45-51
Кл.слова: энергия излученная, приближение баллистическое, Ламора формула
Чечин, Леонид Михайлович. Геометрическая оптика во Вселенной с доминированием темной материи / Л. М. Чечин, Е. Б. Курманов, Т. К. Конысбаев. - С.52-56
Кл.слова: космология Фридмана, уравнение состояния нестационарное, линзы гравитационные
Александрова, Анна Геннадьевна. Новый подход к вычислению вековых частот в динамике околоземных объектов на орбитах с большими эксцентриситетами / А. Г. Александрова, Т. В. Бордовицына, Н. А. Попадопуло. - С.57-62
Кл.слова: моделирование численное, резонансы вековые, методики исследования
Галушина, Татьяна Юрьевна. Исследование влияния эффекта Ярковского на движение астероидов с малыми перигелийными расстояниями / Т. Ю. Галушина, О. Н. Летнер. - С.63-70
Кл.слова: моделирование численное, резонансы вековые, ускорение трансверсальное
Аймуханов, Айтбек Калиевич. Влияние наноструктур фталоцианина меди на фотовольтаические характеристики полимерного солнечного элемента / А. К. Аймуханов, А. К. Зейниденов, А. В. Завгородний. - С.71-76
Кл.слова: наночастицы, наноленты, эффект магнитный
Расулов, Рустам Явкачович. Однофотонное поглощение поляризованного излучения p-Te (учет эффекта когерентного насыщения) / Р. Я. Расулов, В. Р. Расулов, Н. З. Мамадалиева. - С.77-83
Кл.слова: теллур, фотоны, дихроизм линейно-циркулярный
Филиппов, Иван Адреевич. Плазменное травление в технологии InAlN/GaN НЕМТ / И. А. Филиппов, В. А. Шахнов, Л. Э. Великовский. - С.84-87
Кл.слова: транзисторы полевые, травление плазменное, деградация параметров
Нежельская, Людмила Алексеевна. Оценивание параметра непродлевающегося мертвого времени случайной длительности в рекуррентном обобщенном асинхронном потоке физических событий / Л. А. Нежельская, А. А. Першина. - С.88-93
Кл.слова: метод моментов, потоки событий, модели математические
Павельчук, Анна Владимировна. Подход к численной реализации диффузно-дрейфовой модели полевых эффектов, индуцированных движущимся источником физического эксперимента / А. В. Павельчук, А. Г. Масловская. - С.94-100
Кл.слова: моделирование математическое, эксперименты вычислительные, диффузия
Демьянов, Александр Юрьевич. Эффект электроосмоса в тонких каналах / А. Ю. Демьянов, О. Ю. Динариев, Е. Л. Шараборин. - С.101-106
Кл.слова: слой двойной электрический, Гельмгольца энергия, моделирование численное
Олейник, Андрей Николаевич. Электризация боковой поверхности Z-ориентированного монокристалла ниобата лития при пироэлектрическом эффекте / А. Н. Олейник, П. В. Каратаев, А. А. Кленин. - С.107-113
Кл.слова: сегнетоэлектрики, заряд электрический, излучение рентгеновское
Тимофеева, Екатерина Евгеньевна. Влияние термомеханических выдержек при высокой температуре и нагрузке на мартенситные превращения в высокопрочных кристаллах Ti - 51.8 ат. % Ni / Е. Е. Тимофеева, Е. Ю. Панченко, А. И. Тагильцев. - С.114-120
Кл.слова: сверхэластичность, гистерезис, старение
Киреева, Ирина Васильевна. Температурная и ориентационная зависимость механических свойств монокристаллов высокоэнтропийного сплава Al_0.3CoCrFeNi, упрочненных некогерентными частицами β-фазы / И. В. Киреева, Ю. И. Чумляков, З. В. Победенная. - С.121-127
Кл.слова: деформация растяжением, скольжение, разрушение
Демкин, Владимир Петрович. Численный расчет электрофизических и термодинамических характеристик плазмы тлеющего разряда в кислороде атмосферного давления, формируемой после искрового пробоя / В. П. Демкин, С. В. Мельничук, А. В. Постников. - С.128-134
Кл.слова: моделирование численное, газ электроотрицательный, приложения биомедицинские
Гончарова, Дарья Алексеевна. Особенности структуры и морфологии медь-цериевых нанопорошков, полученных импульсной лазерной абляцией / Д. А. Гончарова, Д. А. Свинцицкий, О. А. Стонкус. - С.135-143
Кл.слова: меди оксид, наночастицы, спектроскопия
Савотченко, Сергей Евгеньевич. Влияние интенсивности темновой засветки на характеристики поверхностных волн, распространяющихся вдоль границы раздела фоторефрактивного и нелинейного керровского кристаллов / С. Е. Савотченко. - С.144-153
Кл.слова: граница раздела сред, преломление, пучки световые
Исакова, Алина Алексеевна. Комбинированная СВЧ- и ВЧ-модуляция тока инжекции диодного лазера для многочастотной накачки КПН-резонансов / А. А. Исакова, К. Н. Савинов, Н. Н. Головин. - С.154-158
Кл.слова: источник накачки, лазеры, режимы генерации
Гынгазов, Сергей Анатольевич. Поверхностная модификация ZrO₂-3Y₂O₃ интенсивными импульсными ионными пучками N²⁺ / С. А. Гынгазов, Peng Zhu Xiao, А. И. Пушкарев. - С.159-161
Кл.слова: циркония диоксид, ионы азота, проводимость
Буянов, Григорий Олегович. Электродинамический метод повышения текучести высоковязкой нефти при ее извлечении / Г. О. Буянов, А. Е. Шиканов. - С.162-164
Кл.слова: поле высокочастотное магнитное, нагрев локальный, вязкость
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

20.

Шифр: И517352/2018/21/3
Журнал

Содержание:
Пашкевич, Алексей Владимирович. Структура и электрические свойства легированных железом керамик на основе оксида цинка / А. В. Пашкевич, А. К. Федотов, Ю. В. Касюк. - С.133-145
Кл.слова: структура фазовая, материалы керамические композиционные, агенты легирующие
Козлова, Нина Семеновна. Особенности проявления поверхностных электрохимических процессов в сегнетоэлектрических кристаллах с низкотемпературными фазовыми переходами / Н. С. Козлова, Е. В. Забелина, М. Б. Быкова. - С.146-155
Кл.слова: классы полярные, эффект пироэлектрический, токи короткого замыкания
Агаркова, Екатерина Алексеевна. Влияние фазового состава и локальной кристаллической структуры на транспортные свойства твердых растворов ZrO₂–Y₂O₃ и ZrO₂–Cd₂O₃ / Е. А. Агаркова, М. А. Борик, В. Т. Бублик. - С.156-165
Кл.слова: диоксид циркония, рост кристаллов, проводимость ионная
Щербаков, Сергей Владиленович. Влияние замещения алюминием на поле эффективной магнитной анизотропии и степень магнитной текстуры анизотропных поликристаллических гексагональных ферритов бария и стронция для подложек микрополосковых приборов СВЧ-электроники / С. В. Щербаков, А. Г. Налогин, В. Г. Костишин. - С.166-174
Кл.слова: технология керамическая, легирование, рекристаллизация
Абгарян, Каринэ Карленовна. Расчет теплопереноса в наноразмерных гетероструктурах / К. К. Абгарян, И. С. Колбин. - С.175-181
Кл.слова: моделирование численное, интерфейс, нанокомпозиты
Енишерлова, Кира Львовна. Влияние технологических факторов на характеристики омических контактов мощных ALGaN/GaN/SiC–HEMT / К. Л. Енишерлова, Б. К. Медведев, Э. М. Темпер. - С.182-193
Кл.слова: гетероструктура, микрорельеф, ток утечки
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

1-20 21-40 41-60 61-80 81-89

Статистика за 29.06.2024
Число запросов	86207
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)