Т 562 Томашевич, Александр Александрович. Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 1.3.5 / А. А. Томашевич ; науч. рук. С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 128 с. : рис., табл. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.) Свободны: сбо (1) |
Т 562 Томашевич, Александр Александрович. Процессы дефектообразования в гетероструктуре GaN-светодиодов с множественными квантовыми ямами [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 1.3.5 / А. А. Томашевич ; науч. рук. С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2023. - 25 с. : рис., табл. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.) Свободны: сбо (1), счз1 (1) |
> Шифр: Д118812/2018/2 Журнал 2018г. N 2 . - 1319.17, р. Головин, Анатолий Владимирович. Двухполярный спектрометр ионной подвижности / А. В. Головин, В. К. Васильев, И. А. Иванов. - С.4-9 Кл.слова: детектирование, полярность, верификация Малкин, Евгений Константинович. Модернизация алгоритмов системы управления нагревателями и газовыми насосами спектрометра ионной подвижности / Е. К. Малкин, М. А. Матуско, В. К. Васильев. - С.10-14 Кл.слова: температура, стабилизация, детектирование Андрианов, Андрей Владимирович. Методика гибридной верификации СБИС "система - на - кристалле" / А. В. Андрианов, Игорь Иванович Шагурин. - С.14-18 Кл.слова: тестирование, моделирование, программирование Бутузов, Владимир Алексеевич. Новый метод улучшения динамических характеристик АЦП последовательного приближения / В. А. Бутузов, Ю. И. Бочаров, В. Е. Шунков. - С.19-24 Кл.слова: преобразователь, КМОП-технология, топология Лебедев, Анатолий Алексеевич. Проектирование прецизионных операционных усилителей для измерительных систем / А. А. Лебедев, Е. Ю. Старков, И. С. Панков. - С.24-27 Кл.слова: каскад, частица, сигнал Барбашов, Вячеслав Михайлович. Топологические вероятностные модели БИС для обеспечения информационной надежности электронных систем при воздействии радиации / В. М. Барбашов, Н. С. Трушкин. - С.28-31 Кл.слова: соотношение, параметр, разброс Бакеренков, Александр Сергеевич. Цифровой датчик поглощенной дозы на основе коммерческого МОП-транзистора / А. С. Бакеренков, Б. И. Подлепецкий, В. А. Фелицын. - С.31-36 Кл.слова: излучение, ион, радиация Подлепецкий, Борис Иванович. МДП-транзистор как первичный преобразователь дозы ионизирующего излучения / Б. И. Подлепецкий, А. С. Бакеренков, В. А. Фелицын. - С.36-42 Кл.слова: дозиметр, модель, сигнал Бакеренков, Александр Сергеевич. Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы / А. С. Бакеренков, А. С. Родин, Вячеслав Сергеевич Першенков. - С.43-47 Кл.слова: радиация, деградация, параметр Шуренков, Владимир Васильевич. Механизмы деградации полупроводниковых систем под действием электромагнитного импульса / В. В. Шуренков. - С.47-52 Кл.слова: излучение, компонент, сбой Петухов, Кирилл Алексеевич. Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с р-каналом при длительном воздействии гамма-излучения / К. А. Петухов, В. Д. Попов. - С.53-56 Кл.слова: интенсивность, облучение, электрон Краснюк, Андрей Анатольевич. Моделирование многозатворных транзисторных структур как элементов электронных датчиков / А. А. Краснюк, Е. В. Марьина, Э. Ф. Имаметдинов. - С.56-60 Кл.слова: модуляция, быстродействие, резонанс Лапшинский, Валерий Алексеевич. Микросхемы "умной" ассоциативной памяти: тенденции развития, классификация и применение / В. А. Лапшинский. - С.60-65 Кл.слова: адресация, выборка, обработка Симаков, Андрей Борисович. Мобильный инструментальный комплекс для оперативного мониторинга альфа-радиоактивного загрязнения местности / А. Б. Симаков, Е. М. Онищенко, В. П. Мирошниченко. - С.66-70 Кл.слова: счетчик, аэроион, интерфейс Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |
М 607 Мильвидский, Михаил Григорьевич. Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] / М. Г. Мильвидский. - М. : Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - 144 с : рис., табл. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр.: с. 144. - 00.50 р. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: , аунл (2 экз.) Свободны: аунл (2) |
Х 465 Химия твердого тела [Текст] : межвузовский сборник. - Свердловск : УПИ. Вып. 2 / Мин-во высш. и среднего и спец. образования РСФСР. - 1978. - 176 с : рис., табл. - Библиогр. в конце ст. - 01.50 р. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: , аунл (1 экз.) Свободны: аунл (1) |
> Шифр: И517352/2012/2 Журнал 2012г. N 2 Кузнецов, Ф. А. Новые металлорганические прекурсоры и процессы химического осаждения из газовой фазы в технологиях наноматериалов / Ф. А. Кузнецов, Т. П. Смирнова, Н. И. Файнер. - С.4-12 Кл.слова: пленки, дифракция, фазовый состав Ежлов, В. С. Исследование свойств крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] / В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молдцова. - С.13-17 Кл.слова: дефекты, пропускание, неоднородность Бублик, В. Т. Изменение структуры приконтактной области термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута при повышенных температурах / В. Т. Бублик, А. И. Воронин, В. Ф. Пономарев. - С.17-20 Кл.слова: генератор, слой, покрытия Бузанов, О. А. Люминесценция кристаллов лантан-галлиевого танталата / О. А. Бузанов, Н. С. Козлова, Н. А. Симинел. - С.21-24 Кл.слова: спектры, частота импульса, область Киселев, Д. А. Инициирование поляризованного состояния в тонких пленках ниобата лития, синтезированных на изолированные кремниевые подложки / Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков. - С.25-29 Кл.слова: метод зонда, потенциал, стойкость Каниева, И. И. Управление микроструктурой и свойствами ферритов с помощью двухстадийного синтеза / И. И. Каниева, В. Г. Костишин, В. Г. Андреев. - С.30-36 Кл.слова: потери, прочность, проницаемость Гольдштейн, Р. В. Моделирование влияния внутренних механических напряжений на скорость роста кислородных преципитатов в кремнии / Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. - С.37-42 Кл.слова: диффузия, скорость, реакция Васильев, Ю. Б. Особенности дефектообразования в процессе термообработки бездислокационных монокристаллических пластин кремния большого диаметра с заданным распределением в объеме кислородсодержащих геттерирующих центров / Ю. Б. Васильев, Н. А. Верозуб, М. В. Меженный. - С.43-50 Кл.слова: микродефект, вакансия, атом Подвигалкин, В. Я. Особенности жидкофазного нанесения полимерных толстопленочных нанокомпозитных покрытий на твердотельные подстилающие поверхности / В. Я. Подвигалкин, П. А. Музалев, Н. М. Ушаков. - С.51-58 Кл.слова: просветление, преобразование, наносреда Анфимов, И. М. Механизмы электропроводности кремний-углеродных нанокомпозитов с наноразмерными включениями вольфрама в интервале температур 20-200° C / И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, М. Д. Малинкович. - С.58-60 Кл.слова: электропроводность, энергия, активация Кожитов, Л. В. Структурные особенности нанокомпозита FeNi3/C полученного при ИК-нагреве / Л. В. Кожитов, А. В. Костикова, В. В. Козлов. - С.61-64 Кл.слова: матрица, пермаллой, акрилонитрил Глазов, А. Л. Анализ процессов распространения тепла в структурах импульсных силовых приборов вблизи плоскостей спая кремниевых пластин в высоковольтные "столбы" / А. Л. Глазов, В. А. Козлов, О. Корольков. - С.65-69 Кл.слова: диагностика, переключатели, приборы Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |
> Шифр: И517352/2010/2 Журнал 2010г. N 2 Орлов, О. М. Некоторые тенденции развития и совершенствования КМОП-технологии нанометрового топологического диапазона / О. М. Орлов, В. Н. Мурашев. - С.4-12 Кл.слова: КМОП, СБИС, транзисторы Богомолов, А. А. Пироэлектрический отклик и нестационарный фототок короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6 / А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев. - С.13-17 Кл.слова: короткое замыкание, пленки, полупроводники Кульчицкий, Н. А. Современное состояние производства CdTe, ZnTe и Cd1-хZnхTe / Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов. - С.17-24 Кл.слова: теллурид кадмия, детекторы, получение кристаллов Колесников, Н. Н. Универсальная технология выращивания кристаллов широкозонных II-VI-соединений / Н. Н. Колесников, А. В. Тимонина. - С.24-28 Кл.слова: полупроводники, рост кристаллов, соединения II-VI Бородин, А. В. Исследование микровключений в профилированных кристаллах сапфира / А. В. Бородин, В. А. Бородин, В. Е. Искоростинская. - С.29-33 Кл.слова: оптика, сапфир, дефекты Афанасьев, Ю. Н. Влияние отклонения от стехиометрии на фазовый состав и свойства Y-Al-феррограната / Ю. Н. Афанасьев, И. С. Рыбачук, И. И. Канева. - С.34-38 Кл.слова: магнетит, ортоферрит иттрия, феррогранат Акимова, Т. В. Ферритовые материалы для повышенных рабочих температур / Т. В. Акимова, Д. Г. Крутогин, Ю. М. Краюшкина. - С.38-42 Кл.слова: электроника, ферриты, материалы Андреев, В. Г. Исследование влияния длительности измельчения порошков гексаферрита стронция на микроструктуру и свойства магнитов на их основе / В. Г. Андреев, И. И. Канева, С. В. Подгорная. - С.43-47 Кл.слова: микроструктура, частицы, гексаферрит стронция Копаев, А. В. Влияние добавок оксидов металлов на температурную зависимость магнитных потерь в Mn-Zn-ферритах / А. В. Копаев. - С.47-49 Кл.слова: ферриты, оксиды металлов, магнитные потери Корольченко, А. С. Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей / А. С. Корольченко, С. А. Леготин, С. И. Диденко. - С.50-54 Кл.слова: солнечные батареи, КВМП, КВМСБ Маняхин, Ф. И. Влияние режимов эксплуатации светодиодов на процесс дефектообразования в области p-n-перехода и снижение квантового выхода / Ф. И. Маняхин. - С.54-57 Кл.слова: светодиод, гетероструктура, точечные дефекты Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AIN, используемых для выращивания светодиодных гетеростуктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков. - С.58-62 Кл.слова: нитрид алюминия, монокристаллы, проводимость Крутогин, Д. Г. История электроники в России / Д. Г. Крутогин. - С.63-72 Кл.слова: радиотехника, радиоэлектроника, Россия Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |
Еханин, С. Г. Кинетика дефектообразования в ЩГК в сверхсильном электрическом поле : статья / С. Г. Еханин, Н. С. Несмелов, Л. Ю. Солдатова> // Известия вузов. Физика. - 1997. - № 4. - С. 3-6. - Библиогр. в конце ст. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : СБО (1) Свободны: СБО (1) |