> Шифр: И517352/2012/3 Журнал 2012г. N 3 Бублик, В. Т. Структура объемного термоэлектрического материала на основе (Bi,Sb)2Te3, полученного методом искрового плазменного спекания / В. Т. Бублик, И. А. Драбкин, В. В. Каратаев. - С.10-17 Кл.слова: шаровая мельница, дефекты, наночастица Драбкин, И. А. Термоэлектрические свойства материала на основе (Bi,Sb)2Te3, полученного методом искрового плазменного спекания / И. А. Драбкин, В. В. Каратаев, В. Б. Освенский. - С.18-21 Кл.слова: Хармана метод, дефекты, растворы Быков, А. С. Исследование ориентационной зависимости латерального пьезоотклика в Y-срезе периодически поляризованных монокристаллов ниобата лития / А. С. Быков, Д. А. Киселев, В. В. Антипов. - С.22-25 Кл.слова: частота, граница, знак Рощупкин, Д. В. Перспективные материалы акустоэлектроники / Д. В. Рощупкин, Д. В. Иржак, Е. В. Емелин. - С.25-28 Кл.слова: объемные волны, поверхностные волны, топография Костишин, В. Г. О некоторых методах индуцирования высококоэрцитивного состояния в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов для термомагнитной записи информации / В. Г. Костишин, А. Т. Морченко, Д. Н. Читанов. - С.29-34 Кл.слова: коэрцетивная сила, носители, трубка Лаврентьев, М. Г. Математическое моделирование процесса экструзии термоэлектрического материала / М. Г. Лаврентьев, М. В. Меженный, В. Б. Освенский. - С.35-40 Кл.слова: деформация, напряжение, фильер Кузнецов, В. С. К вопросу о механизме пространственной самоорганизации свободных носителей тока в сильных электрических полях / В. С. Кузнецов, П. А. Кузнецов. - С.40-44 Кл.слова: пробой, рекомбинация, глубокие уровни Быткин, С. В. Экспериментальное исследование характеристик тиристоров, изготовленных на Si, при действии гамма-облучения / С. В. Быткин, Т. В. Критская, Е. Г. Радин. - С.45-48 Кл.слова: монокристалл, легирование, кремний Кобелева, С. П. Влияние условий формирования первого каскада трехкаскадного солнечного элемента на распределение фосфора в германии / С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, Б. В. Жалнин. - С.48-50 Кл.слова: диффузия, гетероструктура, переход Рабинович, О. И. Моделирование зависимости квантового выхода InGaN/Si светодиодов от плотности тока / О. И. Рабинович, В. П. Сушков. - С.50-53 Кл.слова: деградация, набор, заряд Балагуров, Л. А. Исследование процесса формирования нанопористых и нанотрубчатых слоев оксида титана методом электрохимической импедансной спектроскопии / Л. А. Балагуров, М. А. Агафонова, Е. А. Петрова. - С.54-59 Кл.слова: электролит, травление, фольга Кожитов, Л. В. Новые металлоуглеродные нанокомпозиты и углеродный нанокристаллический материал с перспективными свойствами для развития электроники / Л. В. Кожитов, В. В. Козлов, А. В. Костикова. - С.59-67 Кл.слова: сенсорные устройства, катализаторы Щербачев, К. Д. Влияние фотовозбуждения in situ на структуру нарушенного слоя "кремний-на-изоляторе" / К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, М. И. Воронова. - С.68-71 Кл.слова: имплантация, радиационные дефекты Лютцау, А. В. Исследование гетероструктур методом рентгеновской однокристальной дифрактометрии / А. В. Лютцау, М. М. Крымко, К. Л. Енишерлова. - С.72-78 Кл.слова: аккумуляция, обеднение, глубокие уровни Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1) Свободны: сбо (1) |
Н 211 Накано, Эйдзи. Введение в робототехнику : Пер. с яп. / Э. Накано ; ред. пер. А. М. Филатов. - М. : Мир, 1988. - 335[1] с. : ил. - ISBN 5-03-000396-7 : 01.80 р. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: , аунл (17 экз.), счз1 (1 экз.) Свободны: аунл (17), счз1 (1) |
Е59 Ельяшкевич, Самуил Абрамович. Автоматическое управление в телевизорах / Самуил Абрамович Ельяшкевич. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Энергия, 1975. - 280 с. : ил. - Б. ц. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: аунл (2 экз.) Свободны: аунл (2) |
Ш 733 Шмидт, Детлеф. Оптоэлектронные сенсорные системы : Пер. с нем. / Д. Шмидт, В. Шварц; Пер. Н. Н. Гельман. - М. : Мир, 1991. - 93, [3] с. - Библиогр.: с. 93-94. - ISBN 5-03-002009-8 (в пер.) : 01.60 р. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: , аунл (13 экз.), счз1 (1 экз.) Свободны: аунл (13), счз1 (1) |