Ф 326 Федин, Иван Владимирович. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия [Текст] : автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04 / И. В. Федин ; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". - Томск : б. и., 2019. - 21 с. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.) Свободны: сбо (1), счз1 (1) |
Ф 326 Федин, Иван Владимирович. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия [Текст] : диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04 / И. В. Федин ; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". - Томск : б. и., 2019. - 147 с. : цв. ил. Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа ![]() Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.) Свободны: сбо (1) |