П 56 Пономарев, Дмитрий Сергеевич. Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Д. С. Пономарев ; науч. рук. И. С. Васильевский ; Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (М.). - М., 2012. - 22 с : рис. - Библиогр.: с. 20 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.) Свободны: сбо (1) |
Х 12 Хабибуллин, Рустам Анварович. Электронные свойства квантовых ям Al {\dn x}Ga{\dn 1-x}As/In{\dn y}Ga{\dn 1-y}As/Al{\dn x}Ga{\dn 1-x}As с комбинированным и дельта-легированием [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Р. А. Хабибуллин ; науч. рук. И. С. Васильевский ; ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф. В, Лукина. - М., 2012. - 22 с : рис., табл. - Библиогр.: с. 21 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.) Свободны: сбо (1) |
П 91 Пушкарев, Сергей Сергеевич. Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных HEMT наногетероструктур In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Ga{\dn 0,3}As/In{\dn 0,7}Al{\dn 0,3}As на подложках GaAs и InP [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / С. С. Пушкарев ; ФГБУ "Национальный исследовательский центр КУрчатовский институт". - М., 2013. - 26 с : рис. - Библиогр.: с. 23 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.) Свободны: сбо (1) |
Ю 20 Юзеева, Наталия Александровна. Электронные свойства структур с квантовой ямой In {\dn x} Ga {\dn 1-x} (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Н. А. Юзеева ; Институт спектроскопии РАН. - М., 2013. - 22 с : рис., табл. - Библиогр.: с. 20 Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.) Свободны: сбо (1) |