Библиотека ТУСУРа

Базы данных

Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Основная база библиотеки

База данных нормативных документов

Персоналии ученых-профессоров ТУСУРа

Календарь знаменательных дат

Электронные книги ЛитРес

ЭБС «Лань»

ЭБС «Юрайт»

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	для рабочих программ

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

621.382
Ч-683

    Чистоедова, Инна Анатольевна.
    Современные микро- и нанотехнологии [Текст] : учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для магистрантов по направлению 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника" / И. А. Чистоедова ; рец.: А. В. Мостовщиков, А. П. Коханенко ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (М.), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУРа, 2022. - 56 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 50-51. - ISBN 978-5-86889-976-8 : 788.21 р., 788.27 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382-022.532(075.4)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
УЧЕБНЫЕ ИЗДАНИЯ -- МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ -- САМОСТОЯТЕЛЬНЫЕ РАБОТЫ -- СУБМИКРОНЫ -- ПРОЕКЦИОННАЯ ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ГЕТЕРОБИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ДИЭЛЕКТРИКИ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Доп.точки доступа:
Мостовщиков, А. В. \рец.\
Коханенко, А. П. \рец.\
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (М.)
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Имеются экземпляры в отделах: , счз1 (1 экз.), аунл (24 экз.)
Свободны: счз1 (1), аунл (24)
Постоянная гиперссылка

Шифр: И517352/2012/3
Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2012г. N 3

Содержание:
Бублик, В. Т. Структура объемного термоэлектрического материала на основе (Bi,Sb)₂Te₃, полученного методом искрового плазменного спекания / В. Т. Бублик, И. А. Драбкин, В. В. Каратаев. - С.10-17
Кл.слова: шаровая мельница, дефекты, наночастица
Драбкин, И. А. Термоэлектрические свойства материала на основе (Bi,Sb)₂Te₃, полученного методом искрового плазменного спекания / И. А. Драбкин, В. В. Каратаев, В. Б. Освенский. - С.18-21
Кл.слова: Хармана метод, дефекты, растворы
Быков, А. С. Исследование ориентационной зависимости латерального пьезоотклика в Y-срезе периодически поляризованных монокристаллов ниобата лития / А. С. Быков, Д. А. Киселев, В. В. Антипов. - С.22-25
Кл.слова: частота, граница, знак
Рощупкин, Д. В. Перспективные материалы акустоэлектроники / Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин. - С.25-28
Кл.слова: объемные волны, поверхностные волны, топография
Костишин, В. Г. О некоторых методах индуцирования высококоэрцитивного состояния в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов для термомагнитной записи информации / В. Г. Костишин, А. Т. Морченко, Д. Н. Читанов. - С.29-34
Кл.слова: коэрцетивная сила, носители, трубка
Лаврентьев, М. Г. Математическое моделирование процесса экструзии термоэлектрического материала / М. Г. Лаврентьев, М. В. Меженный, В. Б. Освенский. - С.35-40
Кл.слова: деформация, напряжение, фильер
Кузнецов, В. С. К вопросу о механизме пространственной самоорганизации свободных носителей тока в сильных электрических полях / В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов. - С.40-44
Кл.слова: пробой, рекомбинация, глубокие уровни
Быткин, С. В. Экспериментальное исследование характеристик тиристоров, изготовленных на Si, при действии гамма-облучения / С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин. - С.45-48
Кл.слова: монокристалл, легирование, кремний
Кобелева, С. П. Влияние условий формирования первого каскада трехкаскадного солнечного элемента на распределение фосфора в германии / С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, Б. В. Жалнин. - С.48-50
Кл.слова: диффузия, гетероструктура, переход
Рабинович, О. И. Моделирование зависимости квантового выхода InGaN/Si светодиодов от плотности тока / О. И. Рабинович, В. П. Сушков. - С.50-53
Кл.слова: деградация, набор, заряд
Балагуров, Л. А. Исследование процесса формирования нанопористых и нанотрубчатых слоев оксида титана методом электрохимической импедансной спектроскопии / Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова. - С.54-59
Кл.слова: электролит, травление, фольга
Кожитов, Л. В. Новые металлоуглеродные нанокомпозиты и углеродный нанокристаллический материал с перспективными свойствами для развития электроники / Л. В. Кожитов, В. В. Козлов, А. В. Костикова. - С.59-67
Кл.слова: сенсорные устройства, катализаторы
Щербачев, К. Д. Влияние фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя "кремний-на-изоляторе" / К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова. - С.68-71
Кл.слова: имплантация, радиационные дефекты
Лютцау, А. В. Исследование гетероструктур методом рентгеновской однокристальной дифрактометрии / А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова. - С.72-78
Кл.слова: аккумуляция, обеднение, глубокие уровни
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

539.2
Р 153

    Радиационно-стимулированные явления в твердых телах : межвузовский сборник научных трудов / Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР, Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова; ред. В. С. Кортов. - Свердловск : Издание УПИ, 1979 - .
   Вып. 8. - Свердловск : Издание УПИ, 1988. - 149, [3] с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
539.21:539.12.04(06)
~РУБ 539.2

Кл.слова (ненормированные):
радиационно-стимулированные явления -- радиационное облучение -- физика твердого тела -- твердое тело -- электронная эмиссия -- люминесценция -- экзоэмиссия -- ионизирующие излучения -- кристаллы -- радиационные дефекты
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С. \ред.\
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР
Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (1 экз.)
Свободны: аунл (1)
Постоянная гиперссылка

539.2
Р 153

    Радиационно-стимулированные явления в твердых телах : межвузовский сборник / Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР, Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова; ред. В. С. Кортов. - Свердловск : Издание УПИ, 1979 - .
   Вып. 6. - Свердловск : Издание УПИ, 1984. - 145, [2] с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
539.21:539.12.04(06)
~РУБ 539.2

Кл.слова (ненормированные):
радиационно-стимулированные явления -- радиационное облучение -- физика твердого тела -- твердое тело -- электронная эмиссия -- люминесценция -- экзоэмиссия -- микротроны -- ионизирующие излучения -- кристаллы -- радиационные дефекты
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С. \ред.\
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР
Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (1 экз.)
Свободны: аунл (1)
Постоянная гиперссылка

539.2
Р 153

    Радиационно-стимулированные явления в твердых телах : межвузовский сборник / Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР, Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова; ред. В. С. Кортов. - Свердловск : Издание УПИ, 1979 - .
   Вып. 5. - Свердловск : Издание УПИ, 1983. - 144 с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
539.21:539.12.04(06)
~РУБ 539.2

Кл.слова (ненормированные):
радиационно-стимулированные явления -- радиационное облучение -- физика твердого тела -- твердое тело -- электронная эмиссия -- люминесценция -- экзоэмиссия -- кристаллы -- радиационные дефекты
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С. \ред.\
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР
Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (1 экз.)
Свободны: аунл (1)
Постоянная гиперссылка

539.2
Р 153

    Радиационно-стимулированные явления в твердых телах : межвузовский сборник / Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР, Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова; ред. В. С. Кортов. - Свердловск : Издание УПИ, 1979 - .
   Вып. 2. - Свердловск : Издание УПИ, 1980. - 149, [2] с. : ил., табл. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
539.21:539.12.04(06)
~РУБ 539.2

Кл.слова (ненормированные):
радиационно-стимулированные явления -- радиационное облучение -- физика твердого тела -- твердое тело -- электронная эмиссия -- кристаллы -- радиационные дефекты
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С. \ред.\
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР
Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (1 экз.)
Свободны: аунл (1)
Постоянная гиперссылка

А
Н 731

    Новиков, Владимир Александрович.
    Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP₂, ZnGeP₂) полупроводниковых фосфидах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук наук. 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. : В. Н. Брудный ; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт. - Томск, 2007. - 24[2] с. : ил. - Библиогр.: с. 22-24

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.315.592.2:620.19(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
авторефераты -- полупроводниковые материалы -- полупроводники -- радиационные дефекты -- фосфиды А{\dn III} В{\dn V} -- полупроводниковые фосфиды -- электрофизические свойства -- тензоэлектрические свойства -- InP -- GaP -- CdSnP{\dn 2} -- ZnGeP{\dn 2} -- дефекты в кристаллах
Доп.точки доступа:
Брудный , Валентин Натанович \науч. рук.\
Томский государственный университет
Сибирский физико-технический институт

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

537
Ф 505


    Физические процессы в облученных полупроводниках : Монография / Академия наук СССР, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников ; ред. Л. С. Смирнов. - Новосибирск : Наука, 1977. - 253[3] с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
537.311.322
621.039.553
~РУБ 537

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- облучательные полупроводники -- радиационные дефекты
Доп.точки доступа:
Смирнов, Л. С. \ред.\
Академия наук СССР. Сибирское отделение
Институт физики полупроводников

Имеются экземпляры в отделах: аунл (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: аунл (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

621.382
Г 740

    Готра, Зенон Юрьевич.
    Технология микроэлектронных устройств : Справочник / З. Ю. Готра. - М. : Радио и связь, 1991. - 528 с. : ил, табл. - Библиогр.: с. 526. - ISBN 5-256-00699-1 : 04.00 р., 10.83 р., 21.66 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.049.77.002(035.5)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
СПРАВОЧНИКИ -- ДИФФУЗИИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ОБРАБОТКА КРИСТАЛЛОВ -- ЭПИТАКСИЯ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ЛИТОГРАФИЯ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- МИКРОСВАРКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПОДЛОЖКИ -- ГЕТТЕРИРОВАНИЕ

Имеются экземпляры в отделах: , аунл (41 экз.), счз1 (2 экз.)
Свободны: аунл (40), счз1 (2)
Постоянная гиперссылка

10.

539.2
В 121

    Вавилов, Виктор Сергеевич.
    Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах : монография / В. С. Вавилов, Н. А. Ухин. - М. : Атомиздат, 1969. - 310, [2] с. : ил. - Библиогр.: с. 297-308. - Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
537.311.322
621.382
539.1
~РУБ 539.2

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ -- МОНОГРАФИИ
Доп.точки доступа:
Ухин, Николай Андреевич

Имеются экземпляры в отделах: аунл (2 экз.)
Свободны: аунл (2)
Постоянная гиперссылка

Статистика за 28.06.2024
Число запросов	98690
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)