Журнал основан в 1967 году.
Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.
Периодичность выхода в свет – ежемесячно.
По соглашению с учредителями журнала издателем лицензионной переводной англоязычной версии является компания «Плеадес Паблишинг, Лтд». Распространение англоязычной версии журнала проводится компанией Springer. Выпуски журнала на русском и английском языках выходят в свет одновременно.
Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.
Ссылка на источник: journals.ioffe.ru
