> Шифр: И517352/2021/24/1 Журнал 2021г. т.24 N 1 . - 3036.03, р. Яркин, Владимир Николаевич. Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния / В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская. - С.5-26 Кл.слова: Сименс-процесс, дистилляция реактивная, кремний Югова, Татьяна Георгиевна. Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром / Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский. - С.27-33 Кл.слова: арсенид галлия, спектр отражения, взаимодействие плазмон-фононное Мололкин, Анатолий Анатольевич. Особенности высокотемпературной монодоменизации конгруэнтных сегнетоэлектрических кристаллов твердого раствора LiNb0,5Ta0,5O3 / А. А. Мололкин, Д. В. Рощупкин, Е. В. Емелин. - С.34-39 Кл.слова: ниобат лития, выращивание кристаллов, актюаторы Малышкина, Ольга Витальевна. Зависимость диэлектрических свойств керамики титаната бария и композита на его основе от температуры спекания / О. В. Малышкина, А. И. Иванова, Г. С. Шишков. - С.40-47 Кл.слова: проницаемость диэлектрическая, точка Кюри, поляризация спонтанная Кормилицина, Светлана Сергеевна. Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия / С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев. - С.48-56 Кл.слова: метод Чохральского, полировка химическая, ориентация кристаллографическая Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |
М 420 Медведев, Сергей Александрович. Введение в технологию полупроводниковых материалов [Текст] : учебное пособие / С. А. Медведев. - М. : Высш. школа, 1970. - 504 с : рис., табл. - Библиогр. в конце глав. - 01.16 р. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: , аунл (3 экз.) Свободны: аунл (3) |
Щ 643 Щербина, Ольга Борисовна. Кристаллические и керамические функциональные и конструкционные материалы на основе оксидных соединений ниобия и тантала с микро- и наноструктурами [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 05.17.01 / О. Б. Щербина ; науч. рук. М. Н. Палатников ; Российская Академия Наук, Кольский научный центр (Апатиты), Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья. - Апатиты, 2012. - 29 с. : ил. - Библиогр.: с. 26-28 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.) Свободны: счз1 (1) |
Ф 534 Филиппов, Максим Михайлович. Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 05.13.01 / М. М. Филиппов ; науч. рук. В. А. Кочегуров ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет. - Томск, 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.) Свободны: счз1 (1) |
П491 Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления : Пер. с англ. / П. Ф. Линдквист, У. М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д. В. Ди Лоренцо, Ред. Д. Д. Канделуола, Ред. пер. Г. В. Петров. - М. : Радио и связь, 1988. - 494[2] с. : ил. - ISBN 5-256-00136-1 (в пер.) : 02.70 р. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: , аунл (22 экз.), счз1 (1 экз.) Свободны: аунл (22), счз1 (1) |
> Шифр: И517352/2010/3 Журнал 2010г. N 3 Залетин, В. М. Широкозонные полупроводниковые соединения для детекторов рентгеновского и гамма-излучения / В. М. Залетин, В. П. Варварица. - С.4-13 Кл.слова: детекторы, кристаллы, соединения Быткин, С. В. Сравнительный анализ электрофизических параметров монокристаллов кремния, подвергнутых длительному хранению при 300 К / С. В. Быткин, Т. В. Критская. - С.14-18 Кл.слова: кремний, монокристаллы, временная стабильность Чигир, С. Н. Выращивание трубчатых монокристаллов кремния методом Чохральского / С. Н. Чигир, Т. Т. Кондратенко, И. В. Силаев. - С.18-24 Кл.слова: Чохральского метод, кремний, монокристаллы Вайнтрауб, М. В. Влияние условий получения на механические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата / М. В. Вайнтрауб, Н. С. Козлова, М. И. Петржик. - С.25-29 Кл.слова: твердость, кристаллы, выращивание кристаллов Сидиров, Н. В. Исследование фоторефрактивных свойств кристаллов LiNbO3: Gd3+ методами фоторефрактивного и комбинационного рассеяния света / Н. В. Сидиров, А. В. Сюй, Е. А. Антонычева. - С.30-34 Кл.слова: дефекты, ниобат лития, рассеяние света Цыганков, В. Н. Излучение электрофизических свойств твердых растворов в системах CeO2-MхOу (M = Dy, Gd, Y, Yb) и CeO2-Co (MgO, ZrO2) / В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов. - С.35-36 Кл.слова: термочувствительность, электропроводность, датчики Кольцов, Г. И. Исследование спектральных характеристик детекторов ядерных излучений на GaAs, полеченном методом хлоридной эпитаксии / Г. И. Кольцов, С. И. Диденко, А. В. Черных. - С.37-42 Кл.слова: арсенид галлия, детекторы, хлоридная эпитаксия Белогорохов, А. И. Эпитаксиальные слои Pb1-хSnхTe для приемников терагерцового излучения / А. И. Белогорохов, А. А. Коновалов, Ю. Н. Пархоменко. - С.43-45 Кл.слова: полупроводники, жидкофазная эпитаксия, излучения Курова, И. А. О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si : H / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт. - С.45-48 Кл.слова: кремний a-Si : H, фотопроводимость, пленки Билалов, Б. А. Исследование электрических свойств анизотипных гетероструктур (SiC)1-х(AIN)х/SiC / Б. А. Билалов, М. К. Курбанов, А. А. Наджиев. - С.48-51 Кл.слова: туннелирование, носители заряда, гетероструктуры Филимонов, С. Н. Влияние проницаемости края 2D-островка на переход от 2D- к 3D-росту / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье. - С.52-59 Кл.слова: гетероэпитаксия, островки, изломы Бублик, В. Т. О механизме образования микродефектов в монокристаллах GaP / В. Т. Бублик, М. И. Воронова, Н. Ю. Табачкова. - С.60-63 Кл.слова: микродефекты, монокристаллы, галлий Козловский, А. А. Термоэлектрические свойства керамик Er1-хAхCoO3-δ и Ho1-хAхCoO3-δ (A - Ca, Sr) / А. А. Козловский, В. Ф. Хирный, Т. Г. Дейнека. - С.64-69 Кл.слова: материалы, кобальтиты, Зеебека коэффициент Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |