Библиотека ТУСУРа

Базы данных

Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Основная база библиотеки

База данных нормативных документов

Персоналии ученых-профессоров ТУСУРа

Календарь знаменательных дат

Электронные книги ЛитРес

ЭБС «Лань»

ЭБС «Юрайт»

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	для рабочих программ

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

621.382
Т 562

    Томашевич, Александр Александрович.
    Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5 / А. А. Томашевич ; науч. рук. С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 128 с. : рис., табл.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382:621.315.592(043.3)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- ДИССЕРТАЦИИ -- ИСТОЧНИКИ СВЕТА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НИТРИДЫ -- СПЕКТРЫ СВЕЧЕНИЯ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ -- ДИОДЫ
Доп.точки доступа:
Еханин, Сергей Георгиевич \науч. рук.\
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

А
Т 562

    Томашевич, Александр Александрович.
    Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5 / А. А. Томашевич ; науч. рук. С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 25 с. : рис., табл.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382:621.315.592(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ -- АВТОРЕФЕРАТЫ -- ИСТОЧНИКИ СВЕТА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НИТРИДЫ -- СПЕКТРЫ СВЕЧЕНИЯ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ -- ДИОДЫ
Доп.точки доступа:
Еханин, Сергей Георгиевич \науч. рук.\
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

Шифр: Д118812/2018/2
Журнал

Датчики и системы : ежемесячный научно-технический и производственный журнал/ Институт проблем управления РАН (М.), Московский государственный институт электроники и математики. - М. : СенСиДат, 1998 - . - ISSN 1992-7185. - Выходит ежемесячно
2018г. N 2 . - 1319.17, р.

Содержание:
Головин, Анатолий Владимирович. Двухполярный спектрометр ионной подвижности / А. В. Головин, В. К. Васильев, И. А. Иванов. - С.4-9
Кл.слова: детектирование, полярность, верификация
Малкин, Евгений Константинович. Модернизация алгоритмов системы управления нагревателями и газовыми насосами спектрометра ионной подвижности / Е. К. Малкин, М. А. Матуско, В. К. Васильев. - С.10-14
Кл.слова: температура, стабилизация, детектирование
Андрианов, Андрей Владимирович. Методика гибридной верификации СБИС "система - на - кристалле" / А. В. Андрианов, Игорь Иванович Шагурин. - С.14-18
Кл.слова: тестирование, моделирование, программирование
Бутузов, Владимир Алексеевич. Новый метод улучшения динамических характеристик АЦП последовательного приближения / В. А. Бутузов, Ю. И. Бочаров, В. Е. Шунков. - С.19-24
Кл.слова: преобразователь, КМОП-технология, топология
Лебедев, Анатолий Алексеевич. Проектирование прецизионных операционных усилителей для измерительных систем / А. А. Лебедев, Е. Ю. Старков, И. С. Панков. - С.24-27
Кл.слова: каскад, частица, сигнал
Барбашов, Вячеслав Михайлович. Топологические вероятностные модели БИС для обеспечения информационной надежности электронных систем при воздействии радиации / В. М. Барбашов, Н. С. Трушкин. - С.28-31
Кл.слова: соотношение, параметр, разброс
Бакеренков, Александр Сергеевич. Цифровой датчик поглощенной дозы на основе коммерческого МОП-транзистора / А. С. Бакеренков, Б. И. Подлепецкий, В. А. Фелицын. - С.31-36
Кл.слова: излучение, ион, радиация
Подлепецкий, Борис Иванович. МДП-транзистор как первичный преобразователь дозы ионизирующего излучения / Б. И. Подлепецкий, А. С. Бакеренков, В. А. Фелицын. - С.36-42
Кл.слова: дозиметр, модель, сигнал
Бакеренков, Александр Сергеевич. Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы / А. С. Бакеренков, А. С. Родин, Вячеслав Сергеевич Першенков. - С.43-47
Кл.слова: радиация, деградация, параметр
Шуренков, Владимир Васильевич. Механизмы деградации полупроводниковых систем под действием электромагнитного импульса / В. В. Шуренков. - С.47-52
Кл.слова: излучение, компонент, сбой
Петухов, Кирилл Алексеевич. Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с р-каналом при длительном воздействии гамма-излучения / К. А. Петухов, В. Д. Попов. - С.53-56
Кл.слова: интенсивность, облучение, электрон
Краснюк, Андрей Анатольевич. Моделирование многозатворных транзисторных структур как элементов электронных датчиков / А. А. Краснюк, Е. В. Марьина, Э. Ф. Имаметдинов. - С.56-60
Кл.слова: модуляция, быстродействие, резонанс
Лапшинский, Валерий Алексеевич. Микросхемы "умной" ассоциативной памяти: тенденции развития, классификация и применение / В. А. Лапшинский. - С.60-65
Кл.слова: адресация, выборка, обработка
Симаков, Андрей Борисович. Мобильный инструментальный комплекс для оперативного мониторинга альфа-радиоактивного загрязнения местности / А. Б. Симаков, Е. М. Онищенко, В. П. Мирошниченко. - С.66-70
Кл.слова: счетчик, аэроион, интерфейс
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

621.315
М 607

    Мильвидский, Михаил Григорьевич.
    Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] / М. Г. Мильвидский. - М. : Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - 144 с : рис., табл. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр.: с. 144. - 00.50 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.315
~РУБ 621.315

Кл.слова (ненормированные):
МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ -- КРЕМНИЙ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ФОСФИД ИНДИЯ -- ЭПИТАКСИЯ -- ПРИМЕСИ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЕРХРЕШЕТКИ -- ПОЛИКРИСТАЛЛЫ

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (2 экз.)
Свободны: аунл (2)
Постоянная гиперссылка

54
Х 465

    Химия твердого тела [Текст] : межвузовский сборник. - Свердловск : УПИ.
   Вып. 2 / Мин-во высш. и среднего и спец. образования РСФСР. - 1978. - 176 с : рис., табл. - Библиогр. в конце ст. - 01.50 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
548(045)
~РУБ 54

Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛЫ -- СОЕДИНЕНИЯ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ -- ПОЛЗУЧЕСТЬ -- ДИФФУЗИЯ -- ОБЛУЧЕНИЕ -- ПРИМЕСИ -- ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ -- МАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ
Доп.точки доступа:
Мин-во высш. и среднего и спец. образования РСФСР
Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (1 экз.)
Свободны: аунл (1)
Постоянная гиперссылка

Шифр: И517352/2012/2
Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2012г. N 2

Содержание:
Кузнецов, Ф. А. Новые металлорганические прекурсоры и процессы химического осаждения из газовой фазы в технологиях наноматериалов / Ф. А. Кузнецов, Т. П. Смирнова, Н. И. Файнер. - С.4-12
Кл.слова: пленки, дифракция, фазовый состав
Ежлов, В. С. Исследование свойств крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] / В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молдцова. - С.13-17
Кл.слова: дефекты, пропускание, неоднородность
Бублик, В. Т. Изменение структуры приконтактной области термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута при повышенных температурах / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, В. Ф. Пономарев. - С.17-20
Кл.слова: генератор, слой, покрытия
Бузанов, О. А. Люминесценция кристаллов лантан-галлиевого танталата / О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Н. А. Симинел. - С.21-24
Кл.слова: спектры, частота импульса, область
Киселев, Д. А. Инициирование поляризованного состояния в тонких пленках ниобата лития, синтезированных на изолированные кремниевые подложки / Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков. - С.25-29
Кл.слова: метод зонда, потенциал, стойкость
Каниева, И. И. Управление микроструктурой и свойствами ферритов с помощью двухстадийного синтеза / И. И. Каниева, В. Г. Костишин, В. Г. Андреев. - С.30-36
Кл.слова: потери, прочность, проницаемость
Гольдштейн, Р. В. Моделирование влияния внутренних механических напряжений на скорость роста кислородных преципитатов в кремнии / Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. - С.37-42
Кл.слова: диффузия, скорость, реакция
Васильев, Ю. Б. Особенности дефектообразования в процессе термообработки бездислокационных монокристаллических пластин кремния большого диаметра с заданным распределением в объеме кислородсодержащих геттерирующих центров / Ю. Б. Васильев, Н. А. Верозуб, М. В. Меженный. - С.43-50
Кл.слова: микродефект, вакансия, атом
Подвигалкин, В. Я. Особенности жидкофазного нанесения полимерных толстопленочных нанокомпозитных покрытий на твердотельные подстилающие поверхности / В. Я. Подвигалкин, П. А. Музалев, Н. М. Ушаков. - С.51-58
Кл.слова: просветление, преобразование, наносреда
Анфимов, И. М. Механизмы электропроводности кремний-углеродных нанокомпозитов с наноразмерными включениями вольфрама в интервале температур 20-200° C / И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович. - С.58-60
Кл.слова: электропроводность, энергия, активация
Кожитов, Л. В. Структурные особенности нанокомпозита FeNi₃/C полученного при ИК-нагреве / Л. В. Кожитов, А. В. Костикова, В. В. Козлов. - С.61-64
Кл.слова: матрица, пермаллой, акрилонитрил
Глазов, А. Л. Анализ процессов распространения тепла в структурах импульсных силовых приборов вблизи плоскостей спая кремниевых пластин в высоковольтные "столбы" / А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков. - С.65-69
Кл.слова: диагностика, переключатели, приборы
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

Шифр: И517352/2010/2
Журнал

Содержание:
Орлов, О. М. Некоторые тенденции развития и совершенствования КМОП-технологии нанометрового топологического диапазона / О. М. Орлов, В. Н. Мурашев. - С.4-12
Кл.слова: КМОП, СБИС, транзисторы
Богомолов, А. А. Пироэлектрический отклик и нестационарный фототок короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn₂P₂S₆ / А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев. - С.13-17
Кл.слова: короткое замыкание, пленки, полупроводники
Кульчицкий, Н. А. Современное состояние производства CdTe, ZnTe и Cd_1-хZn_хTe / Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов. - С.17-24
Кл.слова: теллурид кадмия, детекторы, получение кристаллов
Колесников, Н. Н. Универсальная технология выращивания кристаллов широкозонных II-VI-соединений / Н. Н. Колесников, А. В. Тимонина. - С.24-28
Кл.слова: полупроводники, рост кристаллов, соединения II-VI
Бородин, А. В. Исследование микровключений в профилированных кристаллах сапфира / А. В. Бородин, В. А. Бородин, В. Е. Искоростинская. - С.29-33
Кл.слова: оптика, сапфир, дефекты
Афанасьев, Ю. Н. Влияние отклонения от стехиометрии на фазовый состав и свойства Y-Al-феррограната / Ю. Н. Афанасьев, И. С. Рыбачук, И. И. Канева. - С.34-38
Кл.слова: магнетит, ортоферрит иттрия, феррогранат
Акимова, Т. В. Ферритовые материалы для повышенных рабочих температур / Т. В. Акимова, Д. Г. Крутогин, Ю. М. Краюшкина. - С.38-42
Кл.слова: электроника, ферриты, материалы
Андреев, В. Г. Исследование влияния длительности измельчения порошков гексаферрита стронция на микроструктуру и свойства магнитов на их основе / В. Г. Андреев, И. И. Канева, С. В. Подгорная. - С.43-47
Кл.слова: микроструктура, частицы, гексаферрит стронция
Копаев, А. В. Влияние добавок оксидов металлов на температурную зависимость магнитных потерь в Mn-Zn-ферритах / А. В. Копаев. - С.47-49
Кл.слова: ферриты, оксиды металлов, магнитные потери
Корольченко, А. С. Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей / А. С. Корольченко, С. А. Леготин, С. И. Диденко. - С.50-54
Кл.слова: солнечные батареи, КВМП, КВМСБ
Маняхин, Ф. И. Влияние режимов эксплуатации светодиодов на процесс дефектообразования в области p-n-перехода и снижение квантового выхода / Ф. И. Маняхин. - С.54-57
Кл.слова: светодиод, гетероструктура, точечные дефекты
Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AIN, используемых для выращивания светодиодных гетеростуктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков. - С.58-62
Кл.слова: нитрид алюминия, монокристаллы, проводимость
Крутогин, Д. Г. История электроники в России / Д. Г. Крутогин. - С.63-72
Кл.слова: радиотехника, радиоэлектроника, Россия
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

    Еханин, С. Г.
    Кинетика дефектообразования в ЩГК в сверхсильном электрическом поле : статья / С. Г. Еханин, Н. С. Несмелов, Л. Ю. Солдатова // Известия вузов. Физика. - 1997. - № 4. - С. 3-6. - Библиогр. в конце ст.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа

Доп.точки доступа:
Несмелов, Н. С.
Солдатова, Л. Ю.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : СБО (1)
Свободны: СБО (1)

Постоянная гиперссылка

Статистика за 27.06.2024
Число запросов	7556
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)