Библиотека ТУСУРа

Базы данных

Основная база библиотеки - результаты поиска

Вид поиска

Основная база библиотеки

База данных нормативных документов

Персоналии ученых-профессоров ТУСУРа

Календарь знаменательных дат

Электронные книги ЛитРес

ЭБС «Лань»

ЭБС «Юрайт»

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	для рабочих программ

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

535
Ф 912

    Фролова, Марина Николаевна.
    Оптические устройства, использующие распространение световых пучков в фоторефрактивных кристаллах и в планарных волноводах на их основе [Текст] : диссертация ... доктора технических наук: 01.04.05 / М. Н. Фролова ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2005. - 283 с. : рис.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
535.3
621.391.63
~РУБ 535

Кл.слова (ненормированные):
ОПТИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ -- КАНАЛЬНЫЕ ВОЛНОВОДЫ -- ВЕКТОР ПОЛЯРИЗАЦИИ -- СВЕТОВЫЕ ПУЧКИ -- ПРОТОННЫЙ ОБМЕН -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

А
Ф 912

    Фролова, Марина Николаевна.
    Оптические устройства, использующие распространение световых пучков в фоторефрактивных кристаллах и в планарных волноводах на их основе [Текст] : автореферат диссертации ... доктора технических наук: 01.04.05 / М. Н. Фролова ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). - Томск, 2005. - 36 с. : рис.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
535.3
621.391.63
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
ОПТИЧЕСКИЕ ДАТЧИКИ -- КАНАЛЬНЫЕ ВОЛНОВОДЫ -- ВЕКТОР ПОЛЯРИЗАЦИИ -- СВЕТОВЫЕ ПУЧКИ -- ПРОТОННЫЙ ОБМЕН -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- НАУЧНЫЕ ИЗДАНИЯ
Доп.точки доступа:
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.), счз1 (1 экз.)
Свободны: сбо (1), счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

621.382
Ч-683

    Чистоедова, Инна Анатольевна.
    Современные микро- и нанотехнологии [Текст] : учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для магистрантов по направлению 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника" / И. А. Чистоедова ; рец.: А. В. Мостовщиков, А. П. Коханенко ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (М.), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : Издательство ТУСУРа, 2022. - 56 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 50-51. - ISBN 978-5-86889-976-8 : 788.21 р., 788.27 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382-022.532(075.4)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
УЧЕБНЫЕ ИЗДАНИЯ -- МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОСОБИЯ -- САМОСТОЯТЕЛЬНЫЕ РАБОТЫ -- СУБМИКРОНЫ -- ПРОЕКЦИОННАЯ ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ГЕТЕРОБИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ДИЭЛЕКТРИКИ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
Доп.точки доступа:
Мостовщиков, А. В. \рец.\
Коханенко, А. П. \рец.\
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (М.)
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Имеются экземпляры в отделах: , счз1 (1 экз.), аунл (24 экз.)
Свободны: счз1 (1), аунл (24)
Постоянная гиперссылка

65
З-966

    Зыков, Дмитрий Дмитриевич.
    Системы автоматизированного моделирования и проектирования технологических процессов и технологических маршрутов производства СВЧ МИС, оптимизация производства (основы САПР Synopsys Tcad) [Текст] : учебное пособие / Д. Д. Зыков, К. Ю. Осипов ; рец.: П. Е. Троян, В. А. Бейнарович ; Минобрнауки России (М.), Российская корпорация нанотехнологий, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. - Томск : В-Спектр, 2010. - 76 с. : цв. ил., рис. - (Образовательная программа переподготовки). - Библиогр.: с. 74. - 21.66 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
65.015.13:004.896(075.8)
~РУБ 65

Кл.слова (ненормированные):
УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ -- КВАНТОВЫЕ ЯМЫ -- ШРЕДИНГЕРА УРАВНЕНИЕ -- ДВУХМЕРНЫЕ СЕТКИ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПОЛИКРЕМНИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ -- ШОТТКИ ДИОДЫ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ -- ОПТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ
Доп.точки доступа:
Осипов, Константин Юрьевич
Троян, П. Е. \рец.\
Бейнарович, В. А. \рец.\
Минобрнауки России (М.)
Российская корпорация нанотехнологий
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Имеются экземпляры в отделах: , счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

А
Д 754

    Дроздов, Дмитрий Геннадьевич.
    СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов [Текст] : автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01 / Д. Г. Дроздов ; АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар". - Москва, 2017. - 27 с. : фот. цв., рис.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.3.049.77:621.382.2/3
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ДИОДЫ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ -- ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ
Доп.точки доступа:
АО "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (Москва)
Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук (Москва)

Имеются экземпляры в отделах: сбо (1 экз.)
Свободны: сбо (1)
Постоянная гиперссылка

Шифр: И517352/2014/4
Журнал

Материалы электронной техники : научно-технический журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (М.). - М. : МИСиС, 1998 - . - ISSN 1609-3577. - Выходит ежеквартально
2014г. N 4 . - 2209.26, р.

Содержание:
Некрасов, Анатолий Валентинович. Перспективы рынка поликристаллического кремния / А. В. Некрасов, А. В. Наумов. - С.233-239
Кл.слова: солнечная энергетика, Сименс-метод, поликремний
Гавва, Владимир Александрович. Диагностика примесного состава высокочистого моносилана по результатам анализа контрольного монокристалла кремния / В. А. Гавва, А. В. Гусев, Т. В. Котерева. - С.240-245
Кл.слова: ИК-спектроскопия, монокристаллы, моносилан
Гоник, Михаил Александрович. Распределение Ge в слитке сплава Si_0,9Ge_0,1 / М. А. Гоник, A. Cröll, A. Wagner. - С.246-251
Кл.слова: сплав с германием, рентгеновский микроанализ, однородность кристалла
Нагорных, Сергей Николаевич. Распределение центров дислокационной люминисценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si⁺, и модель фотолюминесценции / С. Н. Нагорных, В. И. Павленков, Д. И. Тетельбаум. - С.252-256
Кл.слова: ионная имплантация, дислокационная люминесценция, модель фотолюминесценции
Верезуб, Наталия Анатольевна. Расчетно-экспериментальное исследование влияния тепловых процессов на форму фронта кристаллизации гептадекана и галлия в модели метода Чохральского / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов, В. С. Бердников. - С.257-267
Кл.слова: теплоперенос, моделирование, кристаллизация
Тыныштыкбаев, Курбангали Байназарович. Высокоэффективные фотоэлектроды на основе пористого кремния / К. Б. Тыныштыкбаев, В. Б. Глазман, Д. А. Муратов. - С.268-277
Кл.слова: гетероструктура, электролиз воды, водород
Баталов, Рафаэль Ильясович. Синтез пористого кремния с наночастицами серебра методом низкоэнергетической ионной имплантации / Р. И. Баталов, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин. - С.278-283
Кл.слова: аморфизация, распыление поверхности, ионная имплантация
Латухина, Наталья Виленовна. Фоточувствительные гетероструктуры на основе пористого нанокристаллического кремния / Н. В. Латухина, А. С. Рогожин, А. С. Сайед. - С.284-289
Кл.слова: нанокристалл, вольт-амперные характеристики, фотоэлектрические свойства
Паньков, Андрей Анатольевич. Пироэлектромагнитные эффекты композита феррит/титанат бария / А. А. Паньков. - С.290-296
Кл.слова: пироэлектрические свойства, пьезокомпозит, электромагнитоупругость
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

Шифр: И038466/2014/3
Журнал

Физика : научный журнал. Известия ВУЗов/ Министерство образования Российской Федерации (Томск), Томский государственный университет. - Томск : СФТИ, 1958 - . - ISSN 0021-3411. - Выходит ежемесячно
2014г. N 3 . - 4312.56, р.

Содержание:
Винокуров, А. А. Лигандная сверхтонкая структура спектров ЭПР ионов Eu²⁺ в суперионных кристаллах СaF₂ / А. А. Винокуров. - С.3 - 8
Кл.слова: флюорит, европий, электролита
Больбасов, Е. Н. Аэродинамическое формирование биосовместимых матриксов и их функционализация наночастицами, полученными методом лазерной абляции / Е. Н. Больбасов, И. Н. Лапин, С. И. Твердохлебов. - С.9 - 15
Кл.слова: матрикс, наноцастица, абляция
Ермолаев, Ю. С. О влиянии конфигурации магнитного поля на левитационные характеристики системы свехпроводник - массив магнитов / Ю. С. Ермолаев, И. А. Руднев. - С.16 - 19
Кл.слова: левитация, конфигурация МС, сверхпроводник
Дебелова, Н. Н. Электрофизические свойства композиций на основе атактического полипропилена / Н. Н. Дебелова, В. И. Сусляев, Н. П. Горленко. - С.20 - 25
Кл.слова: СВЧ-резонатор, полипропилен, адгезия
Магазев, А. А. Магнитные геодезические потоки на однородных многообразиях / А. А. Магазев. - С.26 - 32
Кл.слова: алгебра Ли, интегрируемость, поток
Орехов, К. А. Спиноры Киллинга и суперчастица в пространстве анти-де Ситтера / К. А. Орехов. - С.33 - 38
Кл.слова: суперсимметрия, вектор, структура спиноров
Закиров, У. Н. Космологические уравнения Робертсона - Уокера в рамках теории Калуцы - Клейна при отсутствии условия цилиндричности. Модель темной энергии / У. Н. Закиров. - С.39 - 43
Кл.слова: гравитация, флюктуация, закон Хоббла
Гаман, В. И. Характеристики полупроводниковых резистивных сенсоров монооксида углерода при работе в режиме термоциклирования / В. И. Гаман, Е. Ю. Севастьянов, Н. К. Максимова. - С.44 - 49
Кл.слова: диоксид олова, монооксид углерода, термоциклирование
Брудный, В. Н. Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN / В. Н. Брудный. - С.50 - 53
Кл.слова: сапфир, эпитаксия, нитрат галлия
Талипов, Н. Х. Влияние состава варизонногослоя на формирование n⁺-n^- -p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe¹ / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев. - С.54 - 67
Кл.слова: фотодиод, радиация, ионная имплантация
Емельянов, Е. А. Квантовые ямы InGa As/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) / Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин. - С.68 - 72
Кл.слова: морфология, квантовая яма, буферный слой
Конобеева, Н. Н. Распространение предельно короткого оптического импульса в графене на подложке из тонкой пленки топологического изолятора / Н. Н. Конобеева, М. Б. Белоненко. - С.73 - 77
Кл.слова: графен, импульс, ТЛ изолятор
Цыдыпов, Б. Д. Параметры высокотемпературной диффузии и испарения легирующих элементов термоэмиссионных катодов / Б. Д. Цыдыпов. - С.78 - 82
Кл.слова: термокатод, диффузия, активатор
Матвеев, А. И. Солитоны в плазменной волне с пучком захваченных электронов конечной плотности / А. И. Матвеев. - С.83 - 91
Кл.слова: солитоны, ленгмюровская волна, электрон
Медведев, Н. Н. _...Локализация энергии в упорядоченных конденсированных системах: сплавы состава A₃B со сверхструктурой L1₂ / Н. Н. Медведев, М. Д. Старостенков, А. И. Потекаев. - С.92 - 100
Кл.слова: ангармонизм, моделирование, локализация энергии
Баранникова, С. А. Закономерности макроскопической локализации пластической деформации при растяжении низкоуглеродистой стали / С. А. Баранникова, Д. А. Косинов, М. В. Надежкина. - С.101 - 107
Кл.слова: сплав, поликристалл, спекл - фотография
Мейснер, С. Н. Фрагментация структуры приповерхностного слоя никелида титана, вызванная импульсным воздействием на его поверхность пучками ионов кремния / С. Н. Мейснер. - С.108 - 115
Кл.слова: никелид титана, кремний, ионная имплантация
Суржиков, А. П. Исследование методом дилатометрии процессов спекания композиционной керамики из ультрадисперсных порошков системы ZrO₂(Y)-AI₂O₃при различных температурно - временных режимах обжига / А. П. Суржиков, Т. С. Франгульян, С. А. Гынгазов. - С.116 - 120
Кл.слова: метод дилатометрии, керамика, цирконий
Хуанбай, Е. К. Влияние времени экспозии в азоте на сверхпроводящие свойства YBCO - керамик / Е. К. Хуанбай, Н. Х. Ибраев. - С.121 - 124
Кл.слова: сверхпроводимость, керамика, плотность тока
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : сбо (1)
Свободны: сбо (1)

Постоянная гиперссылка

621.382
Т 384

    Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем [Текст] : учебное пособие для вузов: в 2 ч. / ред. Ю. А. Чаплыгин. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010 - . - (Электроника). - ISBN 978-5-94774-583-2.
   Ч. 1 : Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование / М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. А. Ревелева. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 397 с. : ил. - ). - Библиогр.: с. 397. - ISBN 978-5-94774-336-4 : 242.00 р.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
621.382.049.77(075.8)
~РУБ 621.382

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОВЕРХНОСТНАЯ ОБРАБОТКА -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- ДИФФУЗИЯ -- ЭПИТАКСИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ЛИТОГРАФИЯ -- МЕТАЛЛИЗАЦИЯ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ОСАЖДЕНИЕ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ
Доп.точки доступа:
Чаплыгин, Ю. А. \ред.\
Королев, Михаил Александрович
Крупкина, Татьяна Юрьевна
Ревелева, Марина Александровна

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (2 экз.), аунл (7 экз.)
Свободны: счз1 (2), аунл (5)
Постоянная гиперссылка

А
У 324

    Уемура, Кензуке.
    Разработка и исследование пучково-плазменных методов повышения эксплуатационных свойств изделий из металлических материалов [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. 01.04.07 / К. Уемура ; конс. Г. Е. Ремнев ; NanoCarbon Research Institute Limited, Национальный исследовательский Томский политехнический университет. - Томск : Издательство Томского политехнического университета, 2011. - 26 с. - Библиогр.: с. 24-26

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
669.018(043.3)
533.9(043.3)
~РУБ А

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ -- ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ -- АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ПЛЕНКИ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- АВТОРЕФЕРАТЫ
Доп.точки доступа:
Ремнев, Геннадий Ефимович \конс.\
NanoCarbon Research Institute Limited
Национальный исследовательский Томский политехнический университет

Имеются экземпляры в отделах: счз1 (1 экз.)
Свободны: счз1 (1)
Постоянная гиперссылка

10.

539.2
Д 390


    Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии / Ф. Ф. Комаров [и др.]. - Минск : Университетское, 1990. - 318[2] с. : ил. - Библиогр.: с. 293-318. - ISBN 5-7855-0192-9 : Б. ц.

    Коды, Ключ.слова, Доп.точки доступа
УДК
539.2
~РУБ 539.2

Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- ионно-имплантированный кремний -- ионная имплантация -- полупроводниковые материалы
Доп.точки доступа:
Комаров, Фадей Фадеевич
Новиков, Александр Петрович
Соловьев, Валерий Сергеевич
Ширяев, Сергей Юрьевич

Имеются экземпляры в отделах: аунл (3 экз.)
Свободны: аунл (3)
Постоянная гиперссылка

1-10 11-19

Статистика за 17.05.2024
Число запросов	57910
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)