Авторизация
 

Базы данных


Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска
Основная база библиотеки
База данных нормативных документов
Персоналии ученых-профессоров ТУСУРа
Календарь знаменательных дат
Электронные книги ЛитРес
ЭБС «Лань»
ЭБС «Юрайт»
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйдля рабочих программ
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=530.145(043.3)<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
А
П 56

    Пономарев, Дмитрий Сергеевич.
    Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Д. С. Пономарев ; науч. рук. И. С. Васильевский ; Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (М.). - М., 2012. - 22 с : рис. - Библиогр.: с. 20

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
2.
А
Х 12

    Хабибуллин, Рустам Анварович.
    Электронные свойства квантовых ям Al {\dn x}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn x}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Р. А. Хабибуллин ; науч. рук. И. С. Васильевский ; ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф. В, Лукина. - М., 2012. - 22 с : рис., табл. - Библиогр.: с. 21

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
3.
А
П 91

    Пушкарев, Сергей Сергеевич.
    Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных HEMT наногетероструктур In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Ga{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As на подложках GaAs и InP [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / С. С. Пушкарев ; ФГБУ "Национальный исследовательский центр КУрчатовский институт". - М., 2013. - 26 с : рис. - Библиогр.: с. 23

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
4.
А
Ю 20

    Юзеева, Наталия Александровна.
    Электронные свойства структур с квантовой ямой In {\dn x} Ga {\dn 1-x} (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Н. А. Юзеева ; Институт спектроскопии РАН. - М., 2013. - 22 с : рис., табл. - Библиогр.: с. 20

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка
 
Стандартный
Расширенный
Профи
По словарю
Статистика
за 03.07.2024
Число запросов 94925
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)