Авторизация
 

Базы данных


Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйдля рабочих программ
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.
Шифр: И517352/2021/24/1
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2021г. т.24 N 1 . - 3036.03, р.
Содержание:
Яркин, Владимир Николаевич. Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния / В. Н. Яркин, О. А. Кисарин, Т. В. Критская. - С.5-26
Кл.слова: Сименс-процесс, дистилляция реактивная, кремний
Югова, Татьяна Георгиевна. Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации свободных электронов в образцах n-GaAs, легированных теллуром / Т. Г. Югова, А. Г. Белов, В. Е. Каневский. - С.27-33
Кл.слова: арсенид галлия, спектр отражения, взаимодействие плазмон-фононное
Мололкин, Анатолий Анатольевич. Особенности высокотемпературной монодоменизации конгруэнтных сегнетоэлектрических кристаллов твердого раствора LiNb0,5Ta0,5O3 / А. А. Мололкин, Д. В. Рощупкин, Е. В. Емелин. - С.34-39
Кл.слова: ниобат лития, выращивание кристаллов, актюаторы
Малышкина, Ольга Витальевна. Зависимость диэлектрических свойств керамики титаната бария и композита на его основе от температуры спекания / О. В. Малышкина, А. И. Иванова, Г. С. Шишков. - С.40-47
Кл.слова: проницаемость диэлектрическая, точка Кюри, поляризация спонтанная
Кормилицина, Светлана Сергеевна. Исследование влияния вида обработки на прочность монокристаллических пластин нелегированного антимонида индия / С. С. Кормилицина, Е. В. Молодцова, С. Н. Князев. - С.48-56
Кл.слова: метод Чохральского, полировка химическая, ориентация кристаллографическая
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
2.
621.315
М 420


    Медведев, Сергей Александрович.
    Введение в технологию полупроводниковых материалов [Текст] : учебное пособие / С. А. Медведев. - М. : Высш. школа, 1970. - 504 с : рис., табл. - Библиогр. в конце глав. - 01.16 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , аунл (3 экз.)
Свободны: аунл (3)
Постоянная гиперссылка
3.
А
Щ 643


    Щербина, Ольга Борисовна.
    Кристаллические и керамические функциональные и конструкционные материалы на основе оксидных соединений ниобия и тантала с микро- и наноструктурами [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 05.17.01 / О. Б. Щербина ; науч. рук. М. Н. Палатников ; Российская Академия Наук, Кольский научный центр (Апатиты), Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья. - Апатиты, 2012. - 29 с. : ил. - Библиогр.: с. 26-28

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка
4.
А
Ф 534


    Филиппов, Максим Михайлович.
    Модели, алгоритмическое и программное обеспечение системы управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. 05.13.01 / М. М. Филиппов ; науч. рук. В. А. Кочегуров ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет. - Томск, 2010. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка
5.
621.382
П491


   
    Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления : Пер. с англ. / П. Ф. Линдквист, У. М. Форд, Л. Холлан и др.; Ред. Д. В. Ди Лоренцо, Ред. Д. Д. Канделуола, Ред. пер. Г. В. Петров. - М. : Радио и связь, 1988. - 494[2] с. : ил. - ISBN 5-256-00136-1 (в пер.) : 02.70 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
Имеются экземпляры в отделах: , аунл (22 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: аунл (21), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка
6.
Шифр: И517352/2010/3
   Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2010г. N 3
Содержание:
Залетин, В. М. Широкозонные полупроводниковые соединения для детекторов рентгеновского и гамма-излучения / В. М. Залетин, В. П. Варварица. - С.4-13
Кл.слова: детекторы, кристаллы, соединения
Быткин, С. В. Сравнительный анализ электрофизических параметров монокристаллов кремния, подвергнутых длительному хранению при 300 К / С. В. Быткин, Т. В. Критская. - С.14-18
Кл.слова: кремний, монокристаллы, временная стабильность
Чигир, С. Н. Выращивание трубчатых монокристаллов кремния методом Чохральского / С. Н. Чигир, Т. Т. Кондратенко, И. В. Силаев. - С.18-24
Кл.слова: Чохральского метод, кремний, монокристаллы
Вайнтрауб, М. В. Влияние условий получения на механические свойства кристаллов лантан-галлиевого танталата / М. В. Вайнтрауб, Н. С. Козлова, М. И. Петржик. - С.25-29
Кл.слова: твердость, кристаллы, выращивание кристаллов
Сидиров, Н. В. Исследование фоторефрактивных свойств кристаллов LiNbO3: Gd3+ методами фоторефрактивного и комбинационного рассеяния света / Н. В. Сидиров, А. В. Сюй, Е. А. Антонычева. - С.30-34
Кл.слова: дефекты, ниобат лития, рассеяние света
Цыганков, В. Н. Излучение электрофизических свойств твердых растворов в системах CeO2-MхOу (M = Dy, Gd, Y, Yb) и CeO2-Co (MgO, ZrO2) / В. Н. Цыганков, В. В. Сафонов. - С.35-36
Кл.слова: термочувствительность, электропроводность, датчики
Кольцов, Г. И. Исследование спектральных характеристик детекторов ядерных излучений на GaAs, полеченном методом хлоридной эпитаксии / Г. И. Кольцов, С. И. Диденко, А. В. Черных. - С.37-42
Кл.слова: арсенид галлия, детекторы, хлоридная эпитаксия
Белогорохов, А. И. Эпитаксиальные слои Pb1-хSnхTe для приемников терагерцового излучения / А. И. Белогорохов, А. А. Коновалов, Ю. Н. Пархоменко. - С.43-45
Кл.слова: полупроводники, жидкофазная эпитаксия, излучения
Курова, И. А. О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si : H / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт. - С.45-48
Кл.слова: кремний a-Si : H, фотопроводимость, пленки
Билалов, Б. А. Исследование электрических свойств анизотипных гетероструктур (SiC)1-х(AIN)х/SiC / Б. А. Билалов, М. К. Курбанов, А. А. Наджиев. - С.48-51
Кл.слова: туннелирование, носители заряда, гетероструктуры
Филимонов, С. Н. Влияние проницаемости края 2D-островка на переход от 2D- к 3D-росту / С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье. - С.52-59
Кл.слова: гетероэпитаксия, островки, изломы
Бублик, В. Т. О механизме образования микродефектов в монокристаллах GaP / В. Т. Бублик, М. И. Воронова, Н. Ю. Табачкова. - С.60-63
Кл.слова: микродефекты, монокристаллы, галлий
Козловский, А. А. Термоэлектрические свойства керамик Er1-хAхCoO3-δ и Ho1-хAхCoO3-δ (A - Ca, Sr) / А. А. Козловский, В. Ф. Хирный, Т. Г. Дейнека. - С.64-69
Кл.слова: материалы, кобальтиты, Зеебека коэффициент
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка
 
Статистика
за 18.06.2024
Число запросов 33284
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)