621.314
П 311

    Петропольский, Н. В.
    Магнитно-транзисторные преобразователи [Текст] : учебное пособие / Н. В. Петропольский, В. В. Попов ; Министерство высшего и среднего образования РСФСР. - М. : Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, 1981. - 116 с : рис., табл. - Библиогр.: с. 114. - 00.30 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , аунл (1 экз.)
Свободны: аунл (1)

Шифр: И517352/2010/3
   Журнал
Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2010г. N 3
Содержание:
Залетин, В. М. Широкозонные полупроводниковые соединения для детекторов рентгеновского и гамма-излучения / В. М. Залетин, В. П. Варварица. - С.4-13
Кл.слова: детекторы, кристаллы, соединения
Быткин, С. В. Сравнительный анализ электрофизических параметров монокристаллов кремния, подвергнутых длительному хранению при 300 К / С. В. Быткин, Т. В. Критская. - С.14-18
Кл.слова: кремний, монокристаллы, временная стабильность
Чигир, С. Н. Выращивание трубчатых монокристаллов кремния методом Чохральского / С. Н. Чигир, Т. Т. Кондратенко, И. В. Силаев. - С.18-24
Кл.слова: Чохральского метод, кремний, монокристаллы
Вайнтрауб, М. В. Влияние условий получения на механические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата / М. В. Вайнтрауб, Н. С. Козлова, М. И. Петржик. - С.25-29
Кл.слова: твердость, кристаллы, выращивание кристаллов
Сидиров, Н. В. Исследование фоторефрактивных свойств кристаллов LiNbO3: Gd3+ методами фоторефрактивного и комбинационного рассеяния света / Н. В. Сидиров, А. В. Сюй, Е. А. Антонычева. - С.30-34
Кл.слова: дефекты, ниобат лития, рассеяние света
Цыганков, В. Н. Излучение электрофизических свойств твердых растворов в системах CeO2-MхOу (M = Dy, Gd, Y, Yb) и CeO2-Co (MgO, ZrO2) / В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов. - С.35-36
Кл.слова: термочувствительность, электропроводность, датчики
Кольцов, Г. И. Исследование спектральных характеристик детекторов ядерных излучений на GaAs, полеченном методом хлоридной эпитаксии / Г. И. Кольцов, С. И. Диденко, А. В. Черных. - С.37-42
Кл.слова: арсенид галлия, детекторы, хлоридная эпитаксия
Белогорохов, А. И. Эпитаксиальные слои Pb1-хSnхTe для приемников терагерцового излучения / А. И. Белогорохов, А. А. Коновалов, Ю. Н. Пархоменко. - С.43-45
Кл.слова: полупроводники, жидкофазная эпитаксия, излучения
Курова, И. А. О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si : H / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт. - С.45-48
Кл.слова: кремний a-Si : H, фотопроводимость, пленки
Билалов, Б. А. Исследование электрических свойств анизотипных гетероструктур (SiC)1-х(AIN)х/SiC / Б. А. Билалов, М. К. Курбанов, А. А. Наджиев. - С.48-51
Кл.слова: туннелирование, носители заряда, гетероструктуры
Филимонов, С. Н. Влияние проницаемости края 2D-островка на переход от 2D- к 3D-росту / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье. - С.52-59
Кл.слова: гетероэпитаксия, островки, изломы
Бублик, В. Т. О механизме образования микродефектов в монокристаллах GaP / В. Т. Бублик, М. И. Воронова, Н. Ю. Табачкова. - С.60-63
Кл.слова: микродефекты, монокристаллы, галлий
Козловский, А. А. Термоэлектрические свойства керамик Er1-хAхCoO3-δ и Ho1-хAхCoO3-δ (A - Ca, Sr) / А. А. Козловский, В. Ф. Хирный, Т. Г. Дейнека. - С.64-69
Кл.слова: материалы, кобальтиты, Зеебека коэффициент
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)