> Шифр: И517352/2016/19/3 Журнал 2016г. т.19 N 3 . - 2273.10, р. Ярмолич, Марта Викторовна. Магниторезистивный эффект в наноразмерном ферромолибдате стронция с диэлектрическими прослойками / М. В. Ярмолич, Н. А. Каланда, И. А. Свито. - С.149-155 Кл.слова: ферромагнетики, сопротивление электрическое, магнитосопротивление туннельное Маянов, Евгений Павлович. Рынок монокристаллов GaAs – тенденции развития / Е. П. Маянов, С. Н. Князев, А. В. Наумов. - С.156-162 Кл.слова: цены, потребление, спрос Иванов, Алексей Александрович. Получение материала на основе селенида меди методами порошковой металлургии / А. А. Иванов, В. Б. Освенский, А. И. Сорокин. - С.163-169 Кл.слова: материалы термоэлектрические, синтез механохимический, спекание искровое плазменное Борик, Михаил Александрович. Анизотропия механических свойств и механизмы упрочнения в кристаллах твердых растворов ZrO2–Y2O3 / М. А. Борик, В. Р. Боричевский, В. Т. Бублик. - С.170-178 Кл.слова: диоксид циркония, микротвердость, вязкость разрушения Крапухин, Всеволод Валерьевич. Эволюция системы моделей и алгоритмов для расчетов параметров технологических процессов получения материалов микро- и наноэлектроники / В. В. Крапухин, В. Г. Косушкин, Л. В. Кожитов. - С.179-188 Кл.слова: тепломассообмен, выращивание монокристаллов, эпитаксия Харченко, Вячеслав Александрович. Буферные слои в гетероструктурах / В. А. Харченко. - С.189-194 Кл.слова: поверхность подложки, дефекты структурные, реструктуризация Кузьменко, Александр Павлович. Наноразмерная характеризация металлических магнетронных нанопленочных мультислоев из Cr, Cu, Al, Ni на ситалле / А. П. Кузьменко, Нау Динт, А. Е. Кузько. - С.195-203 Кл.слова: распыление магнетронное, шероховатость, нанопленки Борознина, Наталья Павловна. О сенсорной активности углеродных нанотрубок, модифицированных карбоксильной, аминной и нитрогруппами, в отношении щелочных металлов / Н. П. Борознина, И. В. Запороцкова. - С.204-209 Кл.слова: свойства сенсорные, расчеты квантово-химические, группы функциональные Анфимов, Илья Михайлович. К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния / И. М. Анфимов, С. П. Кобелева, А. В. Пыльнев. - С.210-216 Кл.слова: время жизни рекомбинационное, носители заряда неравновесные, СВЧ-измерения бесконтактные Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |
> Шифр: И517352/2015/2 Журнал 2015г. т.18 N 2 . - 1691.48, р. Плюснин, Николай Иннокентьевич. Металлические нанопленки на монокристаллическом кремнии: рост, свойства и применение / Н. И. Плюснин. - С.81-94 Кл.слова: диффузия, система осаждения, молекула Гоник, Михаил Александрович. Направленная кристаллизация мультикристаллического кремния в условиях ослабленной конвекции расплава и газообмена / М. А. Гоник. - С.95-102 Кл.слова: графит, интенсивность, спектроскопия Бетекбаев, Азат Амргумарович. Оптимизация уровня легирования кремния "солнечного" качества для повышения пригодного объема слитков и КПД солнечных элементов / А. А. Бетекбаев, Б. Н. Мукашев, L. Pelissier. - С.103-109 Кл.слова: фотовольтаика, кристаллизация, носитель заряда Андреев, Валерий Георгиевич. О роли влияния легирующих добавок на структуру и свойства магний-цинковых ферритов / В. Г. Андреев, С. Б. Меньшова, В. Г. Костишин. - С.110-117 Кл.слова: спекание, проницаемость, спектр поглощения Простомолотов, Анатолий Иванович. Анализ причин неоднородности теллура в кристалле антимонида галлия, выращенном в космическом эксперименте / А. И. Простомолотов, Н. А. Верезуб. - С.118-126 Кл.слова: микрогравитация, метод Бриджмена, численное моделирование Коваленко, Александр Федорович. Метод определения неразрушающих режимов лазерного отжига диэлектрических и полупроводниковых пластин / А. Ф. Коваленко, А. А. Воробьев. - С.127-132 Кл.слова: термоупругость, излучение, поглощение Благовещенский, Владимир Валерьевич. Образование дислокационного скопления источником Франка–Рида / В. В. Благовещенский, И. Г. Панин, Д.С. Андрианов. - С.133-136 Кл.слова: моделирование, кристалл, взаимодействие Енишерлова, Кира Львовна. Исследование6 влияния пассивирующих слоев на емкостные характеристики гетероструктур AlGaN/GaN / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, Т. Ф. Русак. - С.137-145 Кл.слова: диаграмма, измерение, дислокация Гладышева, Надежда Борисовна. Контроль "желтой" фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN / Н. Б. Гладышева, В. В. Груздов, М. Е. Гусев. - С.146-148 Кл.слова: спектр, СВЧ-транзистор, сканирование Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |
Казимиров, А. И. Исследование электрофизических свойств пленок нанометровой толщины : доклад / А. И. Казимиров, С. П. Усов> // Научная сессия ТУСУР-2010. - Томск : В-Спектр. - Ч. 2. - С. 22-24 : ил. - Библиогр. в конце ст. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Полный текст/внешний ресурс (постраничный просмотр) : 2010_kazimirov_190510.pdf или скачать |