Шифр: И735453/2020/25/5
   Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2020г. т.25 N 5 . - 1633.27, р.
Содержание:
Егоркин, Владимир Ильич. Нормально-закрытый транзистор с затвором p-типа на основе гетероструктур AlGaN/GaN / В. И. Егоркин, В. А. Беспалов, А. А. Зайцев. - С.391-401
Кл.слова: нитрид галия, моделирование, TCAD
Гончаров, Игорь Николаевич. Моделирование процессов электронного усиления в каналах умножителей на пористых структурах оксида алюминия / И. Н. Гончаров, Е. Н. Козырев, И. В. Тваури. - С.402-409
Кл.слова: эмиссия, коэффициент, клмпьютерная модель
Чочаев, Рустам Жамболатович. Модели и методы анализа структуры коммутационных ресурсов ПЛИС / Р. Ж. Чочаев, Д. А. Железников, Г. А. Иванова. - С.410-422
Кл.слова: автоматизация, проектирование, САПР
Иванов, Евгений Андреевич. Импульсный DC/DC-преобразователь напряжения с уменьшенными массогабаритными параметрами / Е. А. Иванов, А. Н. Якунин. - С.423-431
Кл.слова: керамика, коммутация, транзисторы
Амеличев, Владимир Викторович. Микросистемы с высоким коэффициентом преобразования слабого магнитного поля на основе магниторезистивных наноструктур / В. В. Амеличев, А. А. Резнев, А. Н. Сауров. - С.432-439
Кл.слова: эффект, промышленность, конструкция
Йе, Ко Ко Аунг. Моделирование и исследование различных типов подвесов интерционной массы в чувствительных элементах микромеханических приборов / Ко Ко Аунг Йе, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - С.440-451
Кл.слова: акселерометры, частота колебаний, механическое напряжение
Макшаков, Артем Владимирович. Метод и аппаратно-программные средства для измерения с повышенной точностью высоты летательных аппаратов и спускаемых объектов / А. В. Макшаков, Ю. И. Штерн, О. С. Волкова. - С.452-464
Кл.слова: интеллектуальный датчик, погрешность, датчики
Жилинский, Владислав Олегович. Анализ влияния эфемеридно-временной информации на точность решения навигационной задачи по сигналам системы ГЛОНАСС / В. О. Жилинский, Д. С. Печерица, Л. Г. Гагарина. - С.465-474
Кл.слова: спутниковые системы, компонент, исследование
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И735453/2020/25/2
   Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2020г. т.25 N 2 . - 1633.27, р.
Содержание:
Гузатов, Дмитрий Викторович. Возможное увеличение скорости модуляции светодиодов в беспроводных оптических сетях передачи данных с помощью металлических наночастиц с диэлектрической оболочкой / Д. В. Гузатов, С. В. Гапоненко, О. И. Тевель. - С.103-113
Кл.слова: переход, плазменный эффект, зависимость
Асаёнок, Марина Анатольевна. Исследование возможности использования кремниевых фотоэлектронных умножителей для создания генераторов случайных числовых последовательностей / М. А. Асаёнок, А. О. Зеневич, Е. В. Новиков. - С.114-122
Кл.слова: эксперимент, методика, блок-схема
Якунин, А. Н. Повышение эффективности работы многоразрядного двоичного параллельно-префиксного сумматора / А. Н. Якунин, Мьо Сан Аунг, Мьо Хтун Хан. - С.123-135
Кл.слова: ППС, Когге-Стоун, занимаемая площадь
Чердинцев, Антон Александрович. Моделирование влияния расположения кармана на параметры транзисторов в КМОП ИС с технологическими нормами менее 130 нм / А. А. Чердинцев, Г. А. Ковалев. - С.136-144
Кл.слова: процесс, WPE, проектирование
Браже, Рудольф Александрович. Плазмон-акустические преобразователи на структурах графен - 2D нитрид бора для тарагерцового диапазона частот / Р. А. Браже, Д. А. Долгов. - С.145-154
Кл.слова: упругость, волны, изоморф
Йе, Ко Ко Аунг. Моделирование чувствительного элемента сэндвич-конструкции емкостного микромеханического акселерометра с учетом изменения диэлектрической проницаемости / Ко Ко Аунг Йе, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - С.155-166
Кл.слова: относительность, конденсатор, принцип
Брейкина, Кристина Владимировна. Оценка качества изображения при компенсации смаза по методу Люси - Ричардсона / К. В. Брейкина, С. В. Умняшкин. - С.167-174
Кл.слова: восстановление, система, автоматизация
Кобяк, Игорь Петрович. О границах вероятностных аргументов при синтезе линейных сигнатур и статистических оценок / И. П. Кобяк. - С.175-182
Кл.слова: вектор, состояние, формула
Бахвалова, Светлана Анатольевна. Моделирование МДП-варикапа с переносом заряда в программной среде ADS / С. А. Бахвалова, А. Б. Спиридонов, А. А. Фастовец. - С.183-188
Кл.слова: фазовращатель, L-диапазон, прибор
Памяти Соколова Евгения Борисовича. - С.189-190
Кл.слова: доктор, полупроводниковая электроника, исследование
Грибову Борису Георгиевичу - 85 лет. - С.191-192
Кл.слова: ученый, материалы, электроника
Быкову Дмитрию Васильевичу - 75 лет. - С.193-194
Кл.слова: МИЭМ, научные работы, образование
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И735453/2019/24/6
   Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2019г. т.24 N 6 . - 1551.09, р.
Содержание:
Тихонов, Роберт Дмитриевич. Анализ электрохимического процесса осаждения пленок пермаллоя / Р. Д. Тихонов, С. А. Поломошников, В. В. Амеличев. - С.547-556
Кл.слова: концентраторы, магнитное поле, электролит
Громов, Дмитрий Геннадьевич. Термическая стабилизация геометрических параметров массива наночастиц серебра, полученного вакуум-термическим испарением на ненагретую подложку / Д. Г. Громов, С. В. Дубков, Г. С. Ерицян. - С.557-564
Кл.слова: отжиг, микроскопия, зонд
Погалов, Анатолий Иванович. Термомеханическая прочность соединений элементов в микроэлектронных модулях / А. И. Погалов, А. Ю. Титов, С. П. Тимошенков. - С.565-572
Кл.слова: микросоединение, материалы, моделирование
Каракеян, Валерий Иванович. Эксергенический анализ системы воздухообмена в чистых помещениях / В. И. Каракеян, А. С. Рябышенков, М. А. Гундарцев. - С.573-580
Кл.слова: удаление воздуха, термодинамика, выброс
Рязанцев, Дмитрий Владимирович. Локальный нагрев интегрального МОП-дозиметра для отжига накопленного заряда / Д. В. Рязанцев, Е. В. Кузнецов. - С.581-588
Кл.слова: эффект, датчик, радиация
Кожевников, Владислав Сергеевич. Взаимосвязь физической и информационной энтропий в теории надежности для наноразмерных элементов / В. С. Кожевников, И. В. Матюшкин, Н. В. Черняев. - С.589-600
Кл.слова: деградация, наносистема, физико-статистический подход
Кулакова, Анастасия Алексеевна. Блочный метод синтеза триггерных схем с использованием карт минтермов / А. А. Кулакова, Е. Б. Лукьяненко. - С.601-609
Кл.слова: карта Карно, тактовый сигнал, энергоэффективность
Кузьминов, Игорь Васильевич. Алгоритм компрессии и декомпрессии потока конфигурационных данных ПЛИС / И. В. Кузьминов, В. В. Лосев, И. С. Новожилов. - С.610-618
Кл.слова: префикс, кодирование, ПЗУ
Аунг, Тхура. Исследование стойкости МЭИС-акселерометров емкостного типа к внешним механическим воздействиям / Тхура Аунг, Б. М. Симонов, Ан. С. Тимошенков. - С.619-626
Кл.слова: синусоидальная вибрация, амплитуда, частота
От российской академии наук. - С.627
Кл.слова: поздравление, собрание, доктор наук
Гаврилову Сергею Витальевичу - 60 лет. - С.628
Кл.слова: доктор технических наук, ученый, СБИС
Юриш, С. Ю. Об итогах 2-й Международной конференции "Микроэлектронные приборы и технологии" (MicDAT' 2019) 22-24 мая 2019 г., г. Амстердам, Голландия / С. Ю. Юриш, К. О. Петросянц. - С.629-630
Кл.слова: организатор, учредитель, секции
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И735453/2019/24/5
   Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2019г. т.24 N 5 . - 1551.09, р.
Содержание:
Горбацевич, Александр Алексеевич. Электронные свойства ветвящихся молекулярных структур. Обзор / А. А. Горбацевич, М. Н. Журавлев. - С.439-458
Кл.слова: отраженные полимеры, квантовая интерференция, дендримеры
Любимов, Андрей Викторович. Исследование процесса электроосаждения сплавов олово-свинец с высоким содержанием свинца / А. В. Любимов, А. Г. Борисов, Е. П. Корчагин. - С.459-468
Кл.слова: фторборат, электролит, многокристальный модуль
Сивченко, Александр Сергеевич. Определение времени наработки до отказа подзатворного диэлектрика суб-100-нм МОП-транзисторов с помощью ускоренных испытаний / А. С. Сивченко, Е. В. Кузнецов, А. Н. Сауров. - С.469-478
Кл.слова: надежность, контроль, параметры
Сергеев, Вячеслав Андреевич. Влияние дефектов структуры и конструкции на тепловые характеристики мощных биполярных СВЧ-транзисторов / В. А. Сергеев, В. И. Смирнов, А. М. Ходаков. - С.479-488
Кл.слова: модель, МБТ, COMSOL
Юсипова, Юлия Александровна. Динамика вектора намагниченности свободного слоя спин-вентильной структуры в магнитном поле, перпендикулярном плоскости слоев / Ю. А. Юсипова. - С.489-502
Кл.слова: магниторезистивная память, произвольный доступ, стохастический нейрон
Меликян, В. Ш. Метод уменьшения площади кристалла для систем согласования импедансов в высокоскоростных каналах передач / В. Ш. Меликян, К. Т. Хачикян, Р. В. Гумроян. - С.503-510
Кл.слова: микросхема, передатчик, приемник
Аунг, Тхура. Исследование воздействия случайной вибрации на характеристики микромеханических акселерометров / Тхура Аунг, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - С.511-520
Кл.слова: профиль, спектральная плотность, чувствительный элемент
Севрюкова, Елена Александровна. Имитационное моделирование системы мониторинга окружающей среды / Е. А. Севрюкова, Е. А. Волкова, А. В. Угроватов. - С.521-529
Кл.слова: интернет вещей, энергоэффективность, параметры
Гагарина, Лариса Геннадьевна. Эффективный метод локализации ошибок при проектировании специализированных БИС / Л. Г. Гагарина, И. О. Гайдук, Е. А. Кремер. - С.530-538
Кл.слова: функционально-логическое моделирование, САПР, формализация
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И517352/2016/19/2
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2016г. т.19 N 2 . - 2238.99, р.
Содержание:
Поляков, А. Я. Структурные, электрические и люминесцентные характеристики ультрафиолетовых светодиодов, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии / А. Я. Поляков, Jin-Hyeon Yun, В. С. Усиков. - С.75-86
Кл.слова: свойства электрические, свойства оптические, нитриды
Зыкова, Марина Павловна. Исследование фазовых равновесий тройной системы Zn–Se–Fe для лазерных технологий / М. П. Зыкова, В. Ю. Кролевецкая, Е. Н. Можевитина. - С.87-94
Кл.слова: селенид цинка, материалы халькогенидные, кристаллы
Кубасов, Илья Викторович. Анизотропия деформации пластин монокристаллов ниобата лития Y + 128°-среза с бидоменной структурой / И. В. Кубасов, А. В. Попов, А. С. Быков. - С.95-102
Кл.слова: кристаллы бидоменные, актюатор, свойства пьезоэлектрические
Васкес, Луис. Волновое уравнение: от эйконального к неэйкональному приближению / Л. Васкес, С. Хименес, А. Б. Шварцбург. - С.103-107
Кл.слова: коэффициент преломления, предел антиэйкональный, среды оптические
Абгарян, Каринэ Карленовна. Задачи оптимизации наноразмерных полупроводниковых гетероструктур / К. К. Абгарян. - С.108-114
Кл.слова: моделирование первопринципное, подвижность, моделирование полномасштабное
Енишерлова, Кира Львовна. Нестабильность емкости ВФ-характеристик при измерении гетероструктур AlGaN/GaN и HEMT-транзисторов на их основе / К. Л. Енишерлова, В. Г. Горячев, В. В. Сарайкин. - С.115-123
Кл.слова: барьеры Шотки, годограф импеданса цепи, вклад генерационно-рекомбинационный
Валянский, Сергей Иванович. Функциональные 2D-наноматериалы для оптоэлектронной техники на основе ленгмюровских пленок бактериородопсина / С. И. Валянский, Е. К. Наими, Л. В. Кожитов. - С.124-132
Кл.слова: волны поверхностные плазмон-поляритонные, генерация второй гармоники, биосенсоры
Минаев, Виктор Семёнович. А не пора ли вернуться к Tg Таммана? / В. С. Минаев, Н. М. Парфёнов, С. П. Тимошенков. - С.133-143
Кл.слова: температура стеклования, эффект предэндотермический, эффект предэкзотермический
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И735453/2018/23/1
   Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2018г. т.23 N 1 . - 1421.27, р.
Содержание:
Усанов, Дмитрий Александрович. Измерение эффективных масс электропроводности и плотности состояний бесконтактными сверхвысокочастотными методами / Д. А. Усанов, А. Э. Постельга, К. А. Гуров. - С.5-14
Кл.слова: полупроводник, излучение, квазичастица
Егоркин, Владимир Ильич. Исследование методов вжигания омических контактов к n - слоям гетеробиполярных наногетероструктур / В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, А. В. Неженцев. - С.15-22
Кл.слова: легирование, микроскопия, морфология
Погалов, Анатолий Иванович. Моделирование клеевых соединений для обеспечения надежности трехмерных микроэлектронных модулей / А. И. Погалов, Г. А. Блинов, Е. Ю. Чугунов. - С.23-31
Кл.слова: нагружение, эксплуатация, материал
Рыбаков, Александр Александрович. Измерение нелинейности АЦП при входном сигнале неполной шкалы / А. А. Рыбаков, Н. Е. Резниченко. - С.32-39
Кл.слова: диапазон, преобразование, моделирование
Иванова, Галина Александровна. Методы повышения точности моделирования задержек и пиковых токов комбинационных КМОП-схем на логическом уровне проектирования / Г. А. Иванова, Д. И. Рыжова. - С.40-51
Кл.слова: SP-граф, анализ, корреляция
Аунг, Тхура. исследование балочных резонаторов для частотных акселерометров с учетом термоупругого демпфирования и остаточного напряжения / Т. Аунг, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - С.52-61
Кл.слова: добротность, моделирование, кристаллография
Рябов, Владимр Тимофеевич. Автоматизация процесса измерения параметров чувствительных элементов датчиков расхода газа / В. Т. Рябов, Н. А. Дюжев, Д. В. Новиков. - С.62-71
Кл.слова: коррекция, стенд, диапазон
Пономарев, Олег Павлович. Моделирование локальных электромагнитных полей в нанобиокомплексах на основе квантовых точек InP/ZnS / О. П. Пономарев, В. О. Пономарев. - С.72-83
Кл.слова: спектр, плазмон, кластер
Волков, Алексей Станиславович. Моделирование процедуры восстановления маршрута в беспроводных сетях MANET / А. С. Волков, А. А. Бахтин, А. В. Миронов. - С.84-92
Кл.слова: алгоритм, узел, трафик
Сергеев, Вячеслав Андреевич. Выборочные распределения субмодулей выходных усилителей мощности АФАР Х-диапазона по энергетическим параметрам / В. А. Сергеев, Р. Г. Тарасов, А. А. Куликов. - С.93-98
Кл.слова: коэффициент, корреляция, однородность
Акиншин, Николай Степанович. Многофункциональная сейсмоакустическая информационно-измерительная система для обнаружения движущихся наземных объектов / Н. С. Акиншин, Д. А. Хомяков, В. Л. Меньшиков. - С.98-102
Кл.слова: дальность, координата, алгоритм
Алексахин, Артем Вячеславович. Автоматизированная система выбора оптимального технологического процесса резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов из пластины / А. В. Алексахин, Д. Н. Гулидов. - С.103-106
Кл.слова: ПО, алгоритм, абразив
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И735453/2017/22/3
   Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2017г. т.22 N 3 . - 1345.34, р.
Содержание:
Белова, Ирина Михайловна. Определение концентрации свободных электронов в n-InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия / И. М. Белова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский. - С.201-210
Кл.слова: антимонид индия, алгоритм, интерполяция
Кравченко, Анатолий Анатольевич. Исследование и разработка реактора эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек / А. А. Кравченко, А. И. Погалов. - С.211-219
Кл.слова: деформация , подложкодержатель, моделирование
Сергеев, Вячеслав Андреевич. Закономерности изменения внешней квантовой эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний / В. А. Сергеев, И. В. Фролов, А. А. Широков. - С.220-230
Кл.слова: гетероструктура, рекомбинация, делокализация
Королев, Михаил Александрович. Приборно-технологическое моделирование ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого датчика Холла / М. А. Королев, А. В. Козлов, А. Ю. Красюков. - С.231-237
Кл.слова: магниточувствительность, индукция, Synopsys TCAD
Панышев, Кирилл Андреевич. Чувствительность к тиристорному эффекту КМОП-структуры с глубоким изолирующим n-карманом / К. А. Панышев, Ю. А. Парменов. - С.238-246
Кл.слова: защелка, транзисторы, моделирование
Разуваев, Юрий Юрьевич. Расчет переходных процессов и параметров схемы удвоителя напряжения на переключаемых емкостях / Ю. Ю. Разуваев. - С.247-255
Кл.слова: конденсаторы, моделирование, пульсация
Строгонов, Андрей Владимирович. Особенности проектирования устройств цифровой обработки сигналов в базисе ПЛИС серии 5578 / А. В. Строгонов, П. С. Городков. - С.256-265
Кл.слова: коммутация, компиляция, триггер
Гаврилов, Сергей Витальевич. Решение задач трассировки межсоединений с ресинтезом для реконфигурируемых систем на кристалле / С. В. Гаврилов, Д. А. Железников, В. М. Хватов. - С.266-275
Кл.слова: автоматизация, интерфейс, алгоритм
Аунг, Тхура. Исследование коэффициента жесткости кремниевых балок микромеханических резонансных акселерометров / Тхура Аунг, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - С.276-284
Кл.слова: подвесы, гибкость, пружина
Усанов, Дмитрий Александрович. Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский. - С.285-291
Кл.слова: резонатор, синтезатор, гармоника
Вацков, Павел Юрьевич. Анализ нормируемых параметров электромагнитной совместимости блоков бортовой аппаратуры малых космических аппаратов / П. Ю. Вацков. - С.292-298
Кл.слова: испытания, эмиссия, устойчивость
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И735453/2017/22/1
   Журнал

Электроника : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.), Московский государственный институт электронной техники. - М. : МИЭТ, 1996 - . - ISSN 1561-5405. - Выходит раз в два месяца
2017г. т.22 N 1 (январь-февраль) . - 1345.34, р.
Содержание:
Мороча, Арнольд Климентьевич. О существовании поперечных акустоэлектрических волн типа Стоунли и возможности их применения в акустонаноэлектронике / А. К. Мороча, А. С. Рожков. - С.7-14
Кл.слова: скорость, поляризация, гетероструктура
Тимошенков, Сергей Петрович. Интегральный варикап повышенной емкости на основе пористого кремния / С. П. Тимошенков, А. Н. Бойко, Д. С. Гаев. - С.15-19
Кл.слова: конденсатор, осаждение, анодирование
Денисова, Елена Александровна. Шумы в спектрозональных многоканальных фотоячейках для фотоприемников с разделением цветов с вертикально интегрированными p-n-переходами / Е. А. Денисова, В. В. Уздовский, В. И. Хайновский. - С.20-27
Кл.слова: фотосигнал, флуктуация, кремний
Шулежко, Вадим Владимирович. Моделирование элемента на основе трехмерного гетероперехода с распределенной генерацией носителей заряда / В. В. Шулежко, Е. В. Морозова. - С.28-34
Кл.слова: рекомбинация, фотоэлемент, бета-излучение
Силкин, Денис Сергеевич. Расчет влияния параметров шунтов на эффект dV/dt в мощных фототиристорах / Д. С. Силкин, В. П. Падеров. - С.35-40
Кл.слова: затворы, структура, моделирование
Храпов, Михаил Олегович. Анализ влияния температуры на электрофизические характеристики комплементарной пары вертикальных биполярных транзисторов / М. О. Храпов, А. В. Глухов, В. А. Гридчин. - С.41-49
Кл.слова: TCAD Sentaurus, напряжение, моделирование
Погалов, Анатолий Иванович. Конструктивная прочность и тепловой режим многокристальных модулей / А. И. Погалов, Г. А. Блинов, Е. Ю. Чугунов. - С.50-56
Кл.слова: моделирование, полиимид, теплоотвод
Антюфриева, Любовь Александровна. Особенности проектирования шифратора преобразования термометрического кода в код Грея на МОП-переключателях тока / Л А. Антюфриева, Р. С. Михеев, А. А. Журавлев. - С.57-63
Кл.слова: CML-логика, KMOП-логика, моделирование
Иванов, Вадим Геннадьевич. Методика автоматизации проектирования источника опорного напряжения, определяемого шириной запрещенной зоны кремния / В. Г. Иванов, В. В. Лосев. - С.64-70
Кл.слова: микросхемы, помехи, моделирование
Соколов, Сергей Викторович. Компенсация погрешностей навигационных измерений на основе идентификации параметров спутников по межспутниковым измерениям / С. В. Соколов, В. В. Каменский, С. М. Ковалев. - С.71-78
Кл.слова: координаты, алгоритм, погрешности
Усанов, Дмитрий Александрович. Влияние внешних электромагнитных полей СВЧ-диапазона на характеристики RC-генератора прямоугольных сигналов / Д. А. Усанов, М. К. Мерданов, А. В. Скрипаль. - С.79-86
Кл.слова: микросхемы, триггер, помехозащищенность
Вацков, Павел Юрьевич. Устройство для исследования устойчивости блоков малых космических аппаратов к электрическим полям помех / П. Ю. Вацков. - С.87-91
Кл.слова: совместимость, градуировка, автоматизация
Сергеев, Вячеслав Андреевич. Оценка качества гетеропереходных светодиодов по уровню порогового тока / В. А. Сергеев, О. А. Радаев, И. В. Фролов. - С.92-95
Кл.слова: фотоприемник, мультиплексор, излучение
Дисветова, Наталия Максимовна. Функционально-экологическая оценка чистых помещений / Н. М. Дисветова. - С.95-98
Кл.слова: кондиционирование, выбросы, атмосфера
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


Шифр: И517352/2014/1
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2014г. N 1 . - 1851.52, р.
Содержание:
Рабинович, Олег Игоревич. Изучение островковых пленок диселенида олова / О. И. Рабинович, А. Р. Кушхов, Д. С. Гаев. - С.4-7
Кл.слова: полупроводники, испарение инконгруэнтное, микроскопия атомно-силовая
Юзова, Вера Александровна. Формирование сквозных структур с различной пористостью на толстых пластинах монокристаллического кремния / В. А. Юзова, Ф. Ф. Меркушев, Е. А. Ляйком. - С.8-12
Кл.слова: травление электрохимическое, элемент микротопливный, блок мембранно-электродный
Блистанов, Александр Алексеевич. Влияние состояния примесных центров на лазерную стойкость щелочно-галоидных кристаллов / А. А. Блистанов, О. М. Кугаенко, Л. А. Васильева. - С.13-16
Кл.слова: рассеяние света, ЭПР-спектры, модель фотохимическая
Минаев, Виктор Семенович. Полимерно-полиморфоидная природа старения стекла / В. С. Минаев, Н. М. Парфенов, С. П. Тимошенков. - С.17-23
Кл.слова: полиморфизм, нанофрагмент, старение стекла
Труханов, Евгений Михайлович. Дальнодействующие напряжения в эпитаксиальной пленке, созданные дислокациями несоответствия / Е. М. Труханов, А. В. Колесников, И. Д. Лошкарев. - С.24-31
Кл.слова: релаксация оптимальная, релаксация неоптимальная, кремний
Тыныштыкбаев, Курбангали Байназарович. О граничных процессах в межфазной области электролит-кремний при самоорганизации мозаичной структуры 3D-островков нанокристаллитов пористого кремния при длительном анодном травлении p-Si (100) в электролите с внутренним источником тока / К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин. - С.31-36
Кл.слова: граница межфазная, самоорганизация, кремний пористый
Чибирова, Фатима Христофоровна. Магнитный структурный эффект в эпитаксимальных пленках оксида церия и цирконата лантана / Ф. Х. Чибирова, Г. В. Котина, Е. А. Бовина. - С.37-41
Кл.слова: обработка магнитная структурная, ток критический, буфер
Поклонский, Николай Александрович. Спектры DLTS кремниевых диодов с p+ - n-переходом, облученных высокоэнергетическими ионами криптона / Н. А. Поклонский, Н. И. Горбачук, С. В. Шпаковский. - С.42-46
Кл.слова: дефекты радиационные, имплантация ионная высокоэнергетическая, спектроскопия
Васьков, Олег Семенович. Диагностика технологических характеристик мощных транзисторов с помощью релаксационного импеданс-спектрометра тепловых процессов / О. С. Васьков, В. С. Нисс, В. К. Кононенко. - С.47-52
Кл.слова: транзисторы мощные полевые, схема эквивалентная, параметры тепловые
Кузьменко, Александр Павлович. Микроспектральное рамановское рассеяние на упругих деформациях балки кантилевера / А. П. Кузьменко, Д. И. Тимаков. - С.53-57
Кл.слова: спектроскопия рамановского рассеяния, кремний монокристаллический, напряжения изгибные
Борик, Михаил Александрович. Структура, фазовый состав и механические свойства кристаллов ZrO2, частично стабилизированных Y2O3 / М. А. Борик, В. Т. Бублик, М. Ю. Вилкова. - С.58-64
Кл.слова: материалы высокой прочности, анализ фазовый, микроскопия электронная
Косинова, Марина Леонидовна. Химия и функциональные материалы. Научная школа академика Ф. А. Кузнецова / М. Л. Косинова, И. Г. Васильева, Я. В. Васильев. - С.67-75
Кл.слова: кремний, кристаллы оксидные, моделирование термодинамическое
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)


621.38
Т 417


    Тимошенков, Сергей Петрович.
    Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов по дисциплине "Технология наносистем" [Текст] : учебно-методический комплекс / С. П. Тимошенков, В. В. Калугин ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (М.). - М. : МИЭТ, 2011. - 24 с. : ил. - (Учебно-методический комплекс для бакалавров. Направление "Наноэлектроника"). - 12.00 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)

621.38
Т 417


    Тимошенков, Сергей Петрович.
    Учебное пособие по дисциплине "Технология наносистем" [Текст] : учебное пособие / С. П. Тимошенков, В. В. Калугин ; Министерство образования и науки Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (М.). - М. : МИЭТ, 2011. - 200 с. : ил. - (Учебно-методический комплекс для бакалавров. Направление "Наноэлектроника"). - ISBN 978-5-7256-0663-8 : 100.00 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)